产品详细介绍品牌：久滨型号：JB-250A名称：陶瓷乳钵式微粉研磨机一、产品概述：　　JB-250A型陶瓷乳钵式微粉研磨机，主要用于替代国内生产中手工研磨或高等院校的物料研磨实验，可广泛用于化工、电子、制药、冶金等行业的超硬颗粒或微粉研磨，粉末细度可达纳米级，是一款高效节省人工的自动化研磨设备。二、技术参数：1、乳钵口径：250mm2、最大研磨量：300g/次3、研棒转速：120rpm4、研钵转速：10rpm5、研棒功率：60w6、研钵功率：40w7、研钵材质：高铝陶瓷8、研棒棒头材质：高铝陶瓷9、运行时间控制：自动设定10、长X宽X高：500*500*920mm11、重量：35kg12、电压：220V  50/60HZ三、适用条件：1、研磨颗粒要求：颗粒硬度没有限制，颗粒大小≤0.5mm；2、研磨方式：可干磨也可湿磨；

产品详细介绍BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉（箱式实验电炉)详细介绍 BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉炉体采用美国陶瓷纤维材料，此材料具有保温性能好（升到1000℃炉体表面温度只有60℃,国家标准是100℃）左右，重量轻的特点。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉加热丝采用全球最顶级瑞典康泰尔公司的合金材料。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉加热温度均匀、升温速度快，升到1000℃只要20分钟（化学行业非常适用），传统马弗炉需要80分钟左右，节能性能好，BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉是普通马弗炉能耗的40%左右，不掉粉尘、不掉渣不会影响做试验的效果。1.BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉采用美国高纯陶瓷纤维材料，保温耐火层共50mm2.BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉采用瑞典康泰尔电热元件，很少断裂；同样的电阻，均匀性完全不同。3.国际产品的质量，国内的价格4.先进的温度控制系统5.设有防止断电、故障停机后来电误启动功能,炉体表面超温断电保护、及多项安全防护措施防止意外发生,炉门设有可靠的开门断电开关，确保操作人员安全BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉可应用于高校、研究所常规实验室：用于进行对各种物理、化学材料、生物、电子等学科实验室的常规教学和试验研究。 如：（1）热加工、水泥、建材行业：进行小型工件的热加工或处理，例如加热小型精密陶瓷，新材料开发等；（2）医药行业：用于药品的检验、医学样品的预处理等。（3）分析化学行业：作为水质分析、环境分析等领域的样品处理。也可以用来进行石油及其分析。（4）煤质分析：用于测定水分、灰份、挥发份、灰熔点分析、灰成分分析、元素分析。也可以作为通用灰化炉使用。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉（箱式实验电炉)技术参数 1、工作室尺寸：300*200*120（7L）2、设计温度：1000℃3、控温精度：±1℃4、控温形式：PID智能控温仪5、升温速率：≥60℃6、传感器：镍铬—镍硅 分度号：K7、电源电压：AC-220V（二相）8、功率：4KW10、电流：12A11、加热元件：瑞典康泰尔电热元件

主要特点1、微电脑自动控制，中文界面，液晶显示，触摸屏操作，简捷、直观、方便。全程电脑自动控制，无需人工干预。2、每张标本独立沉降制片、独立固定、独立染色。独立分化、独立返蓝、独立倾倒废液,标本与耗材(一次性移液针筒、沉降仓等)一一对应，不交叉使用，不反复使用，保证单独制片染色，无标本间交叉污染。3、一次性移液针筒抽取染色液、盐酸酒精，无堵塞管道、腐蚀管道风险，染色液无浪费。4、随着季节温度变化，仪器自动检测温度并自动调整染色时间，保证最佳染色效果。(此功能可选择)5、有效细胞单层、均匀地平铺到载玻片圆形区域上，制成细胞成分丰富、背景清晰、颜色鲜艳、形态完整、分布均匀的细胞涂片。6、上皮细胞、化生细胞、颈管细胞及微生物等清晰，既可直接查癌及癌前病变，也可查炎症，HPV感染、滴虫、霉菌等微生物。7、配有净化排气装置，环保密封罩活性炭过滤，吸附有害气体，保证仪器内外空气洁净，保护操作者健康。8、单次制片染色1-64任意数值只标本；9、巴氏、HE两种染色方式，一键切换。10、妇科、非妇科1、非妇科2三种工作模式，一键切换。

研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理，在绝缘层硅（SOI，silicon-on-insulator）上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光锥以下）能够较好地局域在平板内，抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道，测量出高透平顶透射光谱带，证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源，无需低温和强磁等极端环境，实现了拓扑界面态的选择性激发，实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为，验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理，是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作，多次引起国际同行关注，论文入选ESI高被引。该工作中，他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论，攻克了数十纳米加工工艺等关键技术，率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系，突破了单一自由度调控的传统框架，提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制，为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域，提供了新方法和新思路。

铁基形状记忆合金是一种新型结构功能材料。自90年代，我校已研究成功几种Fe-Mn-Si-Cr-Ni系形状记忆合金，这些合金的屈服强度可达300～450MPa，完全回复的形状记忆应变已达3%，予应变为6%时净回复应变可达5%，具有良好的单程形状记忆效应和形状记忆完全性，合金中Cr、Ni元素的加入兼具有良好的耐腐蚀性。铁基形状记忆合金的应用如下： 1

金属基复合材料问世不足三年，但由于其制备工艺简单，价格便宜，具有高比强、高比刚及高耐磨性等优良性能，在国外已广泛用于航空、航天、汽车、军工等领域。我校于80年代开始进行铝基复合材料的制备、性能及应用研究，已获得许多重要成果，现已可用稳定工艺制备管材、棒材及形状较为复杂的零部件，如汽车连杆、汽缸套、油田抽油机缸套、汽车摩擦片、皮带轮等机器构件，还可用于开发各

可以量产/n在垂直结构LED芯片的工艺流程中，其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次，蓝宝石衬底单芯片和2英寸整片剥离成品率大于95%。目前，垂直结构LED发光效率可以达到121.57m/W@350mA随着技术的不段进步，近几年最受人们关注的是固态通用照明领域的高亮度大功率LED应用，然而这种应用却受到蓝宝石异质衬底所带来的一系列技术问题的限制。除去了蓝宝石衬底的垂直结构LED芯片具有优良的光电热方面的性能，能满足固态通用照明对其性能的要求，采用垂直结构LED方案是固态通用照明技术发展的 必然

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。