|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法
本发明具体涉及一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法。技术方案一：以20——30wt%的单质硅和70——80wt%的碱金属无机盐为原料，再外加所述原料0——3wt%的催化剂，混合，干燥；然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h，自然冷却，洗涤，制得氮化硅粉体。技术方案二：以5——15wt%的含硅源的物质、70——80wt%的碱金属无机盐和5——15wt%的碳黑为原料，再外加所述原料0——3wt%的催化剂，混合，干燥；然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h，自然冷却，洗涤，得到氮化硅/碳化硅复合粉体。本发明具有生产成本低、工艺简单和易于工业化生产的特点；所制备的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体粒度均匀、晶体形貌好和物相纯度高。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
氮化硅超细粉流态化制备技术
氮化硅陶瓷是一种耐高温耐磨材料，广泛用于冶金、化工、能源等领域，氮化硅粉是制备氮化硅的原材料。实验室提出了一种流态化直接氮化制备超细粉方法，可低成本生产晶相和非晶相氮化硅粉。
北京科技大学
2021-04-13
一种氮化硅微米管制造方法
本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法，该方法将去除保 护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在 300～600℃的温度区间内 热解，使光纤表面形成均匀厚度的碳膜；再将光纤在氮气条件下以 1100～1600℃的温度区间高温加热，使碳膜与光纤表面的二氧化硅产 生反应生成硅，然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。该氮化 硅微米管与炭黑进行混合，使氮化硅微米管增强导电性，然后在其中 加入热熔型粘结剂形成混合物，再均匀涂在洗净的铜箔表面，可得到 氮化
华中科技大学
2021-04-14
氮化硅基光子集成技术及关键器件
项目采用了中山大学自主研发的低损耗低应力超低温氮化硅材料平台，研制了一系列光子集成的关键 器件
中山大学
2021-04-10
燃烧合成氮化硅基陶瓷的产业化技术
在高技术陶瓷领域，先进陶瓷占有极其重要的地位，在诸多的先进陶瓷中，氮化硅基先进陶瓷以其高强度、高韧性、高的抗热震性、高的化学稳定性在先进陶瓷中占有独特的地位，是公认的未来陶瓷发动机中最重要的侯选材料。并且在国际上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷轴承已经形成相当规模的产业。任何一个跨国刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列产品，足见其在机加工行业中具有不可替代的地位。 但是，影响氮化硅陶瓷推广的一个主要因素，是氮化硅粉末价格昂贵，这是由于传统的制取氮化硅粉末的方法耗能高，生产周期长，生产成本高。本项目采用具有自主知识产权的创新的燃烧合成技术，制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅复合粉末，具有耗能低，生产周期短，杂质含量低，生产成本低等特点，具有广泛的应用前景。 燃烧合成（Combustion Synthesis，CS）又名自蔓延高温合成（Self- Propagating High-Temperature Synthesis，SHS），是利用化学反应自身放热合成材料的新技术，基本上（或部分）不需要外部热源，通过设计和控制燃烧波自维持反应的诸多因素获得所需成分和结构的产物。 自1990年以来，本项目负责人等针对燃烧合成氮化硅陶瓷产业化的一系列关键问题，在气-固体系氮化硅基陶瓷的燃烧合成热力学、动力学和形成机制等方面进行了深入研究后得到的创新成果。 采用本项目的技术，可以生产符合制作先进陶瓷要求的从全α-Si3N4相到高β- Si3N4相，及不同配比的氮化硅粉末，还可根据用户要求，用此技术生产α-Sialon，β-Sialon和其它各种氮化硅基的复合粉末。粉末的质量优良而稳定。 应用于航天、航空及机械行业等，用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷轴承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。
北京科技大学
2021-04-11
自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷
