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高亮度钙钛矿量子点发光二极管
作为新型的半导体材料，金属卤化物钙钛矿因其优异的光电特性得到了广泛的关注，并在太阳能电池、发光二极管、激光器、光催化、记忆存储、晶体管等方面得到应用。短短四年内，钙钛矿太阳能电池的转化效率从最初的3.8%提高到22.1%，超越了传统的非晶硅、染料敏化、有机太阳能等薄膜电池十年的研究成果，在2013 年钙钛矿太阳能电池被Science评为十大科学进展之一。 与钙钛矿太阳能电池相比较，发光二极管的研究进展较缓慢。对于钙钛矿发光二极管，目前以薄膜（thin film）报道为主，对于钙钛矿量子点，尤其是有机阳离子（CH3NH3 （MA）, CH(NH2)2 (FA)）钙钛矿，相关报道较少。 该团队通过溶液合成的方法在室温下得到了有机-无机阳离子钙钛矿量子点材料FA(1−x)CsxPbBr3，通过优化无机阳离子Cs掺杂浓度，得到了性能优异的钙钛矿量子点发光二极管，发光亮度高达55005 cd m−2 ，电流效率10.09 cd A−1。
南方科技大学
2021-04-13
多功能量子点-有机叠层发光二极管
提出了一种量子点-有机叠层发光二极管（LED）的新结构，实现了单颗LED发射红、绿、蓝、白及任意色彩的功能，有望取代传统红、绿、蓝LED，提高显示屏的分辨率及开口率。 量
南方科技大学
2021-04-14
可调谐二极管激光吸收光谱检测仪（TDLAS）
成果与项目的背景及主要用途： 我国随着经济社会发展速度的提升，已极为重视对环境和经济可持续发展的 社会需求，公众也对切身的环境问题关注日益密切。以大气中常见空气污染物为 应用检测对象，开发研制快速实时且高精度的 TDLAS 可调谐二极管光谱学检测 设备，为大气环境监测中所要求的微量、高精度及快速响应需求提供仪器实现手 段，应用于室内外环境污染气体监测和煤矿、油井等地下作业中毒气泄漏的监控， 可以有效避免有毒有害气体排放导致的大规模大气污染发生，保障环境质量安全， 为国民经济作出重要贡献，社会效益显著。并特别适用于强磁场和辐射性、腐蚀 性或危险性大的环境，可实现对如飞行器、舰船、矿井、油田、建筑物等恶劣环 境的实时检测分析。大气污染物气体 TDLAS 测量及评价系统项目研究和开展具 有对于产品需求直接的经济效益及环境保护的社会效益。 技术原理与工艺流程简介： 该项目在团队已有红外光谱工作基础上,组建基于 TDLAS 的大气污染物在 线检测实验平台，通过对排放气体干扰组分、激光器输出参数及系统电子学指标 的分析与优化，建立适用于大气常见污染物气体实时快速 TDLAS 仪器检测技术 体系。并基于企业自有的物联网 GPS 模块设备开发技术、长光程气体吸收池技 术、仪器网络系统集成技术等，进行 TDLAS 仪器向网络分布式监测系统的应用 技术研究，使项目内推出的样机可以作为独立接入单元接入区域环境评测平台， 对传统在线式检测仪器数据接入及集成进行功能创新。 a.基于课题团队自有光谱数据处理算法软件与嵌入式系统开发平台进行控 制系统产品化开发 b.根据检测物指标，可定制选择国外或国内激光器模块封装进行集成 192天津大学科技成果选编 c.基于实验室自有开放光程光路准直定位技术以及长光程气体池技术进行 关键模块定制。 d.根据用户需要定制上位机专用分析软件程序。 应用领域：燃料燃烧、金属冶炼、变电高压、焦炭化工、矿业筛选、农药施 放、油漆喷涂、造纸纺织、皮革纤维、生活垃圾焚烧、危险废物处理、制药、橡 胶等有气体污染物排放行业 合作方式：技术开发，模块打包出售（15—20 万元/套）
天津大学
2021-04-11
硅二极管温度传感器锦正茂非标定制
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-07-28
一种集成式交流发光二极管光引擎和基板
本实用新型公开了一种集成式交流发光二极管光引擎和基板，该光引擎包括基板、在所述基板上焊接设置的单相全波桥式整流电路、分段线性恒流驱动电路和多个交流发光二极管，所述基板由印刷电路层、导热绝缘层和散热体组成，所述散热体具有散热结构，所述导热绝缘层为石墨烯-环氧树脂复合材料层。本实用新型由散热体代替了原先的散热器、导热硅脂和导热基板，简化了LED灯具构造，石墨烯－环氧树脂复合材料的导热效率大幅提高，使得光引擎的可靠性、散热效果、寿命均大幅提高，本实用新型对光引擎的生产流程进行整合、简化，缩短了灯具生产的时
安徽建筑大学
2021-01-12
采用半导体荧光粉的特殊用途发光二极管技术
制备了不同发光波长的半导体量子点材料，设计，优化和制造了应用于航天电子信息显示领域的基于薄膜量子点器件结构的夜视兼容性LED；同时也设计，优化和制造应用于航天电子信息显示领域的基于集成量子点荧光粉-氮化镓单晶蓝光LED器件结构的夜视兼容性LED。通过控制器件的光谱输出，成功地制备出适用于飞机驾驶舱的半导体器件，该器件可直接用于飞机驾驶舱，无需再使用滤光片，并完成了对其性能的评估。同时基于半导体量子点材料制备出了用于NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列。完成对NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列的初步光电测量。此外，分析影响LED发光功率及效率的因素，优化设计的器件结构，探索提高特殊用途效率的方法。优化器件的工艺制作流程，提高器件参数的一致性、均一性。
上海理工大学
2021-04-13
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
BC型裸片硅二极管温度计低温温度传感器
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-26
实验室温度计 硅二极管温度传感器 DT640
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-06-27
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11