本发明公开了一种面向芯片级器件的焊点制备装置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上设置有阵列布置的多个喷嘴，其与溶液容器连通，焊料溶液通过喷嘴喷出；器件固定板，其通过一底板固定在喷嘴下方，其上平铺有待制备焊点的器件，且该器件固定板与喷嘴通过高压发生器相连，两者之间形成高压电场；还包括管芯模，其包括呈阵列布置的多个管芯，且各管芯一一对应配合插装在喷嘴中，在各喷嘴和管芯之间的空隙内形成容纳焊料溶液的空间，在电场的作用下，焊料溶液通过该喷嘴中的空间进行流量分配后喷出形成喷点或喷丝，滴落于器件

本发明公开了一种用于芯片倒装的多自由度键合头，包括安装立板、对准机构和调平机构，其中对准机构包括纵向设置在安装立板上部的 Z 向模组和横向设置在 Z 向模组上的支架，并在 Z 向电机和旋转电机的配合驱动下实现键合头相对于 Z 轴方向的对准运动；调平机构包括固定设置在支架下侧的上平台、带有吸嘴的下平台和设置在上下平台之间的三个支链结构，其中调平中心链的两端分别通过转动副与上下平台相连，分布在中心链两侧的两个调平侧链各自配备有作为调节动力输入的移动副，且其上下端分布通过多个转动副与上下平台相连。通过本发

本发明公开了一种面向柔性芯片的多顶针剥离装置，包括固定 座、双真空腔室、多顶针机构和凸轮旋转驱动机构，其中：双真空腔 室由分设在内、外侧的真空内腔室和真空外腔室共同组成，并且真空 内腔室还可独立发生上下滑动；多顶针机构由同轴安装且彼此独立操 控的内外圈顶针机构共同组成，它们沿着竖直方向整体设置在真空内 腔室下部，并各自包括顶针、支撑架和从动子；凸轮旋转驱动机构用 于实现内外圈顶针机构上下动作时序的控制，同时实现单顶针与多顶 针之间的灵活切换。本发明还公开了相应的剥离工艺方法。通过本发 明，能够显著提

本发明属于芯片贴装工艺相关领域，并公开了一种适用于芯片 转移的倒装键合控制方法，主要包括：基于大转盘仰视相机和晶元盘 斜视相机的观测和配合，对芯片从晶元盘至大转盘单元的吸附转移执 行角度及位置控制；基于大转盘俯视相机和小转盘侧视相机的观测和 配合，对芯片从大转盘单元至小转盘单元的拾取转移执行角度及位置·108·控制；以及基于小转盘仰视相机和小转盘俯视相机的观测和配合，对 芯片至基板的贴合过程执行相应控制。通过本发明，不仅能够实现芯 片高效倒装键合整个过程中芯片在位置及角度

一种用于承载芯片的定位平台的旋转中心标定方法本发明公开了一种基于 LED 芯片扫描的旋转中心标定方法，具 体包括以下步骤:步骤一，芯片扫描，获取同一次装夹后不同旋转角 度下的两组扫描坐标数据;步骤二，扫描数据预处理，去除两组数据 中仅被识别一次的芯片坐标;步骤三，获取初步旋转中心;步骤四， 以旋转中心为参考，规划两个的区域 A、B，旋转前其芯片序列为 PA、 PB，旋转后为 P′A、P′B;步骤五，求 PAP′A，P

本成果功能全面，一机在手可实现电路板上常见的各类贴插焊点及QFP、BGA等芯片焊点的质量检测，确保出厂焊点完美无缺。QFP及贴插焊点可编程扫描检测；BGA芯片焊点可实现红外成像检测，智能筛选，无需逐个焊点比对（一块BGA芯片焊点通常在几十至几千个）。 一、项目分类 显著效益成果转化 二、成果简介 成果依据热传导学原理，开创性地将红外无损检测技术应用于电路板焊点虚焊检测领域，基于先进的检测原理和方法，本产品可准确检测出以往无论是AOI还是最高端的5aDAXI皆无法判明的焊点内部缺陷，且可定性定量。 历经十余年潜心研究，本成果不仅可对电路板上“可视“（看得见）类焊点（常规贴插焊点、DIP、QFP芯片等）进行检测，更一举突破了非可视（焊点在芯片下面）类BGA芯片焊点的质量检测难题。 BGA类芯片由于不可替代的先进性，正在得到广泛应用，但由于其焊点隐藏于芯片与电路板之间，焊点质量检测问题也同时成为电子行业的痛点。厂家即使拥有价值几百万的3D-5DAXI也只能用来数焊点里的气孔，无法确定是否有虚焊（X光适用于检测气孔等体积类缺陷，对裂纹、虚焊无效）。 本成果功能全面，一机在手可实现电路板上常见的各类贴插焊点及QFP、BGA等芯片焊点的质量检测，确保出厂焊点完美无缺。QFP及贴插焊点可编程扫描检测；BGA芯片焊点可实现红外成像检测，智能筛选，无需逐个焊点比对（一块BGA芯片焊点通常在几十至几千个）。 本成果还有操作简单，无需操作者专业背景，检测过程快速安全无辐射，实现对产品原位无损检测等优点。 毫无疑问，本成果可填补市场空白，技术水平处于国际领先地位。

本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微柱镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微柱镜阵列；电控液晶红外发散平面微柱镜阵列包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由其上布有 m×n

研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能，完成低本征暗计数的单光子探测器芯片的全自主化设计与制备，实现了单光子探测器芯片的全国产化，为解决国家亟需的前沿科技问题迈进了重要一步。

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

本发明公开了一种采用移相梳状滤波阵列的光子型数字微波测频方法及装置。载波抑制型单边带调制下，待测微波信号加载到一个连续激光光源上生成单个光边带，然后输入到移相梳状滤波阵列中；该滤波阵列包含N个并行的梳状滤波响应，其中自由频谱区均为FSR且相邻梳状滤波响应的相对相移量为π/N；对N个梳状滤波响应及参考臂的输出光功率进行检测、对比和判决后，获得N比特数字编码的测频结果，其测频范围和分辨率分别为FSR和FSR/(2N)。同时，给出了以单个高双折射元件构建移相梳状滤波阵列的具体装置。本发明既具有光子型技术的优点，又易与各种数字接收处理设备融合和兼容，应用前景十分广泛。