一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。

小试阶段/n本发明解决六方氮化硼制备工艺复杂、生产周期长原料毒性大和不易规模化生产的技术问题。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。本发明处于待转化阶段，应用范围广阔，市场前景可观，预期经济效益优异。

目前传统消毒技术有诸多缺点：紫外消毒由于紫外光光谱会杀死健康细胞，对人眼和其他器官也是危险的，所以其灭菌场所不能有人进入，大大限制了其应用范围。传统的二氧化钛催化剂由于禁带宽度3.2ev，也只能受紫外光激发有效，大大限制了其应用；臭氧消毒易分解，其灭菌场所不能有人进入，对人眼和其他器 官具有危害；酒精、84消毒剂由于挥发不具有持续消毒能力，需要经常喷洒，另外存在着使用不当引起的火灾、中毒等风险。 课题组研发的氮化碳g-C3N4功能复合膜制备可解决述痛点，该项技术具有可提高膜的亲水性、提高膜的水通量、赋予膜光催化性能、赋予膜自清洁性能和抗菌性等特点。

本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰

成果介绍针对国防应用领域开放架构、服务化等应用需求，提出了一套基于DDS的SOA实现方案，并基于自主研发的DDS产品实现了相应的服务化集成框架，提供了在云计算环境下服务的注册、审核、查询、生命周期管理和动态监控等功能，基于DDS实现了高性能和多QoS支持的通信机制。基于该框架的服务可同时对外提供RPC（请求/应答）接口和DDS（发布/订阅）接口，适用于军工领域广泛而复杂的应用场景。技术创新点及参数在分布式应用系统中，随着应用规模和复杂度的不断扩大,传统基于组件的系统开发模式因缺乏有效的应用资源共享和系统管理途径，导致应用功能重复开发、系统运维低效等问题越来越突出。基于面向服务架构（SOA）理念的软件实现技术，如Web Service等虽然具备简单性、灵活性、复用性、功能和技术解耦合等特点，但无法满足军工等特定领域内分布式实时系统高实时性、可靠性等特殊应用需求，对面向业务的应用开发也缺乏支撑。针对上述问题，项目提出了一套基于DDS的SOA实现方案，并基于自主研发的DDS产品实现了相应的服务化集成框架，为分布式实时应用系统提供了通用的服务集成与管理的解决方案，实现了应用资源的共享和重用。项目的主要特点有： 基于SOA提出了一个通用的服务模型，抽象了基于DDS通信的服务接口，服务可同时对外提供请求/应答（RPC）和发布/订阅两类接口。根据提出的服务模型设计了一套基于XML+IDL的服务描述语言，方便形式化地定义和描述服务。 基于自主研发的DDS通信中间件系统，遵循OMG组织的RPC over DDS规范，在DDS发布/订阅机制的基础上提供了RPC机制，使得服务可同时对外提供RPC（请求/应答）接口和DDS（发布/订阅）接口，适用于军工领域广泛而复杂的应用场景。 该服务集成框架实现了SOA架构，提供了服务的注册、部署、查询、激活、监控等功能。通过增加系统管理员角色，在服务注册过程增加了服务审核和权限分配环节，提高了系统级控制和管理能力；提出并实现了服务容器的概念，用于统一管理计算节点上服务的生命周期，使得系统既可以运行于传统的物理计算节点上，也可以在部署于云计算环境中的虚拟计算节点上；支持灵活的服务部署和动态更新机制，通过建立服务文件目录实现了多版本服务信息管理，通过服务引用（Service Reference）实现了对服务消费者透明的服务动态切换，便于服务的在线更新；通过制定标准的服务管理接口实现了服务运行时监控，此外，还提供了业务数据监控接口，用于灵活监控业务相关状态。 服务集成框架还提供了统一的信息模型管理维护功能，并实现了从IDL编译器到服务编排工具的一系列开发工具，支持上层服务化应用的快速构建。

集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点，用户可以根据需要，自己编写测试程序，完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。

集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器，由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V，最大电流测试能力是±2A。集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号，可以与生产现场的分选设备配合使用，完成集成电路的自动测试和分选工作，1小时可以测试上千只芯片。

该成果在《重庆两江新区美丽山水专项规划》进行了规划应用，在重庆江北 区的流域海绵城市规划、重庆合川区水生态文明城市规划、小安溪流域治理、重 庆万州区水系水环境总体规划、重庆北部新区肖家河流域、盘溪河流域的治理中 进行了推广应用，成果扩大环境保护行业的社会认知水平，带动和促进行业全面 技术进步，全面促进海绵城市的建设，为实现两江新区海绵城市试点城区的建设 提供技术支撑，为两江新区跨越式发展提供基础条件，带来的社会效益巨大；山 地城市海绵城市建设、面源污染治理及雨污水利用和城区湖库水体修复的市场需 求上具有很强的实用性和先进性优势，同时在研究成果与示范应用基础上进一步 的提炼形成，提高了技术的应用性和社会影响，对山地海绵城市的建设具有较高 的指导意义，将取得较显著的经济收益和社会效益。

IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是在晶闸管（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）基础上发展起来的一种大功率半导体开关器件。 IGCT由门极换流晶闸管GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成门极驱动单元共同组成。由于集成门极驱动单元承担了所有驱动、控制和保护的任务，使用者只需要提供电源和光纤控制信号，就可以简单地实现对IGCT器件开通关断的控制。 北京交通大学电气工程学院自2004年开始开展IGCT集成门极驱动技术的研究，成功研制了4000A/4500V不对称型和1100A/4500V逆导型IGCT器件集成门极驱动单元，在国内率先掌握相关核心技术并完成了产品的试验测试，已申请相关专利5项，拥有IGCT集成门极驱动技术的完全自主知识产权。在科技部科技支撑计划项目的支持下，北京交通大学电气工程学院正与国内多家企业合作，积极开展国产IGCT器件应用技术的研究，共同推进自主大功率电力电子器件的产业化进程。 IGCT与IGBT性能对比低压IGBT高压IGBTIGCT器件性能功率等级通过串并联才能满足MW级装置的要求通过串并联才能满足MW级装置的要求无需串并联就可应用于MW级装置导通损耗导通损耗较低导通损耗较大导通损耗最低开关损耗开关损耗较低开关损耗较大开关损耗较低开关频率开关频率最高较高较高吸收电路不需要吸收电路，但器件串联对驱动电路的要求较高不需要吸收电路，但器件串联对驱动电路的要求较高无需吸收电路驱动电路需单独设计、安装驱动电路需单独设计、安装驱动电路集成的门极驱动单元主电路保护及可靠性需要另外设计复杂的保护电路需要另外设计复杂的保护电路安全、无故障器件数目多中等最少结构器件数目较多，系统结构复杂结构比较紧凑结构非常紧凑接线复杂的布线和连接中等复杂的布线和连接非常简洁的布线和连接   在科技支撑计划“分布式功能系统高压变流器与软开关技术”项目支持下，采用国产IGCT器件研制3MW高压风力发电并网变流器。

在有机化工、精细化工、医药、农药、染料、印染、染整、印刷、清洗、电子、聚合物等 许多工业领域广泛使用酯类、酮类、醚类、烷烃类溶剂，但目前大多数企业溶剂回收不充分， 大量的溶剂进入废水、废气中，导致环境污染，同时能耗高，宝贵的原料和能量浪费很大。 本技术开发了具有国际先进水平的集成分离回收溶剂技术，溶剂回收充分，能耗低，经济 效益好、三废排放大幅度减少