本发明公开一种时空可变流场下飞行器的球面轨道编队跟踪控制方法，飞行器的动态是球坐标系中表示的非完整动力学方程并且已知流场是随着时间和空间变化的，所述方法包括如下步骤：a)用弗莱纳公式表示以球坐标系下的飞行器动力学方程；b)计算球面跟踪误差、轨道跟踪误差以及横向编队误差；c)设计期望的横摆角速度、倾侧角速度以及线加速度，使得误差达到设计要求的同时保障飞行器不运动到南北极的连线；d)设计横摆角和倾侧角加速度使得实际的横摆和倾侧角速度达到期望值。此种方法简单可靠、精度较高，适应于任意已知时空可变流场中的协作监测等复杂任务。

研究小组首先利用激光分子束外延技术生长了具有原子级别平整度的反铁磁Cr2O3薄膜，是电荷的绝缘体。采用非局域自旋输运的技术，用热方法在铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、产生自旋压，在另外一个铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运（图A）。实验数据显示在低温下自旋输信号出现饱和现象，对应着自旋导的饱和，也就是零自旋阻效应；即自旋超流基态的最重要基本性质之一（图B）。在此基础上，该研究小组又系统研究了不同自旋输运距离下自旋超流的输运现象，证明了自旋在该自旋超流基态可以进行长距离的输运，并且其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致（图C）。该工作是是自旋超导态领域研究的一项重大突破，势必推动自旋超导态的快速发展，为研究基于自旋玻色子的玻色爱因斯坦凝聚的基础物理研究提供了实验平台，并为新型量子自旋器件，如自旋流约瑟夫森结等，奠定了实验基础。图：自旋超流基态的重要实验证据。（A）非局域自旋输运测量示意图。用热方法在左边铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右边铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运。（B）自低温下自旋输信号出现饱和现象，反映出自旋超流基态的零自旋阻效应。（C）自旋信号随其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致。

该装置工作原理不同于已有产品，具有推流和曝气双重作用，利用叶轮的高速旋转，在叶轮前端形成一定负压吸入空气，形成汽水混合物后在叶轮的强大推力下喷出，采用旋转蜗壳喷水装置，涡壳在水流反作用力下可以做 360 度旋转，极大地提高曝气面积。该装置的特点是：使用独特的高效无堵塞推流曝气叶轮，提高了效率；采用水力自旋转蜗壳喷水装置，提高了服务面积；结构紧凑，安装维护方便。

挑流-射流联合消能系统利用下泄的高速水流冲击溢流堰上叶轮转动，通过变速器加速发电机旋转发电，为置于水垫塘中的增压泵供电，增压泵的矩形出水口向上喷射出的面状水流与溢流坝面挑射后下泄的面状水流在空中碰撞消能，冲击叶轮过程进行底坎消能，在完成底坎消能和对冲消能后，余能将在水垫塘得到进一下的消减。

