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大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备
本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备， 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子，加速 NH 键的断裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第 III 族氮化物膜层材料， 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底
华中科技大学
2021-04-14
基于硅衬底氮化物材料集成制备微机电可调谐振光栅
南京邮电大学
2021-04-14
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14
安瑞斯智能化一体机
安瑞斯智能化一体机主要功能：智能称重及标签打印、扫码；出入库信息化管理，安全合规；自动盘点及报表生成；保质期、最低库存、异常情况等提醒。
智能化一体机配备19寸高清电容触摸屏
人员身份验证及分级权限
智能称重二维码标签打印及扫码
入库、出库及回库信息化管理
化学品MSDS实时查询
自动统计及报表生成
保质期、最低库存、异常情况等提醒
远程登陆访问
安瑞斯（上海）科技有限公司
2026-01-04
"一种含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷及其制备方法"
一种含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷及其制备方法，属于金属陶瓷 及制备方法。含钒无磁 Ti(C,N)基金属陶瓷包括硬质相和粘结相，原料 为粉末状，其组分重量百分比为：TiC：42.11％～53.48％，TiN：7.91％～ 9.99％，Ni：27.78％～32.82％，Mo：9.30％～15.16％，VC：0.50％～ 1.99％，经混料、湿磨、干燥、模压成型、脱脂、真空烧结制备而成。 其制备方法顺序包括混料、湿磨、干燥、模压成
华中科技大学
2021-04-14
一种在电渣重熔过程中直接钒合金化的方法
（专利号：ZL 201510219962.0） 简介：本发明公开了一种在电渣重熔过程中直接钒合金化的方法，属于电渣重熔技术领域。本发明利用电渣重熔过程中炉内温度较高的特点，利用碳代替铝直接还原氧化钒，并巧妙的与喂线技术结合，能精确控制合金元素的加入量，减少夹杂物，其操作方法为：先将氧化铝和石墨制成合金线，然后启动电渣炉开始电渣重熔，随后喂入合金线，并加入铝粒进行扩散脱氧，电渣重熔过程结束后停止喂线，进入补缩阶段直至补缩完成。本发明直接钒合
安徽工业大学
2021-01-12
陶瓷闪烁体
目前商业化的医用X-CT均选用透明陶瓷作为探测器的闪烁体材料，因为闪烁体为X-CT的核心技术，其性能很大程度上决定着X-CT的性能。我国已成为医疗X-CT的生产大国，但是其核心部件X-CT的探测器却完全被国外垄断，只能依赖进口。本实验室所拥有的高光学质量透明陶瓷制备技术可方便的用于X-CT陶瓷闪烁体的制备。除医疗设备领域外，透明陶瓷闪烁体在国内外工业X-CT市场、在探伤、反恐、石油勘探、机场和港口安检等领域也具有很大的市场潜力。
江苏师范大学
2021-04-11
64086研体
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
椎体爬坡
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23