北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。

脑深部神经网络存在的微环境是人类尚未踏足的纳米尺度超微结构空间。课题组发明了新型检测技术，解密了该空间结构特征，发现脑内新分区引流系统，提出了脑分区稳态理论，新方法已在多个前沿领域得到实际应用。

黄晓军教授创建并完善的国际原创单倍型相合移植体系--"北京方案"，解决供者来源缺乏问题，为"缺乏相合供者的可靠移植方案"，"实现人人都有造血干细胞移植供者"，"迎来造血干细胞移植快速发展的新时代"。

开发了短流程技术制备纳米稀土氧化物弥散铜基复合材料，具有高强度、高电导率、高热导率、高耐磨性等优良特性，解决了此类材料难以制得全致密大型零件的难题，拓展了其应用领域。发明了此类复合材料块体和粉体的制备技术和专门的装备。 稀土氧化物弥散铜基复合材料制备新技术在企业开始推广应用，可显著提高制动摩擦闸片及金刚石刀头的高温强度和摩擦磨损性能，可大幅改善铁基粉末冶金零件的表面耐磨性，具有广阔市场前景和应用价值。

健康管理大数据平台的建设，是实现全民健康国家战略的重要组成部分，虽然移动互联的技术和应用突飞猛进，但高效、便利的生物信号采集终端设备尚待有效解决。该研究成果是健康物联网领域的智能终端设备，它基于心率变异性分析的独特算法，通过个体佩戴的可穿戴带式设备采集生物信号，实现对个体健康状况的整体评价，同时生物信号数据的处理分析依托于移动互联网和云端，该项需要医-工结合的技术可助力健康管理大数据平台的建设。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

上海交通大学学生设计了一种防共餐交叉感染的抑菌涂层及取菜隔离装置“金钟叉”，这是上海交大学生创新中心负责的《工程学导论》课程学生作品，为避免二次传播和感染提供了一个价廉且使用体验良好的解决方案。                   “金钟叉”主要发明人由上海交通大学机械与动力工程学院、电子信息与电气工程学院、医学院等专业学生组成。项目负责人陈心佩同学是上海交大电信学院大一在校生，项目初心其实是希望解决幽门螺杆菌患者反复治疗反复感染的问题。当前情况，人们陆续返工后，如何避免共餐交叉感染的风险，公筷制和分餐制是对抗共餐交叉感染的有效途径，但是这两个模式操作较为繁琐，用户体验不佳。团队决定设计一款低成本、容易清洗，顺应中式用餐习惯且使用体验良好的方案。经过对提出的不同方案进行分析对比，受到人们戴口罩防病毒的启发，最终决定为中式筷子设计一件能快速灵活穿戴的“口罩”。用户在用餐过程中先通过筷子夹取保护套，随后通过这个保护套取菜到自己餐盘内后，然后立刻脱离外套使用筷子进餐，整个用餐过程筷子在不离手的情况下实现公筷、私筷状态切换。一个正常用餐过程夹菜次数通常有二十次以上，而如果用公筷、公勺就需要放下二十多次筷子换公筷和公勺取菜，再放下重新拿取自己的筷子进行反复切换，并且公筷和筷子有时候还会弄乱，而团队的方案比使用公筷效率更高更便捷，有更好的用户体验。同时保护套采用抑菌涂层技术进一步降低过程中的交叉感染风险。他们为这款符合中国人用餐习惯的新工具取了一个特别的名字：金钟叉。            产品设计中最难克服是生产工艺问题，要确保用筷子夹紧装置后在取菜过程不松动需要材料有硬度同时具备一定弹性，同学们迅速与浙江餐具生产企业沟通并反复测试，最终找到一款弹性材料能较好的解决这个问题，实现量产准备工作，并进行专利和商标注册。学生团队于近日获得产业链企业数百万元投资进行产品量产，产品将在一个月左右投放市场面向大众。点击查看原文

2020年2月7日，广州医科大学张玉霞、张彦及中山大学罗海彬在medRxiv上发表题为“ACE2 expression by colonic epithelial cells is associated with viral infection, immunity and energy metabolism”的研究，该研究通过分析来自对照受试者和患有结肠炎或炎性肠病（IBD）的受试者的单细胞RNA测序数据，发现结肠细胞中ACE2的表达与调节病毒感染，先天和细胞免疫的基因正相关，但与病毒转录，蛋白质翻译，体液免疫，吞噬作用和补体激活负相关。

2020年3月9日，南方科技大学刘磊，中国疾控中心病毒病所刘军及中国医学科学院蒋澄宇共同通讯在National Science Review 在线发表题为“Elevated levels of plasma cytokines in COVID-19 reflect viral load and lung injury ”的研究成果，该研究发现在COVID-19患者的血浆中测得的48种细胞因子中有38种显著升高。   十七种细胞因子与SARS-Cov-2负荷相关。十五种细胞因子（M-CSF，IL-10，IFN-α2，IL-17，IL-4，IP-10，IL-7，IL-1ra，G-CSF，IL-12，IFN-γ，IL-1α ，IL-2，HGF和PDGF-BB）与肺损伤Murray评分密切相关，可通过计算特征曲线下的面积（AUC）来预测SARS-Cov-2感染的疾病严重程度。

本发明提供了一种在超细钨丝表面电沉积铝镁合金薄膜的方法。该方法克服了在有机溶剂、离子液体体系中电沉积铝镁合金薄膜存在镀液体系不稳定，原料成本高昂，镀液配置不易，使用寿命较短，制得的铝镁合金薄膜中镁含量较低等问题。该方法在低温无机熔盐体系中，氯化铝和氯化镁作为主盐，氯化钠和氯化钾作为支持电解质；以超细钨丝作为电沉积阴极，铝为阳极，控制电镀温度，电镀时间以及电流密度，在惰性氛围保护下进行铝镁合金薄膜在超细钨丝表面的电沉积。