产品详细介绍高压反应釜、不锈钢反应釜---树脂合成制备系统1 使用范围用于不饱和聚酯树脂及其他高分子树脂的合成制备与中试研究2 执行标准 GB150-1998 钢制压力容器HG/T 20592-94 机械搅拌设备HG 20592～20635-97 钢制管法兰、垫片、紧固件HG/T 20546-2009 化工装置设备布置设计规定3 中试50L高压反应釜树脂合成制备系统规格3.1 设备规格型号50L高压反应釜树脂合成制备系统及辅助设备3.2 设备外观尺寸50L高压反应釜树脂合成制备系外观设计尺寸见各自分设备尺寸4 中试50L高压反应釜树脂合成制备系统的主要配置及技术参数 4.1 不锈钢反应釜及其系统4.1.1高压反应釜(1)材质：304不锈钢材质，内外抛光；50L容积；厚度不少于6mm；(2)工作温度范围：-20℃~300℃；(3)夹套可以承受的温差：≥60℃；(4)高压反应釜正常工作压力范围：–2MPa ～ 5MPa；(5)零死角底放料阀，釜体需设计取样口；(6)釜体口与釜盖连接处凹槽“O”型圈式设计，使高压反应釜体系统具有良好的密封性，能满足系统的真空度要求。(7)侧接口：采用不锈钢法兰密封，保证整个导热系统的导热介质大流量充分循环。(8)标准高压反应釜盖，有可视窗口，开口设计不少于5个。(9)配备立式分馏柱、立式冷凝柱、卧式冷凝器、馏分储罐(带视镜)。4.1.2常压掺合不锈钢反应釜(1)材质：304不锈钢材质；内外抛光；100L容积；厚度≥6mm；(2)工作温度范围：-20℃~300℃。(3)掺合不锈钢釜压力工作范围：常压。(4)零死角底放料阀。(5)标准不锈钢反应釜盖，有可视窗口，有投料口，釜内预留温度传感器接口(掺合釜夹套内通循环水，温度无需监控)。4.1.3搅拌系统搅拌电机功率范围：0.4KW≤功率≤1.2KW；最大转速为120 r/min，配备变频器。搅拌方式的设计需满足充分搅拌反应物料(无死角)的要求。4.1.4搅拌密封系统套管式密封搅拌系统，PTFE或更高材质密封，可根据情况选配机械封。要求整体密封性达到真空度小于2000Pa。4.1.5进料系统恒压滴定漏斗或负压进料，两釜体通过管路密封相连。4.1.6减压蒸馏系统冷凝回流柱，配减压蒸馏系统。4.1.7支架系统凳式支架或根据具体需求确定。整个系统拆卸与安装要求方便。4.2 高精度温控系统(1)全封闭温控系统，控制温度范围：-20~300℃；(2)控温精度稳定性在：±0.1℃，精确控制高压反应釜体温度，配备液晶屏显示器，显示设定温度、夹套温度及实际反应温度，并可显示三者的温度曲线；(3)可设定釜体和夹套的最大温差，防止温度差过大引发的爆裂；(4)可编程控温，保存并随时调出使用，方便快捷；(5)如遇突发放热现象，超过机器设定值，加热功能停止。

中国发明专利ZL2023104389499：采用高内相乳液模板法制备20-100微米的聚丙烯酸酯实心或多孔微球，可应用于吸附剂、药物香精载体或粉末涂料；制备简便、绿色环保且产率较高，基本无排放。

DB-3WJ远红外微晶电热板特点 ●外壳采用优质冷轧钢板经钣金制造而成，表面喷涂工艺处理●表面采用进口微晶玻璃板制成，大大提高了防腐功能，可防止明火直烤●具有无明火、无粉尘、升温快、温度均匀性高和安全可靠等特点 DB-3WJ远红外微晶电热板参数

浙江大学聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发，攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 如何通过超洁净流控技术降低流控污染，减少曝光缺陷，提升曝光良率，是国产高端半导体制造装备研制面临的重大挑战，直接关乎整机产品的产线应用性能与市场竞争力。此外，作为各类半导体制造装备的共性核心零部件，超洁净流控部件市场被美国、日本等国垄断，使我国半导体制造装备产业面临核心零部件“卡脖子”风险。浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室启尔团队所承担的高端半导体制造装备核心分系统之一的超洁净流控系统，自2004年以来在国家863计划和国家02专项支持，聚焦超洁净流控系统基础研究、技术攻关和产品研发，攻克了影响光刻分辨率、良品率与产率的1mk级温度测控、5ppt级金属离子测控、20μm级气泡测控、50nm级残留液膜测控等关键核心技术，完成了超洁净流控系统九大组件的研制和集成测试，为半导体制造设备扫描速度与产能的提高提供基础理论与方法依据，同时自主研发的半导体机台核心超洁净流控零部件实现了产品化，突破了国外技术的封锁，为我国半导体制造的发展与自主创新提供了基础支撑。

本发明为用于微形貌测量的磁悬浮触针式位移传感器。包括测量探头、探头支承座、读数传感器、信号处理控制装置。其中触针安装在悬浮式探杆下端，探杆为磁体，探杆设置在探头支承座内并与探头支承座间留有间隙，探头支承座为电磁铁。读数传感器与测量探头对应。设置有信号处理控制装置分别与读数传感器及探头支承座连接。本发明利用磁悬浮支承座和探杆间的磁力作用将探杆和触针悬浮，彻底改变了传统的机械固定接触式探杆安装方法，保证探杆和触针的高顺应性，使探杆只能在垂直于工件表面方向作直线运动，从本质抛掉了传统传感器的非线性误差，大大提高测量精度，扩大了传感器的测量范围，适应了精密加工技术的发展，更好地满足工业测量需要。