项目简介： 移动通信、互联网、卫星定位系统等无线信息技术的迅速发展 ， 极大地改变了入类生活和工作方式，构成了现代社会的重要技术支点。微波介质陶瓷是用于微波通讯器件的关键核

基于陶瓷膜材料的连续膜反应器技术是化工产品生产过程的重要强化手段，是化学工业绿色化发展的重要举措之一，该工艺将催化反应与膜分离两个单位操作耦合到同一个系统中，实现超细催化剂与产品的原位分离，使生产过程连续化，可简化流程、节约成本、提高产品质量并减少环境污染。 该技术在石油化工、医药、农药、染料等众多行业的产品生产过程中具有广阔的应用前景，该技术有望取代离心、板框过滤以及金属管过滤等传统的催化剂分离技术，成为二十一世纪最有前途的化工工艺之一。 专利情况：已授权10项 成熟度：量产 合作方式：技术开发、技术服务、技术咨询 创新要点：将反应与分离两个相互独立的单元过程耦合为一个单元操作，生产过程中，反应物料连续不断地进入反应器，反应一定时间后，物料通过泵的作用进入膜组件，催化剂被膜截留并回到反应器继续参与反应，产品连续透过膜，通过进料流量与出料流量的控制，实现生产过程的连续平稳运行。 连续膜反应器技术中除了反应器，成套膜装备也是其核心构件。膜分离属于单元操作，通过膜组件的串并联，可实现处理量的增加，因此仅需通过膜数量的增加，即可增加生产规模。目前最大的膜反应器装备为20万吨/年己内酰胺生产用膜反应器，其膜面积为600平方米。膜反应器装备的投资依赖于膜面积的大小，其基本投资为1~1.5万/平方米。同传统生产工艺相比，连续膜反应器技术可显著增加生产规模，完全实现催化剂的循环使用，降低能耗20%以上。

自1998年成立以来，欧神诺陶瓷（股票代码：002798）一直专注于陶瓷研发设计、生产、销售服务等的创新与实践。　　欧神诺陶瓷在佛山、景德镇、广西三地建有近3000亩的现代化生产基地，拥有20条现代化生产线，业内领先的I&I大型建陶研发中心与配件加工中心，年产能超过1.1亿平方米。　　多年来，欧神诺在实验室陶瓷台面、通风柜陶瓷台面等特殊异型陶瓷领域的研发与生产一直领先于行业，凭借20多年来建陶科研的积淀以及雄厚的生产实力，欧神诺致力于以优质产品创造科学、安全、美观的高端实验室环境，并为全球实验室工程项目及品牌商提供生产与定制服务。

产品详细介绍品牌：久滨型号：JB-250A名称：陶瓷乳钵式微粉研磨机一、产品概述：　　JB-250A型陶瓷乳钵式微粉研磨机，主要用于替代国内生产中手工研磨或高等院校的物料研磨实验，可广泛用于化工、电子、制药、冶金等行业的超硬颗粒或微粉研磨，粉末细度可达纳米级，是一款高效节省人工的自动化研磨设备。二、技术参数：1、乳钵口径：250mm2、最大研磨量：300g/次3、研棒转速：120rpm4、研钵转速：10rpm5、研棒功率：60w6、研钵功率：40w7、研钵材质：高铝陶瓷8、研棒棒头材质：高铝陶瓷9、运行时间控制：自动设定10、长X宽X高：500*500*920mm11、重量：35kg12、电压：220V  50/60HZ三、适用条件：1、研磨颗粒要求：颗粒硬度没有限制，颗粒大小≤0.5mm；2、研磨方式：可干磨也可湿磨；

产品详细介绍BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉（箱式实验电炉)详细介绍 BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉炉体采用美国陶瓷纤维材料，此材料具有保温性能好（升到1000℃炉体表面温度只有60℃,国家标准是100℃）左右，重量轻的特点。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉加热丝采用全球最顶级瑞典康泰尔公司的合金材料。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉加热温度均匀、升温速度快，升到1000℃只要20分钟（化学行业非常适用），传统马弗炉需要80分钟左右，节能性能好，BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉是普通马弗炉能耗的40%左右，不掉粉尘、不掉渣不会影响做试验的效果。1.BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉采用美国高纯陶瓷纤维材料，保温耐火层共50mm2.BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉采用瑞典康泰尔电热元件，很少断裂；同样的电阻，均匀性完全不同。3.国际产品的质量，国内的价格4.先进的温度控制系统5.设有防止断电、故障停机后来电误启动功能,炉体表面超温断电保护、及多项安全防护措施防止意外发生,炉门设有可靠的开门断电开关，确保操作人员安全BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉可应用于高校、研究所常规实验室：用于进行对各种物理、化学材料、生物、电子等学科实验室的常规教学和试验研究。 如：（1）热加工、水泥、建材行业：进行小型工件的热加工或处理，例如加热小型精密陶瓷，新材料开发等；（2）医药行业：用于药品的检验、医学样品的预处理等。（3）分析化学行业：作为水质分析、环境分析等领域的样品处理。也可以用来进行石油及其分析。（4）煤质分析：用于测定水分、灰份、挥发份、灰熔点分析、灰成分分析、元素分析。也可以作为通用灰化炉使用。BA-4-10A陶瓷纤维马弗炉（箱式实验电炉)技术参数 1、工作室尺寸：300*200*120（7L）2、设计温度：1000℃3、控温精度：±1℃4、控温形式：PID智能控温仪5、升温速率：≥60℃6、传感器：镍铬—镍硅 分度号：K7、电源电压：AC-220V（二相）8、功率：4KW10、电流：12A11、加热元件：瑞典康泰尔电热元件

本发明提供一种新型韧性颗粒强化的铁基非晶基复合涂层，以 铁基非晶合金粉末和韧性金属粉末的机械复合粉末为原料，其中铁基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的杂质组成：Cr10.0-17.0； Mo12.0-20.0；B4.0-8.0；C10.0-18.0；Y0.0-5.0；Fe 余量（原子百分比）； 韧性金属粉末可以采用：不锈钢粉末、镍基金属粉末、钴基金属粉末、 铝基金属粉末或铜基合金粉末；该涂层采用超音速火焰喷涂技术制得。 本发明获得的铁基非晶基复合涂层结构致密，孔隙率低，具有较高的 韧性以及与金属基材良好的结合强度。该复合涂层水力及油气田开发 设施、管道运输、船舶甲板等诸多工业领域有着极大的应用前景

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。

本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备， 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子，加速 NH 键的断裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第 III 族氮化物膜层材料， 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底