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弱酸碱品安全存储
通过FM认证，符合FM6050标准。
弱酸碱品安全存储柜与易燃品安全存储柜具有通用的标准化结构，相等的优质材料与精密工艺，喷涂能承受常用酸碱品的涂层。
弱酸碱品的腐蚀性特点，在每一层镀锌层板上安设了带凹槽聚丙烯托盘，可盛接意外泄漏的液体。
乐普乐吉安全科技（上海）有限公司
2021-02-01
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
铁电高分子柔性存储器：高容量电子数据存储
铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
南京大学
2021-04-14
一种磁光电混合存储系统及其数据获取和存储方法
本发明公开了一种磁光电混合存储系统，该系统包括内存、固 态盘存储区、磁盘存储区和光盘存储区。上述三个存储区区域在逻辑 上构成统一的存储空间，维护一个全局文件地址映射表，使得用户或 者外部程序能够以统一一致性的方式进行数据寻址和存取。当存储数 据时，该系统存储管理区根据数据的存取行为，自动在上述三个存储 区选择合适的物理存储位置和数据组织方式。当存取模式发生变化时， 存储管理区动态地选择合适的物理存储位置和数据组织方式
华中科技大学
2021-04-14
一种具有防冻防滑功能的液氮美容笔
本实用新型提供了一种具有防冻防滑功能的液氮美容笔，包括：液氮美容笔、空心螺栓、牵引绳、液氮美容笔防冻防滑保护套和限位器，所述液氮美容笔和液氮美容笔防冻防滑保护套相互独立；液氮美容笔在使用时处于液氮美容笔防冻防滑保护套内腔中。本实用新型提供了一种具有防冻防滑功能的液氮美容笔，相比于现有的液氮美容笔，本实用新型中手柄上的限位槽与限位器相配合，可以使液氮美容笔牢牢地固定在液氮美容笔防冻防滑保护套中，使医生在治疗时不会冻伤自己的皮肤，设置在手柄右端侧面的圆形孔洞，与空心螺栓配合将牵引绳固定在手柄右端尾部，牵引绳及末端的标识牌悬垂于液氮罐外，可以在治疗前将液氮美容笔密封于液氮罐里保存待用。
青岛农业大学
2021-04-13
低温实验仪器液氮控温仪单回路温控系统
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TESK301型低温控温仪是由北京锦正茂科技有限责任公司自主研发的高精度单回路低温温度控制系统，可以实现从20K-600K的温度控制输出。该温控系统具有一路传感器输入和一路加热输出功能，传感器输入和加热输出组成了一个控制回路。TESK301单通道设计能满足大部分实验室科研以及工业低温控温使用。配合适当的传感器低温度测量低至20K，高温达到600K以上，分辨率高达10mK。加热输出功率分为三档可调节，低档低至0.8W，可达80W，能满足大部分低温设备加热需求。
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北京锦正茂科技有限公司
2022-03-18
一种利用液氮冷却的回流焊接系统
本发明公开了一种回流焊接系统，该系统包括：内部充满氮气呈密封状态的试验箱；设置在所述试验箱内，由转轴和转盘构成并用于放置待焊接的电子元器件和焊料的工作转盘；包括电源、电热元件和相应风扇的电加热装置；以及包括自增压液氮罐、液氮分配器、低温阀和相应风扇的液氮冷却装置。通过本发明的回流焊接系统及其焊接方法，可以利用氮气作为保护气体来进行电加热，同时利用液氮实现冷却，由此实现在少氧的环境下均匀地进行焊料加热、焊料冷却以及一次性大批量焊接等方面的技术效果。
华中科技大学
2021-04-11
阻变存储器集成
已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。
中国科学院大学
2021-01-12
多功能存储微系统芯片
在后摩尔时代，发挥多功能、异质集成技术的优势和特点，面向存储系统应用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，构成具有多功能的存储微系统芯片。
西安电子科技大学
2022-06-10