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新型存储器件及集成研究
已有样品/n面向存储器领域国际发展前沿和国家重大需求，长期紧密合作，系统深入研究了新型存储器机理、器件材料与结构体系、性能调控规律、可靠性表征和集成技术。取得了局域氧化还原主导的阻变模型、阻变存储器三维集成、电荷俘获存储器材料和结构体系优化及可靠性表征等系列原创性科技成果，获得了国内外同行的广泛引用和高度评价。获得了具有自主产权的新型存储器件及集成解决方案，主要发明专利和技术研究成果转移到国内知名集成电路制造企业。
中国科学院大学
2021-01-12
高迁移率沟道MOS 器件
已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中国科学院大学
2021-01-12
高速光收发器件与模块
可以量产/n该项目带宽宽，可以覆盖Ku以下所有频段，并向Ka频段发展；线性度高，模拟通信不失真；动态范围大，激光输出功率高，相对强度噪声低。可靠性高，全金属化耦合焊接，提高了可靠性和寿命。市场预期：该项目产品主要应用领域是通信，目前国内市场需求大于300亿人民币。随着国家宽带战略的实施和物联网的发展，未来5-10年将以大于30%/年的速度递增。到2020年将大于1000亿元人民币。
中国科学院大学
2021-01-12
CdZnTe高能射线探测材料与器件
内容介绍： 本项目围绕探测器用CdZnTe晶体的制备与开发应用，釆用改进的垂直 布里奇曼技术，通过合理设计成分以及选择合适的掺杂元素和掺杂量，探 索了优化的晶体生长和退火改性工艺，生长出满足探测器要求的高性能 CdZnTe晶体。围绕对X射线和y射线等不同能量射线检测及应用的要求， 解决了探测器用CdZnTe晶体的磨抛加工、表面处理以及接触电极的制备难 题，建立了探测器用CdZnTe晶片的筛选机制和生产线
西北工业大学
2021-04-14
一种微环波导器件
本发明公开了一种微环波导器件，包括微环谐振腔、直波导、第一支架、第二支架和衬底；其中，第一支架用于支撑直波导，第二支架用于支撑微环谐振腔，以使微环谐振腔与直波导悬空；微环谐振腔与直波导相互耦合；外部注入的光场通过直波导耦合进入微环谐振腔中，满足微环谐振条件的光场在微环谐振腔中激发出声场，通过悬空的微环谐振腔将产生的声场限制在微环谐振腔中进行传输，进而产生前向布里渊效应；本发明提供的这种悬空的微环波导器件具有布里
华中科技大学
2021-04-14
微纳米光纤及其相关新型器件
微纳米光纤，具有一系列独特的优点：大的消逝场；高的非线性，极低的损耗；容易弯曲成环等不同的几何形状。我校在本应用领域主要研究选择合适的光纤材料和介质棒材料，探讨微纳光纤在生物、通信、传感和激光等领域的应用：优化微纳光纤探针的设计，制备低成本的超短的极低损耗的微纳光纤探针用于低功率粒子捕获；制备基于单环谐振器的传感器；制备基于多环谐振器的应用型器件如高灵敏度微传感器或者可调谐器件等，探讨其它新型的应用。理论上主要研究微纳光纤谐振器的线性和非线性特性，对
南京大学
2021-04-14
智能型制冷控制器件
1：电子式压力控制器 内容：专用于按压力信号对制冷系统实施的各种控制。（1）电子式数字显示，数字设定（2）微电脑控制器（3）可以对压缩机进行运行，保护及调节方面的控制，如：压缩机正常启、停控制，高低压力保护，油路控制，压缩机制冷能力的程度控制（4）适用于各种制冷剂，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）针对
西安交通大学
2021-01-12
一种基于氮化钛的新型纳米结构光阴极
发明公开了一种基于氮化钛材料的新型纳米结构光阴极；所述氮化钛光阴极包括衬底、氮化钛纳米结构层；还涉及了该型氮化钛光阴极的制备方法，及其电场辅助型光阴极测试装置，所述电场辅助型光阴极包括绝缘垫片、金属薄板阳极、上／下电极导线、外加偏压电源。本设计中核心的氮化钛纳米结构具有表面等离激元共振效应，会带来光子吸收增强和局域电场增强，且材料功函数仅约为３．７ｅＶ和导电性优良，有助于光致电子的发射；通过设计氮化钛结构的组成纳米图形和结构参数，可获得与入射激励光波相匹配的等离激元共振，实现可光调控的电子发射。因所述氮化钛材料还具有稳定的物化性质，从而本发明提供了一种可作为稳定、高效率的光阴极。
东南大学
2021-04-11
基于反应热风险特性的重氮化工艺优化
本研究基于重氮工艺反应热危险性，利用先进的热分析设备（反应量热仪RC1、绝热量热仪ARC、差示扫描量热仪DSC）对重氮工艺进行分析，通过测量获得重氮工艺的目标工艺温度、失控后体系能够达到的最高温度、失控体系最大反应速率到达时间为24小时对应的温度、技术最高温度等数据，改进工艺参数，降低工艺的热危险性，防止失控反应，提高化工工艺的本质安全性。
南京工业大学
2021-01-12
GaN 基高压 LED
可以量产/n高压LED是多个LED单元的芯片级串联，互连比多个小功率管芯打线互连更为可靠；且LED单元之间间距很小，光线集中，便于光学设计，可用于高光密度照明，路灯、广场照明和舞台聚光照明等。几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压能耗小，驱动设计简单，可用于各种市电照明场合，例如室内照明、园区和工作场所照明等；高压LED能减小驱动电路、光学设计和散热部分的体积，因此 可采用多种灯具形式和适用多种安装场合。
中国科学院大学
2021-01-12