高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
Inertsil ODS-2 C18液相色谱柱
产品详细介绍Inertsil ODS-2:Inertsil ODS-2是在微孔径150Å的球状硅胶化学修饰十八烷基,最大限度实施硅烷醇基封尾的高惰性填料,适合分离宽分子量范围的化合物。载炭量较大,固定相表面的疏水性较强,因此与非极性化合物间的作用力比较大,非极性化合物在色谱柱上的保留能力就越强,相同条件下,载炭量越大的色谱柱非极性化合物峰出来得越晚,在分离成分复杂样品的很多时候分离效果更好。色谱柱参数:※基体:2系列高纯度硅胶※粒径:5μm※微孔径:150Å※化学键合基团:十八烷基※端基封尾:有※含碳量:18.5%※USP号:L1订货信息:5μm 长度/内径(mm) 2.1 3.0 4.0 4.6150 5020-01121 5020-01122 5020-01123 5020-01124250 5020-01125 5020-01126 5020-01127 5020-01128【保护柱】填料名 粒径 长度(mm) 目标色谱柱的内径(mm) 内径(mm) 更换用小柱E(2根一组) 更换用小柱E套件(小柱E2根+小柱保护柱套)Cat.No. Cat.NoInertsil ODS-2 5μm 10 2.1、3.0 3.0 5020-08515 5020-085254.0、4.6 4.0 5020-08510 5020-0852020 2.1、3.0 3.0 5020-08565 5020-085754.0、4.6 4.0 5020-08560 5020-08570
深圳市诺亚迪化学科技有限公司 2021-08-23
昨非 全自动移液工作站-文鳐
上海昨非实验室设备有限公司 2022-07-19
一种馈能式变恒流值正负脉冲快速充电装置及方法
锂离子(或铅酸)动力电池在大电流充电过程中存在着发热、充电速率低等问题。成果提供的充电方法可提高充电速率50%以上,减小了电池发热,延长了电池循环寿命。在整体上分为多个不同等级的恒流充电段,每个充电段由多个幅值逐渐减小的等效正负脉冲组成,在负脉冲阶段电池进行短暂放电还原以减小发热,且可以将放电电能存储到馈能电容中,在正脉冲到来时重新加以利用,且正脉冲幅值很高,既提高了充电速率又提高了电能的利用率。随着新能源发电储能及新能源汽车的发展,锂离子(或铅酸)动力电池的用量每年达千亿只以上,且每年以30%的速度增长,市场迫切需求一种大电流快速充电而不损害电池寿命的新的充电系统及方法,而本发明可以提升充电速率50%以上,可以有效延长电池寿命,每年创造产值可高达数亿元以上,这对于节能环保、发展低碳经济有着重要的意义,应用前景十分广阔。
青岛大学 2021-04-13
重复频率脉冲下的金属化膜电容器的寿命测试方法
本发明公开了一种重复频率脉冲下的金属化膜电容器的寿命测 试系统及方法。该系统包括充电电源和脉冲放电回路;其中,充电电 源包括充电模块、防反模块和检测控制模块;充电模块中,三相交流 电通过前级三相不控整流电路输出直流电压,并经过全桥逆变电路逆 变为交流电压,然后通过高频变压器升压,再经过单相全桥整流电路 将交流电压整流为直流电压输出。通过在充电模块中引入高频变压器, 使得金属化膜脉冲电容器的充放电能获得较高的重复频率(0.1~ 100Hz),从而有利于研究 ms 级脉冲放电领域的金属化膜脉冲电容器的
华中科技大学 2021-04-14
大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工方法
本发明公开了一种金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工 方法,该方法首先采用射频振荡产生等离子体磁流体通道,对待抛光 加工的金属表面凸起部位进行脉冲放电,产生的等离子弧经过磁流体 通道后,得到强度和密度增强的等离子弧,该增强等离子弧对金属表 面凸起部位进行轰击,使该部位形成阳极斑点后蒸发去除,并通过放 电极性的调节实现去除凸起的光亮化,实现该位置的抛光加工。本发 明方法解决了常规金属表面抛光方法的加工效率低、易产生加工应力 和表层损伤等问题。能够在大气压下进行,可实现粗抛、细抛和精抛, 不需要在金属抛光表面涂上任何研磨液和化学反应物,精密化抛光后 形成的表面粗糙度小,可达到 Ra0.2μm。
华中科技大学 2021-04-13
集成宽带小型化和差相位比较网络的单脉冲天线阵列
