高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术,克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题,实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模,并结合第一性原理计算,给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据,解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学 2021-04-11
成分振荡金属氮化物涂层的制备方法
本发明属于表面工程技术的应用,具体是成分振荡金属氮化物涂层的制备方法,在等离子体偏压反溅清洗过的表面平整的基片上,以反应溅射工艺模式在基片表面沉积成分振荡金属氮化物涂层,沉积过程中,通过改变N2气与Ar气的分流量或分气压来控制溅射气体中N2气与Ar气的含量比,且N2气与Ar气的含量比变化曲线随涂层沉积时间呈现出周期性变化规律。本发明制得的涂层中N元素的含量比沿涂层生长方向的分布具有振荡特征;涂层是由多个亚层组成的多层结构,而每一亚层中N元素含量比的变化呈现梯度分布特征,该涂层具有梯度化与多层化的双重复合结构特征。
四川大学 2016-09-29
一种氮化硅微米管制造方法
本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法,该方法将去除保 护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在 300~600℃的温度区间内 热解,使光纤表面形成均匀厚度的碳膜;再将光纤在氮气条件下以 1100~1600℃的温度区间高温加热,使碳膜与光纤表面的二氧化硅产 生反应生成硅,然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉,形成中空的氮化硅微米管。该氮化 硅微米管与炭黑进行混合,使氮化硅微米管增强导电性,然后在其中 加入热熔型粘结剂形成混合物,再均匀涂在洗净的铜箔表面,可得到 氮化
华中科技大学 2021-04-14
用于宽温区水解制氢的镁钙基氢化物粉体及其制备方法
本发明所述用于水解制氢的镁钙基氢化物粉体,包括的组分及各组分的质量百分数为:Ca4Mg3H1414.2~50.2%,MgH234.8~85.7%,Mg0.1~15%,为提高水解产氢率,还复合有其它氢化物和∕或盐,其中其它氢化物的质量为组分Ca4Mg3H14、组分MgH2和组分Mg的质量的总和的0~5%,盐的质量为组分Ca4Mg3H14、组分MgH2和组分Mg的质量的总和的0~11%,其中,其它氢化物的含量、盐的含量不同时为0。上述镁钙基氢化物粉体的制备方法,是将镁钙合金破碎球磨后活化吸氢。本发明提供的用于水解制氢的镁钙基氢化物粉体,可在保证反应安全性和可控性的前提下提高产氢量,特别是提高室温和低温下的产氢量。
四川大学 2021-04-11
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/:发明授权 简介:本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法,其将纯度为 99.99%以上的金属镓原料溶解于酸中,配制澄清 的镓盐溶液,加入沉淀剂产生沉淀物,将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体;用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料,经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯,将生坯放在 高温炉
华中科技大学 2021-04-14
智能控温节能氧化钒(VO2)薄膜的制备
成果介绍智能控温薄膜可以实现高温下对红外线的反射和低温下对红外线的透射,是一种无需能源的智能空调。技术创新点及参数室温可用(20℃-40℃)节能减排(无需能源)满足了实时反馈的需求满足了温度控制的需求提出了在室温下实现智能变色的可能性
东南大学 2021-04-11
添加钙化提钒尾渣优化铬矿烧结工艺研究
成果描述:钙化焙烧提钒工艺产生的大量尾渣,不仅占据大量的堆积场地,浪费尾渣中的各种有价成分,同时其中所含的Cr、V离子还会对环境产生重大污染。对于钙化焙烧提钒尾渣的处理,虽然国内外的学者提出了很多方法,但都存在各自的局限性,而且研究的领域比较狭窄,尤其在铁合金方面的应用还处于起步阶段。因此,通过研究钙化焙烧提钒尾渣在改善铬铁矿烧结性能方面的应用,找到一种行之有效的处理尾渣的方法就显得非常重要,一方面可以节约资源,保护环境,另一方面有开拓了尾渣处理的一条新的道路。 本课题通过找到一种合适的钙化焙烧提钒尾渣应用于铬铁矿烧结的预处理方案,寻找提钒尾渣与铬铁矿配料的最佳配比,控制有利于改善铬铁烧结矿性能条件,达到钙化焙烧提钒尾渣在铬铁矿烧结中的有效利用。