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二氧
化碳
培养箱
产品详细介绍二氧化碳培养箱 BPN-80CH(UV) BPN-150CN(UV) BPN-80CW(UV) BPN-150CW(UV) HH.CP-CRW HH.CP-01CRW ——智能化微电脑控制 用途概述 CO2培养箱是细胞、组织、细菌培养的一种先进仪器。是开展免疫学、肿瘤学、遗传学及生物工程所必须的关键设备,广泛应用于微生物、农业科学、药物学的研究和生产。 产品特点 二氧化碳培养箱是集公司多年的制造技术经验和引进新工艺所开发的高性能的二氧化碳培养箱。它与一般的二氧化碳培养箱相比,更具加热快,温度精度误差小等特点。 1.内胆采用镜面不锈钢或拉丝板氩弧焊制作,四角半圆形易清洁。 2.微电脑温度控制器,温度波动小。箱内装有紫外线杀菌灯可定期对箱内进行紫外线消毒,从而更有效防止细胞培养期间污染。 3.独立限温报警系统,超过限制温度即自动中断,保证实验安全运行不发生意外(选配)。 4.采用门温控制可有效防止箱内玻璃门结露现象。 5.水套式配有微生物过滤器位于进气口,提供100%过滤气体。 6.配CO2减压阀(专用于二氧化碳培养箱) 技术参数: 控温范围:RT+5~50℃ 温度分辨率:0.1℃ CO2控制范围:0~20%红外线传感器,CO2控制精度±0.1% CO2恢复时间:≤浓度值×1.2min 加湿方式:自然蒸发 加热方式:气套式(BPN-80CH、BPN-150CH),水套式(BPN-80CW,BPN-150CW) 工作环境温度:+5~35℃ 电源电压:220V;50Hz 载物托架:2/3/2/3块 主要特点: 加热快,温度精度误差小 采用门温控制可有效防止箱内玻璃门结露现象 水套式配有微生物过滤器位于进气口,提供100%过滤气体 内胆采用镜面不锈钢或拉丝板氩弧焊制作,四角半圆形易清洁 独立限温报警系统,超过限制温度即自动中断,保证实验安全运行不发生意外(选配) 微电脑温度控制器,温度波动小,箱内装有紫外线杀菌灯可定期对箱内进行紫外线消毒,从而更有效防止细胞培养期间污染
西安禾普生物科技有限公司
2021-08-23
二氧
化碳
传感器
量程:0~5000ppm,分辨率:20ppm;电极使用寿命为≥10000次;无源电机驱动;红外光谱分析,用于测量气体中二氧化碳的含量。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
二氧
化碳
测定仪
产品详细介绍二氧化碳测定仪
广州市展科教学仪器有限公司
2021-08-23
二氧
化碳
传感器
产品详细介绍 量程: 0~50000 ppm,分辨率:25ppm;探头采用脉冲红外光源技术,红外灯闪烁周期不得高于3s。热电堆红外气体传感无需填充液.采用自由扩散式探测方式,数据传输端口为智能HDMI接口,支持与采集器的有线通讯和无线通讯。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
一氧
化碳
传感器
产品详细介绍 量 程:0~500ppm 分辨率:1 ppm 数据传输端口为智能HDMI接口,支持与采集器的有线通讯、无线通讯和独立数据显示三种工作方式。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
太阳能电池增效
薄膜
材料
太阳能电池的光电转换效率是评判太阳能电池性能的重要参数之一,在国外实验室 最高转换效率已达 24.8%,而国内最高为 19.79%。为了改善太阳能电池的性能,必须提 高太阳能电池的转换效率。而太阳能电池转换效率损失的主要原因是由于表面上的光反 射作用,太阳光不能全部都入射到太阳电池中去,导致电子一空穴对的产生率不高。减 少反射就成为增加太阳能电池光电转换效率的重要途径。 同济大学研究了在太阳能电池光电板外制备减反射涂层来增加太阳能转化效率的方 法。减反射薄膜的镀制是相关课题组纳米多孔材料应用的主要方向之一,具有近十年的 技术积累,相关的成果已被用于国家的激光武器。基于以上基础及优势,通过涂布二氧 化硅减反射膜,可使电池总体光电转换效率明显提高。
同济大学
2021-04-11
锑化铟(InSb)
薄膜
型霍尔元件
项目简介: 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑 的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功 耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色: 制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制 造成本低,投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟(InSb)
薄膜
型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片,国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币,具有市场广,竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术,原材料成本便宜 30%左右,具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制造成本低,投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟(InSb)
薄膜
型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学
2021-02-01
薄膜
晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火,制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管,其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高,即用氮化硅薄膜封装,再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管,其开态电流和开关比都获得了数量级的提升(约40倍),而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常,大于300 cm2/(V·s),远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪(SIMS)和X射线光电子能谱分析(XPS)表征,发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级,而且氧空位缺陷态也大大减少了,而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出,该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著,而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用,为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式,并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13
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