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掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器
本实用新型公开了一种掺铁硒化锌可饱和吸收镜及其构成的锁模光纤激光器，该掺铁硒化锌可饱和吸收镜包括基底、镀在所述基底上的高反射膜以及镀在所述高反射膜上的掺铁硒化锌薄膜，由于该掺铁硒化锌可饱和吸收镜以掺铁硒化锌薄膜为可饱和吸收体，同时掺铁硒化锌薄膜本身具有较高的损伤阈值，能够用于高功率激光器的研制，弥补了本领域缺少高损伤阈值可饱和吸收镜或可饱和吸收体的空缺；基于上述掺铁硒化锌可饱和吸收镜构成的锁模光纤激光器，利用双包层增益光纤获得激光，并通过掺铁硒化锌可饱和吸收镜对激光进行调制实现锁模，获得超短脉冲激光。
四川大学
2017-12-28
类环状流微膜蒸发板翅式冷凝蒸发技术 新型高效冷凝蒸发器
该项目是在国家自然科学基金委的大力支持下，由西安交通大学吴裕远教授主持的课题组经过15年的艰苦努力，突破传统机理，锐意科技创新，所取得的最新成果，荣获2001年国家技术发明奖二等奖。该项目是西安交通大学，拥有完全的自主知识产权,非常适宜在制氧、石油、化工、乙烯等换热器领域推广应用。
西安交通大学
2021-01-12
一种基于超声波振动式结晶器的不锈钢生产方法
（专利号：ZL 201410284167.5） 简介：本发明公开了一种基于超声波振动式结晶器的不锈钢生产方法，属于钢铁冶金技术领域。本发明的步骤为：步骤一、高炉炼铁；步骤二、转炉冶炼并进行精炼；步骤三、超声波连铸，经过步骤二精炼之后的钢水在连铸过程中采用水平连铸结晶器，在水平连铸结晶器上产生超声波振动。本发明中无需依靠结晶器的机械振动，而仅仅依靠超声波振动力使初生坯壳与结晶器内壁自动“脱模”，从而消除或减少不锈钢铸坯表面缺陷的产生；结晶器
安徽工业大学
2021-01-12
基于酞菁纳米线具有红外响应的有机忆阻器及阳离子调节特性
忆阻器，全称记忆电阻器(Memristor)。惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件，掀起忆阻研究热潮。纳米忆阻器件的出现，有望实现非易失性随机存储器。并且，基于忆阻的随机存储器的集成度、功耗、读写速度都要比传统的随机存储器优越。此外，忆阻是硬件实现人工神经网络突触的最好方式。由于忆阻的非线性性质，可以产生混沌电路，从而在保密通信中也有很多应用。目前，有机忆阻器普遍具有稳定性差、工作机理模糊不清、红外响应差的不足。所以，研究人员希望能够开发出具有高稳定性且红外响应好的有机忆阻器。
南方科技大学
2021-04-13
基于运算放大器的阻性传感器阵列读出电路及其读出方法
本发明公开了一种基于运算放大器的阻性传感器阵列读出电路，所述阻性传感器阵列为共用行线和列线的阻性传感器阵列；该读出电路包括：标准电阻行，其包括一行N个标准电阻，增设于所述阻性传感器阵列中，从而得到一个新的共用行线和列线的（M+1）×N电阻阵列；（M+1）个运算放大器，与电阻阵列的（M+1）条行线一一对应，每个运算放大器的反相输入端、输出端连接于一点后与其所对应行线连接；控制器，其具有至少(M+1)个IO端口以及至少N个ADC采样端口，其中的(M+1)个IO端口与所述（M+1）个运算放大器的同相输入端
东南大学
2021-04-14
基于人工表面等离激元的微波涡旋波发生器及其实现方法
本发明公开一种基于人工表面等离激元的微波涡旋波发生器。该结构工作在微波频段，由双层人工表面等离激元波导实现对于电磁波的传输，上层波导和下层波导之间的连接通过一个金属过孔实现。该微波涡旋波发生器的辐射部分主要由一系列放置在人工表面等离激元波导旁边的圆形贴片实现，同时这些圆形贴片作为谐振器也提供了产生不同的涡旋波所需的相位。这种微波涡旋波发生器可以在不同频率处实现具有不同轨道角动量模式的涡旋波，而不需要在结构上做出任何改变。
东南大学
2021-04-14
红外二氧化碳传感器C20E（教育行业专用）
产品详细介绍 红外二氧化碳传感器C20E（教育行业专用） C20E二氧化碳传感器专为教育应用而设计。在0-40℃温度范围内有补偿。 C20E通过四线连接就可以工作了：+5V、0V、串行输入、串行输出。 产品主要参数： 1) 检测范围：5% 2) 温度范围：0-40℃ 3) 供电电压：5V 4) 零点误差：20ppm 5) 预热时间：120S
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
海利普变频器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
产品详细介绍
海利普变频器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
HLPA00D423B,HLPA0D7523B,HLPA01D543C,HLPA02D243CHLPA03D743B,HLPA05D543B,HLPA07D543B,HLPA001143B,HLPA001543B,HLPA18D543B,HLPA002243B
HLP-A高性能通用型:HOLIP变频器
•功率范围：0.4KW~22KW（单、三相220V）；
0.75KW~450KW(三相380V)；
型号功率 型号功率HLPA00D423B220V/0.4KWHLPA001143B380V/11KWHLPA0D7523B220V/0.75KWHLPA001543B380V/15KWHLPA01D523B220V/1.5KWHLPA18D543B380V/18.5KWHLPA02D223B220V/2.2KWHLPA002243B380V/22KWHLPA03D723B220V/3.7KWHLPA003043B380V/30KW HLPA003743B380V/37KWHLPA0D7543B380V/0.75KWHLPA004543B380V/45KWHLPA01D543B380V/1.5KWHLPA005543B380V/55KWHLPA02D243B380V/2.2KWHLPA007543B380V/75KWHLPA03D743B380V/3.7KWHLPA009043B380V/90KWHLPA05D543B380V/5.5KWHLPA011043B380V/110KWHLPA07D543B380V/7.5KWHLPA013243B380V/132KWHLP
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东莞市荣达机电设备有限公司
2021-08-23
BC型裸片硅二极管温度计低温温度传感器
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-26
10K闭循环低温恒温器低温真空实验低温制冷仪器设备
北京锦正茂科技有限公司
2022-02-09