本发明设计了一种集成宽带小型化和差相位比较网络的单脉冲天线阵列,包括小型化宽带平面和差相位比较网络和平面八木阵列天线;小型化宽带平面和差相位比较网络由双面平行带线构成,包括第一级网络和第二级网络,第一级网络包括第一级环形耦合器,第二级网络包括两个第二级环形耦合器,耦合器环形部分设置有反相器,反相器上下两层之间通过金属化通孔形成电连接。 本发明增加了和差相位比较网络的带宽,并具有更小的结构尺寸,比一般的T型功分馈电网络的尺寸还小,同时不需要馈电网络到天线间的过渡结构;采用平面结构大大简化了整体构造,加工难度低,易于大规模生产,且易于同其它平面电路集成,尤其适合集成在雷达系统中,安装调试极为方便。
东南大学 2021-04-11
RFID超高频读写模块高性能远距离读卡器多通道模块电子标签读写器
产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ,核心部件采用 R2000 为核心平台,R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可,可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议:ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取:端口最大输出33dBm,可根据需要设置功率,可应对非常密集的使用环境,多标签识别算法,行业内最强,每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz~960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013(可选配) RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI:可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率(端口) 33dbm±1dbm(MAX) 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离(读EPC码) 0-10米,连续读100次,读取成功率大于95%(无干扰环境)(8dBi圆极化天线@H3) 连续写标签距离(写EPC码) 0〜4米(与标签芯片性能有关),连续写100次,写成功率大于90%(8dBi圆极化天线@H3) 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 (33dbm):8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)
深圳市斯科信息技术有限公司 2025-12-27
双膦酸盐类药物的离子色谱分离积分脉冲安培法检测分析的方法
本发明涉及双膦酸盐类药物的离子色谱分离分析方法,特别涉及等度分离积分脉冲安培检测分析的双膦酸盐类药物的离子色谱分离积分脉冲安培检测分析方法,包括实际样品处理、基线测绘、进样和离子交换、洗脱、电化学检测分析步骤;本发明对双膦酸盐药物能进行良好的分离分析,保留时间、峰高、峰面积的相对标准偏差均小于2.0%,工艺流程大为简化,本方法还可用于血液样品中的双膦酸盐药物含量的检测。
浙江大学 2021-04-11
大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工装置
本发明涉及一种大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛 光加工装置,目的是解决常规金属表面精密加工和抛光方法的不足及 加工和抛光效率低、易产生加工应力和表层损伤等问题。该装置包括 射频电源、射频电源匹配器、高压直流脉冲电源、脉冲电源极性调节 装置、高压直流脉冲电源阻抗、等离子体炬、加工保护罩、控制电路 和联动机构;本发明是在大气压下对金属的表面的精密加工和抛光, 不需要真空室和特制的抛光液,可降低设备成本并扩大其使用范围。 加工效率是传统抛光方法的几倍,并且是无应力加工,无表面和亚表 层损伤、无表面污染,抛光工件的表面粗糙度可达到 Ra-0.2μm。 
华中科技大学 2021-04-13
丁酸氯维地平脂微球注射液及其制备
将等张剂溶于注射用水中,用  NaOH  调节  pH  至  6.0  ~  8.0 得水相 ;将注射用油和稳定剂,于  40-90 ℃下预热 ;加入丁酸氯维地平,摇匀混合 ;加入乳化剂,采用高速分散机剪切得油相 ;将油相缓慢加入水相中,采用高速分散机剪切,高速剪切机剪切得到稳定的初乳 ;初乳进行高压均质即得丁酸氯维地平脂微球注射液
辽宁大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 42 43 44
  • ...
  • 355 356 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1