南京第四分析仪器有限公司前身南京第四分析仪器厂，创建于1976年，是国内金属高速分析仪器的首创厂家，中国非接触式引弧电弧炉的创始者，电弧燃烧法检测碳硫的标准起草单位，是集化学、光学、电子、机械多学科为一体、铁道部扶持、冶金部钢铁研究总院和江苏省机械工业厅专业生产高速分析仪器的技术密集型推广企业，也是代表高速分析学科领域的江苏省分析测试协会的会员单位，山东省铸造协会、浙江省铸造协会、精铸协会会员及华东地区铸造协会会员单位，中国质量诚信企业会员单位、江苏质量诚信AAA级品牌企业，ISO9001:2000国际质量管理体系认证企业，东南大学数字化分析仪器研发中心、东南大学教学科研实验基地。 “四分”公司系自行设计制造高速分析仪器的专业化公司。历年来，公司凭借悠久的生产历史，雄厚的技术力量，精良的加工设备，先进的生产工艺，高精度的检测手段，以一贯奉行“诚信待客、以人为本、科技兴企、勇于创新”的企业经营理念，外抓市场，内挖潜力，严格按照《公司法》，依照 ISO9000质量体系标准运行，不断开发生产性能卓越、质量上乘、具有国内先进水平的高速分析仪器。其产品广泛应用于冶金、铸造、采矿、建筑、机械、电子、环保、卫生、化工、电力、技术监督等部门，可检测钢、铁及铁合金、铝合金等多种材料中各种化学成份的含量，如碳、硫、锰、磷、硅、铬、铜、镍、钼、钛、钒、稀土总量、镁、钨、钴、硼、铁等元素的测定，与传统法比较，其速度和精度已有了极大提高，常规的炉前控制元素检测速度达到了“读秒”水准。

北京东工联华科学仪器设备有限公司主要是从事设备故障诊断及设备检测仪器研究开发与生产销售的专业公司。公司创建于20世纪末，至今已发展成为集环境试验研究、开发、生产一体化的综合性民营企业。我们提供按GB、IEC、MIL、DIN等标准相对应的技术参数制作的各类气候环境试验设备，这些试验设备均已通过国家环境质量监督检测中心检测合格。此外，我们可根据用户的需求进行设计、制造各类非标环境试验设备。产品已广泛应用于科研、电子、电工、军事、航空、船舶、邮电通信、汽车等企事业单位。 本着质量为根、服务为本、诚信当先、利益共赢的经营宗旨 ，我们密切关注国内外最新科技动态，合理采用国内外高新技术，不断拓展先进实用的产品。公司引进了日本先进的加工设备和精湛的工艺。我们拥有一批经过严格培训、经验丰富、技术精湛的工程技术人员，同时，我们按照ISO9001：2000标准建立质量保证管理体系。东工联华将以雄厚的技术实力、严格的管理体系和良好、完善的售后服务满足广大客户的需求。我们力图实现客户利益、员工价值和社会效益的完美统一，真诚为广大客户提供一流的设备及一流的服务。我们承诺：免费提供一年设备保养，并提供终身维护；免费提供全方位技术指导；选型中提供完善的技术支持，提供免费技术培训。  公司立足长远，以"环境试验"为研究课题，现与深圳市安姆特测试技术有限公司建立良好合作关系。诚信、公正、严谨、独立的AOV是工业产品与消费用品检验、测试与验证的专业机构，已建成一定规模的理化、生物检测实验室和EMC&SAFETY检测实验室。已取得TUV、CIC的EMC授权；TUV、UL的SAFETY授权。欢迎广大用户自带样本前来检测...  

公司经营范围：教学及实验室仪器、设备制造、销售、安装；市政公用工程施工(不含行政许可项目)。

泰州市永创教学仪器有限公司，现属股份制企业，属中国教学仪器设备行业协会会员。会员编码：32108205 本公司是一家集科研，开发，生产制造，经营销售于一体的经济实体。目前，新开发的学生示波器，教学示波器，双踪教学示波器等品种，已经通过省技术测试研究所检测。并取得良好的社会效益，尤其是学生示波器在二00二，二00三年度，已连续二年占全国所销售的学生示波器总数的1/3之多比例。 企业员工以科技人员为主，中级以上职称人员占企业总人数的25%，雄厚的技术后盾，使我们的产品不断更新，永远创造辉煌，创造奇迹是我们永创人的宗旨，力争做教学仪器行业的领头羊，是我们的目标。企业本着高质量，低成本，较高性价比的优势全面推向市场。以“质量第一，顾客满意，强化管理，团结敬业”的质量方针，“好，快，多，省，的经营原则。全面推行质量管理，深化企业改革。以快捷的供货方式，完善的售后服务体系，使更多质优价廉的教仪产品走向每一个学校，为教育事业作出我们微不足道的贡献。

产品特点： 可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线，以及I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线，R-H特性——固定温度，电阻随着磁场变化的特性曲线，R-T特性——固定磁场，电阻随着温度变化的特性曲线。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器 产品功能： 1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准 2·电阻测量范围宽：100nΩ（低电阻选件）～ 100GΩ（高阻系统）； 3·使用插入式样品卡，样品安装方便，同时提供四探针卡，免去制作电极的麻烦 4·标准系统一次可以同时测量2个样品，增加选件可同时测量4个样品； 5·测量和计算过程由软件自动执行，3分钟即可得到一个霍尔效应数据； 6·提供长时间高稳定性的磁场，24小时稳定性<±0.5G，并且磁场能够平滑过零 7·电磁铁电源内置高斯计，磁场从0到1kG只需20S即可控制在0.1G以内； 8·选择温度选件，可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 全自动化电输运性质测试系统磁阻测试仪器    

主要作了以下几方面探索： 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面，长期从事纳米光电器件的研究与开发，已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件，测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次；发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中，观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用，并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内，使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布，进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰，这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象，是自旋相关的界面散射的实验证据；另外，我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化，其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应，这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次，利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测，观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况，为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应，导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论，我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷，由此形成强钉扎中心，使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次，通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析，观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