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大功率半导体激光器外延与芯片制备
成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、
北京工业大学
2021-04-14
一种双波长可调谐半导体激光器
本发明公开了一种双波长可调谐半导体激光器，该激光器包括 有源区、相位区和光栅区；从下往上依次附着有第一缓冲层、有源层 和第一覆盖层，第一缓冲层、有源层和第一覆盖层构成了有源区；从 下往上依次附着有第二缓冲层、波导层和第二覆盖层，第二缓冲层、 波导层和第二覆盖层构成了相位区；从下往上依次附着有第三缓冲层、 光栅层和第三覆盖层，第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层构成了相位 区；在第一覆盖层的上表面设有第一电极，在第二覆盖层的
华中科技大学
2021-04-14
一种并联型的发电机出口断路器
本发明公开了一种并联型的发电机出口断路器，包括载流回路 以及与载流回路并联连接的开断回路；当发生短路故障时，载流回路 快速动作形成燃弧断口，利用断口电弧电压将故障电流转移至开断回 路，并由开断回路直接开断故障电流或快速限流后实现故障电流的开 断。本发明中载流回路包括具有数十微欧导通阻抗的负荷开关单元， 能保证 90％以上系统额定电流通过该单元，减少额定工况下 GCB 装 置上的热损耗；同时，载流回路具有快速动作能力，一般可选取在故 障发生后 2 个工频周波内分断至满开距；载流回路可以保证触头打开 后
华中科技大学
2021-04-14
一种基于微环谐振器的时域隐身装置
本发明公开了一种基于微环谐振器的时域隐身装置，包括依次 连接的光频率梳发生器、微环谐振器、单模光纤、马赫曾德尔调制器 和色散补偿光纤，与微环谐振器连接的任意波形发生器以及与马赫曾 德尔调制器连接的码流发生器；马赫增德尔调制器利用调制电信号对 形成了时间缺口的光信号进行调制并输出已调光信号，已调光信号经 过所述色散补偿光纤缝合时间缺口并恢复光信号，在时域上实现了对 信号的隐身。本发明采用的微环谐振器相较于时间分割棱镜来
华中科技大学
2021-04-14
一种基于自适应陷波器的电流谐波补偿系统
本发明公开了一种基于自适应陷波器的电流谐波补偿方法及系统，所述方法包括：（1）根据转速信号θ和指定的谐波次数 n，生成与指定谐波同频的正弦信号 sin(n•θ)和余弦信号 cos(n•θ)；（2）根据最小均方误差算法调整正弦信号的权值ω<sub>1,k</sub>和余弦信号的权值ω<sub>2,k</sub>，使得输入电流分量与正弦信号 sin(n•θ)和余弦信号 cos(n•θ)的加权和ε的差值具有最小均方误差；（3）从输入电流分量减去正弦信号 si
华中科技大学
2021-04-14
一种基于微位移测量的电流传感器
本发明公开了一种基于微位移测量的电流传感器及其制作方法， 包括磁致伸缩反射面和光纤。其中制作方法包括以下步骤：选取长方 形的金属玻璃(metglass)并进行清洗；在 metglass 上、下表面各溅射一 层一定厚度的磁致伸缩薄膜；在 metglass 下表面溅射一层一定厚度的 高反膜；在 metglass 下表面两端用环氧树脂各粘贴一个非磁性金属块； 在两个非磁性金属块的另一端用环氧树脂粘贴一块正中带有通孔的非 磁性金属板；将光纤通过一个非磁性金属管，再将它们通过非磁性金 属板的孔，使光纤端面与高
华中科技大学
2021-04-14
一种高功率大带宽锗硅光电探测器
本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是 模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其 特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个 锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和 功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片 外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提 升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构
华中科技大学
2021-04-14
基于浏览器的业务系统开发支持平台WebBOS
基于浏览器的业务系统开发支持平台WebBOS WebBOS是南京大学地理信息系统与遥感实验室研发的基于B/S体系结构的业务系统开发支持平台，集成了Web-Workflow子系统、Web-GIS子系统、Web报表分析子系统、Web多媒体子系统以及办公自动化子系统的功能。 WebB
南京大学
2021-04-14
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、ＡｌＮ中间层、非掺杂ＡｌＧａＮ缓冲层、ｎ型ＡｌＧａＮ层、非极性ＡｌｘＧａ１?ｘＮ／ＡｌｙＧａ１?ｙＮ多量子阱吸收分离层、非掺杂ＡｌｚＧａ１?ｚＮ倍增层、ｐ型ＡｌＧａＮ层，在ｐ型ＡｌＧａＮ层上设置的ｐ型欧姆电极，在ｎ型ＡｌＧａＮ层上设置的ｎ型欧姆电极，其中０（ｘ（ｙ（ｚ（１。本
东南大学
2021-04-14
一种直流降压变换器复合电流约束控制方法
本发明公开了一种直流降压变换器的复合电流约束控制方法，包括步骤：分别以直流降压变换器的电容电压、电感电流为状态量，建立直流降压变换器标称系统的状态空间平均模型；建立基准电流约束控制器；根据直流降压变换器系统的参数摄动、输入电压波动及负载突变扰动，建立直流降压变换器受扰状态平均模型；构造广义比例积分观测器，并获得时变扰动估计值；引入所述基准电流约束控制
东南大学
2021-04-14