市场前景分析:目前钙化焙烧提钒尾渣资源化应用,主要是返回炼铁烧结、转炉炼钢造渣、转炉提钒冷却剂等钢铁流程资源化工业应用虽取得一定成功,但效果并不十分理想,为了拓展提钒尾渣资源化应用途径,采用铬矿烧结工艺处理提钒尾渣具有十分重要的现实意义。与同类成果相比的优势分析:(1)将钙化提钒尾渣配加到铬粉矿中,烧结矿成块效果明显。钙化提钒尾渣在铬粉矿烧结中起到了粘结剂的作用。添加钙化提钒尾渣,铬粉矿烧结温度由1350~1400℃降至1300~1350℃,节能效果明显。 (2)随着烧结温度升高,钙化提钒尾渣添加比例增加,烧结矿强度提高,具有良好的冶金性能。 (3)添加钙化提钒尾渣优化铬铁粉矿烧结,压块试样与散装试样比较,压块试样烧结效果更好;能有效降低铬铁粉矿烧结温度,当尾渣添加量为10%左右时,烧结温度进一步降至1250℃,烧结效果良好。
四川大学 2021-04-10
一种纳米级碳化钒粉末的制备方法
本发明提供了一种纳米级碳化钒粉末的制备方法。其特征是:以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料,按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中,并搅拌均匀,制得溶液。然后将该溶液加热、干燥,最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中,真空或气氛保护条件下,于800~950℃、30~60min条件下碳化得到平均粒径<100nm,粒度分布均匀的碳化钒粉末。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点,适合工业化生产纳米级碳化钒粉末。
四川大学 2021-04-11
高性能钒液流电池隔膜及其制备技术与应用
利用辐射技术研制电池的离子交换隔膜,最早从日本原子能研究所开始,出发点是代替Nafion的工艺,制备性价比更高的膜材料。电离辐射技术,特别是基于电子加速器的电子束辐射加工技术,不使用催化剂/引发剂,室温操作,高效快速, 适合大量生产。目前辐射加工技术已广泛应用于各种工业材料的生产,如电线、电缆、轮胎、发泡材料、热收缩材料等行业。本项目是在早期辐射接枝技术制备离子交换膜的基础上,在工艺体系中使用功能化离子液体代替含有阴阳离子一般离子交换功能基团,成功制备出具有更高耐热、化学稳定性、良好导电性、极为优异抗钒离子渗漏的两性离子交换膜(HUST-IL膜),并且在钒液流电池中的实际电池测试实验中电池效率优于Nafion系列膜。需要特别指出的是,本项目在制备工艺方面取得了重要突破,不需要一般阳离子交换膜中的磺化工艺,非常环保,并且在工艺上成功发展出替代传统固液接枝反应的工艺体系,避免了接枝反应的复杂工艺和质量控制问题;本项目的工艺技术,使电池隔膜的辐射制备工艺从传统的辐射接枝转变为辐射交联工艺,通过铺膜和固体膜辐照即可完成制备,与现有电线电缆片材的辐射交联工艺通用,工艺简单,极易量产和推广。 【技术优势】 (1) 本项目所得到的HUST-IL隔膜产品,其钒离子渗透率比Nafion膜(Nafion115,117)降低约1200倍,导电率提高3倍以上,电池效率实现了对Nafion膜的超越; (2) 在制备工艺方面的重要突破:不需要一般阳离子交换膜中的磺化工艺,非常环保,并且在工艺上成功发展出替代传统固液接枝反应的工艺体系,避免了接枝反应的复杂工艺和质量控制问题; (3) 本项目电池隔膜的辐射制备工艺从传统的辐射接枝转变为辐射交联工艺,通过铺膜和固体膜辐照即可完成制备,与现有电线电缆片材的辐射交联工艺通用,工艺简单,极易量产和推广。 【技术指标】 HUST-IL隔膜产品:钒离子渗透率比Nafion膜(Nafion115,117)降低约1200倍,导电率提高3倍以上,电池效率实现了对Nafion膜的超越。
华中科技大学 2023-07-19
新型环保粉体材料的研制开发及其在水处理中的应用技术研究
本项目所研制和应用的净水材料SPM是在消化吸收进口净水材料基础上,利用国产原料研制成功和应用的一种合金材料,经初步试验与核算SPM的性能达到引进产品的主要水质指标,但其售价仅为进口产品的50%~60%,因此由上海市科委立项,由上海芬迪超硬材料科技有限公司与华东理工大学资源与环境工程学院实行产学研结合,承担该项目并于2008年通过市科委组织的专家验收,并申请了国家发明专利。该项技术的先进性和技术特点: 1)去除自来水中的余氯效果良好,去除效率可高达90%以上; 2)去除水中有害金属离子如Pb、Hg、Cr、Cd等;3)抑制水中细菌和藻类繁殖,杀菌率也>?0%; 4)与活性炭和分离膜联用,可对活性炭和分离膜起到一定保护作用而延长其使用寿命,降低成本。在实验工厂实行批量生产,并应用于集团用、家用和全屋型饮用水净水机(器),以及居民社区分质供水的饮用水站。
华东理工大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 8 9 10
  • ...
  • 113 114 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1