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一种静电激发袋式除尘器的脉冲清灰性能数学建模方法
本发明公开了一种静电激发袋式除尘器的脉冲清灰性能数学建模方法，涉及一种新型的以压力损失 系数（pressure?reduction?factor,?[PRF]）为核心的非稳态轴对称数学模型，通过试验测试数据与数值模 拟计算相结合的方法对在静电激发条件下动态脉冲清灰过程进行影响因素简化，确定清灰周期与 PRF、 压力损失、滤袋静压与脉冲压力等清灰定性参数之间的关系。克服了仅通过有限的测试数据与影响因素 考虑不周所致的清灰性能分析的局限性，描述了在静电激发条件下影响因素更趋复杂的动态清灰过程。
武汉大学
2021-04-13
一种多谱段遥感图像实时解压缩器的控制方法
本发明公开了一种多谱段遥感图像实时解压缩器的控制方法，实时解压缩器包括解压缩处理单元和控制模块，解压缩处理单元包括多个解压缩处理板；控制模块通过 PCIE 接口与各个解压缩处理板连接，控制模块通过网口与格式化器连接；包括 S1：采用并行的方式接收卫星下发的多谱段遥感压缩码流；S2：采用并行的方式对多谱段遥感压缩码流进行解压缩处理；S3：采用并行的方式将解压后的多谱段遥感图像输出发送。本发明采用多路并行多线程处理，提高
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的带宽可调的滤波电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的带宽可调的低通滤波电路及其 操作方法，该电路由包含忆阻器的一阶有源低通滤波电路以及忆阻器 的编程电路构成。本发明利用忆阻器的阈值电压特性，将忆阻器的工 作模式划分为模拟工作模式和编程工作模式，通过改变忆阻器的阻值 改变滤波电路的带宽。编程电路由忆阻器、四个 NMOS 管以及四个 PMOS 管构成，一阶有源滤波电路则由忆阻器、电容以及运算放大器 构成。本发明还公开了一种基于忆阻器的带宽可调的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法， 电路包括编码电路和检索电路；编码电路可以根据事件本身及其相关 特征对事件进行编码并存储于电路中，通过擦除信号对已存信息进行 擦除，并将产生的记忆痕迹信号作为下级电路的输入信号；检索电路 能够将记忆痕迹信号和检索信号相互匹配进而产生相应的情景记忆行 为；本发明可以根据施加的相关脉冲操作，模拟生物的情景记忆行为。 完成人：缪向水、许磊、李祎、段念
华中科技大学
2021-04-14
一种基于回流焊的光纤光栅磁传感器的制备方法
本发明公开了一种基于回流焊的光纤光栅磁传感器的制备方法， 该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的硅片并进行超声清洗；2) 用磁控溅射的方法在硅片上溅射一层一定厚度的磁致伸缩薄膜；3)选 取可以在高温条件下使用的光纤光栅并进行超声清洗；4)用磁控溅射 的方法在光纤光栅上溅射一层一定厚度的金属薄膜；5)将镀了金属薄 膜的光纤光栅固定在磁致伸缩薄膜上；6)采用回流焊的方法，将镀了 金属薄膜的光纤光栅焊接在磁致伸缩薄膜上，
华中科技大学
2021-04-14
基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器和制备方法
本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中
华中科技大学
2021-04-14
基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器和制备方法
本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中
华中科技大学
2021-04-14
一种带串联校正的 PI 控制器的参数整定方法
本发明公开了一种带串联校正的 PI 控制器的参数整定方法，该 方法以 PI 控制器为主控制器，串联超前滞后校正器进行串联校正，首 先，辨识出当前被控对象的频域模型，接着，依据期望幅值裕度、期 望相位裕度、期望最大超前角和被控对象的开环频率响应，将 PI 控制 器及超前滞后校正器的参数转换为以系统开环截止频率为自变量的一 元函数，在给定的约束下，优选使 PI 控制器积分增益最大化的系统开 环截止频率，最后，计算
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14
一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方法
本发明公开了一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方 法，该断路器包括机械开关单元、电流转换单元、电容缓冲单元和机 械开关供能单元。机械开关单元由至少一个机械开关子单元串联构成， 机械开关子单元由机械开关、均压模块和吸能限压模块并联构成；电 流转换单元由电力电子开关模块和限压模块并联构成，电力电子开关 模块包括至少一个电力电子器件；电容缓冲单元由电容器组构成，为 故障电流提供换流缓冲支路；机械开关供能单元为机械开关提供电能， 保证其动作的快速性和协同性。本发明提供的电容缓冲式混合高压直 流断路器及
华中科技大学
2021-04-14