北京科技大学特种陶瓷研究室开发出一种自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷材料，其应用前景极其广阔。 Si和N2合成Si3N4反应的绝热燃烧温度高，体积有所增加，生成棒状的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反应烧结氮化硅多孔陶瓷的强度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但烧结性能差。本项目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，当加工时，弱界面上会形成微裂纹，并沿弱界面发生偏转，耗散裂纹扩展的能量使裂纹扩展终止；当载荷继续上升时，在下层的弱结合界面处将产生新的临界裂纹再扩展；如此反复，使裂纹成为跳跃式阶梯状扩展，断裂渐次发生而非瞬间脆断，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本项目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉为原料的普通烧结工艺节约了原料成本。产品的基本工艺为自蔓延高温合成（燃烧合成）工艺，在气体高压反应器中进行，烧结所需要的能量完全由原料自身放热提供，与其他制备方法（常压烧结、热压烧结、反应烧结）相比较，不需要高温烧结炉长时间烧结，大大节省了能源。本项目工艺简单，烧结速度快，效率高。可制作复杂形状一维，二维的大尺寸陶瓷材料。抗弯强度已做到188MPa，材料可加工性能优良。 已获中国发明专利《ZL 200610089013.6自蔓延反应烧结Si3N4/BN复相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大学
2021-04-11
纳米氮化钒粉体的制备方法
一种纳米氮化钒粉体的制备方法，工艺步骤依次为：(1)前驱体的制备，以V2O5和草酸为原料，V2O5与草酸的重量比为1∶1～1∶3，将所述配比的V2O5和草酸放入反应容器并加水，然后在常压、40℃～70℃进行搅拌，直到V2O5和草酸的还原反应完成为止，还原反应完成后，将所获溶液蒸干即得到前驱体草酸氧钒；(2)前驱体的氨解，将所获前驱体草酸氧钒放入加热炉，在流动氨气氛围中加热至600℃～750℃进行氨解，保温10分钟～3小时后关闭加热炉电源，保持炉内氨氛围，待分解产物冷却至100℃以下取出，即获得纳米氮化钒粉体。
四川大学
2021-04-11
纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体的制备方法
本发明提供了一种纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体的制备方法。其特征在于以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料，按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中，并搅拌均匀，制得溶液。然后将该溶液加热、干燥，最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中，并通入还原气体作为反应和保护气体，于800～950℃、30～60min条件下，制得平均粒径＜100nm、粒度分布均匀的纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点，适合工业化生产。
四川大学
2021-04-11
一种六方氮化硼粉体及其制备方法
本发明具体涉及一种六方氮化硼粉体及其制备方法。其技术方案是：先按脲醛树脂与水的质量比为1∶(0.2——1)将脲醛树脂与水混合，得到脲醛树脂水溶液；再按含硼化合物中的硼元素与脲醛树脂水溶液中的氮元素的质量比为1∶(1.5——4)将含硼化合物加入到脲醛树脂水溶液中，搅拌10——50min；然后在80——100℃条件下干燥，干燥后球磨0.5——3h；最后在氮气气氛和1000——1600℃条件下保温1——5小时，随炉冷却至室温，得到六方氮化硼粉体。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。
（注：本项目发布于2014年）
武汉科技大学
2021-01-12
球形亚微米二氧化硅粉体的低成本批量制备技术
超细球形/类球形二氧化硅粉体是一种现代工业的无机精细化学原料。该材料有严格的超微细粒度（一般为小于 1 微米的胶体颗 粒）要求，颗粒形貌必须为球形或类球形。以作为电子封装材料的无机填料为例，要求其达到超微细粒级、放射性元素含量低、 纯度高、颗粒形貌球形化。目前，制备超微细球形或类球形二氧化硅颗粒的方法主要包括火焰成球法、高温熔融喷射法、溶胶凝 胶法及化学沉淀法等，工艺复杂、成本较高。该技术基于介质搅拌磨中研磨介质对颗粒表层的剪切剥离研磨及添加某种盐溶液对 二氧化硅颗粒表面进行化学溶蚀的耦合作用，将化学溶蚀辅助超 细研磨应用于类球形二氧化硅颗粒的制备中，得到颗粒更细、粒径分布更窄、分散稳定性良好的亚微米粒级类球形二氧化硅粉体。
华南理工大学
2023-05-08