仿日型皮脂厚度计对人体活体测量所得的各种数据，直接代入计算公式，进而轻而易举的推算出人体密度，体脂百分比和体脂重量，从而正确地确定肥胖与瘦，为调整体质提供科学合理的依据。 人体的脂肪大约有2/3贮存在皮下组织，通过测量皮下脂肪的厚度，不仅然可以了解、皮下脂肪的厚度，判断人的肥瘦情况，而且还可以用所没、测得的皮脂厚度推测全身的脂肪的数量，来评价人身组成的比例。这是评定人身组成最简便的方法。 现将国产皮下脂肪测量计算方法介绍如下： 一、国产皮脂厚度计各部名称。 二、仪器的调整--使用前须将圆盘内指针调整到刻度表上的“0”位。调整方法：用手转动调整“0”位盘即可将指针对准到“0”位。 三、校正压力--指针调到“0”位后，须将皮脂厚度计两个接点间的压力调节到国际规定的10g/mm2的范围。左手持皮脂厚度计呈水平位置，在皮脂计的下 方测试臂顶端的小孔上挂200g重量的砝码。再将皮脂下主弓形臂的根部与该臂顶端的接点呈水平线，此时观察圆盘内指针偏离情况。如指针处在15-25mm 范围内说明两接点的压力符合10g/mm2的要求，无须调节旋扭。如果指针超出25mm以上，说明压力接点压力不足。须通过向左侧方向转动旋扭增加压力， 直接指针调到15-25mm范围内为止。反之，则调节旋扭向右转动减少压力调节到指针在规定范围内。指针的±5mm的差异不会影响测定结果。 四、皮脂厚度测量仪测试程序： 1、受试者应着背心裤衩或短裤。 2、实验者右手握皮脂计使两半形测试臂张开。左手拇指和食指将受试都所测部位的皮肤捏紧提起。拇食指捏起时，拇食指间应保持适当的距离，这样捏紧提起皮肤 既包括皮下组织，但要防止将所在部位的肌肉也、提起。为检查是否将肌肉提起可令受试者主动收缩该部位肌肉。止时肌肉即滑脱。然后将张开的皮脂计距离手指捏 起部位1cm处钳入。右手指将皮脂计的把柄放开，读出指针的数值并记录下来。每个部位应重复测量两次，二者所测的数值误差不应超过5%。 3、测定部位： 上臂部--右臂肩峰至桡骨头连线之中点，即肱三头肌肌腹部位。 背部--右肩胛角下方。腹部--右腹部脐旁1cm。 除上述部位外，根据研究需要还可以测颈部、胸部、腰部、大腿前后侧和小腿腓肠肌部位。 应当指出：用皮脂计所测的皮下脂肪厚度是皮肤和皮下脂肪组织双倍的和。 五、资料的处理与应用 1、根据皮下脂肪厚度推算身体密度的方法、与我们暂引用以日本青少年为对象所得的计算身体密度公式供使用者参考，其公式为： 男子：15-18岁身体密度=1.0977-0.00146X19岁以上身体密度=1.0913-0.00116X 女子：15-18岁身体密度=1.0931-0.00160X19岁以上身体密度=1.0897-0.00133X X=肩胛角下+上臂皮脂（mm） 2、体脂肪%的计算 应用Broxek(1963)改良公式计算体脂肪%，据认为Broxek改良公式计算体脂肪%是比较可靠的一种计算方法，其公式为： 身体脂肪%=（4.57/身体密度-4.142）X100身体脂肪重量=体重（公斤）X身体脂肪%净体重（去脂体重）=体重（公斤）-体脂肪量（公斤） 3、皮下脂肪厚度评定的参考标准： 根据皮下脂肪厚度计算所测的皮下脂肪厚度可以用评定一个人的肥瘦程度。现引用日本厚生省国民营养调查资料对日本儿童和成年人的肥瘦程度程度的评定标准供研究者参考。 相关产品： 电子握力计-电子握力测试仪 电子肺活量计-电子肺活量测试仪 电动肺活量计 本文中所有关于皮脂厚度计-皮脂厚度测量仪http://www.xinman8.com/289.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。

ZGC-1型足高足长测量尺是专门测量足长和足弓高度的器具,可供体育、教育、卫生、医疗等部门做人体形态测量使用。 一、主要技术规格： 测量范围：足长0－350毫米；足弓高0－120毫米 二、足长测试方法： 受试者将足放平底座上，足跟部位靠挡板、脚侧靠尺体，拨动滑尺A靠在足尖，滑尺A面对应的刻度值即为足长尺寸。 三、足弓测试方法： 受试者将足放平在底座上，拨动滑尺B使下平面紧靠“足弓”，滑尺B观测线上的量高标尺的刻度值即为足弓高尺寸。 本文中所有关于足高足长测量尺http://www.xinman8.com/272.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。

       苏州英示测量科技有限公司是高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业, 中国“机械行业能力评价长度计量实训基地”。 旗下的INSIZE和INSIZE PLUS是中国基础类装备制造业的国际品牌,在国际市场是与德国Mahr、日本Mitutoyo并列的三大量具品牌。英示总部位于苏州高新区，在美国、 西班牙、 德国 、捷克、 巴西和印度建有分公司。         英示产品品种丰富、种类齐全, 近万种产品涵盖了机加工行业几何尺寸和形位公差测量的各种需求, 以及工件表面及内部观测、材料硬度测试、推拉力和扭力测试、材料金相准备和分析等需求。         英示以解决测量难题为导向, 以品质创品牌, 以服务赢信赖，客户涵盖了航天、航空、核电、高铁、船泊、汽车制造、电子等领域的大中型国企、民营企业、外资企业及职业院校。  

本发明公开了一种气固混合物中颗粒物浓度的测量装置和测量方法，该测量装置包括称重装置、第一鼓泡装置、第二鼓泡装置、弹簧拉力装置和补重装置组成；称重装置为杠杆结构，杠杆结构的两侧分别为受重杆和测量杆，第一鼓泡装置和第二鼓泡装置分别设置在受重杆和测量杆上，补重装置设置在测量杆上，第一鼓泡装置和第二鼓泡装置为装有液体的封闭式容器，第一鼓泡装置上设有第一进气管和第一出气管，第二鼓泡装置上设有第二进气管和第二出气管。优点是：首先，本测量装置简单，不受颗粒物理性质的影响，可以通过增加曝气头数目减少操作时间；其次，通过微小放大原则，将固体颗粒物的质量累积量放大成较明显的弹簧拉力装置的受力变化。

清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。

由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。

本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。

本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法

随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。

利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术，实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 （图一）基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术，基于量子力学基本物理原理，使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件（包括单光子源、量子操控和测量光路，以及单光子探测器等），可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此，该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点，例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而，迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示，如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此，我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性，增强其量子信息处理技术的能力，从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术，高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近，多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度，如轨道角动量模式、时域和频域模式等，可以有效编码和处理多维光量子态。然而，实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量，依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题，英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作，并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式，即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径，从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列，可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路，可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此，该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时，团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性，实现了高保真度的高维量子纠缠态，如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度，远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是，团队通过硅基纳米光子集成技术，实现了目前集成度最复杂的光量子芯片（图一所示），单片集成550多个光量子元器件，包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器，从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术，验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性，包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等，证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如，对4维度量子纠缠态，实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数，不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差，而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能，例如，对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%，对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。