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一种二硼化钒粉体的制备方法
（专利号：ZL 201410219036.9） 简介：本发明公开了一种二硼化钒粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为3：11的偏钒酸铵和单质硼粉及一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～4h得到二硼化钒粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法采用的钒源无毒害，生产工艺简单，适合批量生产。本发明方法引入的熔融盐环境加速了固相物质的扩散速度，
安徽工业大学
2021-01-12
一种纳米氧化锆粉体的制备方法
（专利号：ZL 201410611888.2） 简介：本发明公开了一种纳米氧化锆粉体的制备方法，属于材料制备技术领域。该制备方法包括下述步骤：在真空或氩气气氛下，对氯化锆+硼氢化钠混合粉末进行5～10h球磨处理；然后，在0.5～1atm氢背压下，将球磨产物加热到300～400℃，并保温1～2h后自然冷却；接着，将加热产物倒入蒸馏水中，过滤出固体物，再用蒸馏水清洗；最后，用乙醇对水洗固体产物清洗后干燥，即可获得所述的纳米氧化锆粉体。本发明的
安徽工业大学
2021-01-12
氮化镓界面态起源
已有样品/n基于超低温的恒定电容深能级瞬态傅里叶谱表征了LPCVD-SiNx/GaN界面态，在70K低温下探测到近导带能级ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的极小捕获界面。在国际上第一次通过高分辨透射电镜在LPCVD-SiNx/GaN界面发现晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，证明了近导带界面态主要来源于镓悬挂键与其临近原子的强相互作用。由于晶化的Si2N2O
中国科学院大学
2021-01-12
超临界水热合成纳米金属及其氧化物粉体
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学
2021-04-10
增材制造用金属粉体材料制备及应用技术
以周廉院士为带头人的中心研究团队，面向航空、航天、海洋工程和生物医疗等领域对高性能、结构-功能一体化材料及其面向性能制备的高端制造技术的迫切需求，围绕高性能钛合金、镍基高温合金、难熔金属及铁基合金粉体材料的制备与应用，开展了高性能合金成分设计与优化、高均匀高洁净母合金制备、高性能金属粉体材料制备、增材制造构件后处理集成技术及装备、粉末冶金近净成形技术的系统研究，形成了增材制造领域用高性能金属粉末材料制备及应用的成套专用技术。
南京工业大学
2021-01-12
碳化硅衬底晶片
碳化硅衬底晶片及其功率器件● 衬底晶片应用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS衬底等● 新能源汽车应用：电动汽车电驱系统功率器件、充电桩功率器件等● 军工应用：机载雷达通讯设备功率器件、微波通讯大功率器件等● 超高速集成电路：RFIC（射频集成电路）、SOS 芯片、光通讯芯片、5G 技术等
青岛嘉星晶电科技有限公司
2021-08-30
悬空氮化物薄膜LED
南京邮电大学
2021-04-14
一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法
本发明公开了一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法，其包括如下 步骤：首先配置镓盐溶液、铟盐溶液和锌盐溶液；然后使用不含碱金 属的碱液作为沉淀剂，并采用三步沉淀法分别使所述镓盐溶液、铟盐 溶液以及锌盐溶液中的镓离子、铟离子、锌离子在不同 pH 值下先后沉 淀，以制备铟镓锌氧化物前驱体粉体；最后将制备的所述铟镓锌氧化 物前驱体粉体经洗涤、过滤、干燥、退火后制成获得高纯单相铟镓锌 氧化物粉体 InGaZnO4。本发明可制备具有高
华中科技大学
2021-04-14
一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法
本发明公开了一种蓬松态纳米氧化钇粉体的制备方法，属于超 细纳米粉体合成技术领域。先将含钇无机盐、去离子水和络合剂混合， 在室温下搅拌均匀得到含钇的浆液，含钇无机盐和络合剂的重量比为 8/0.5～8/10；当目标产物为 RE:Y2O3 时，含钇无机盐中掺杂有稀土离 子；再将浆液，或者由浆液得到的溶胶或干凝胶在 400～900℃进行煅 烧，使其充分分解，得到蓬松态 Y2O3 或 RE:Y2O3 纳米粉体。本发明 利用新型
华中科技大学
2021-04-14
一种低温制备CrB或CrB2粉体的方法
（专利号：ZL 201410219062.1） 简介：本发明公开了一种CrB或CrB2粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为1：4或1：6的氧化铬和无定形硼粉与一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～2h得到CrB或CrB2粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法合成温度低，合成周期短，采用的生产工艺简单、成本低廉、适合批量生产。所制备出
安徽工业大学
2021-01-12