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油电混合动力发动机拆装实训台
产品详细介绍企业信息您只要致电：021-55884001（袁经理）我们可以解答 油电混合动力变速器拆装实训台 的相关疑问！我们可以帮您推荐符合您要求的 油电混合动力变速器拆装实训台 相关产品！找不到所需产品？请点击 产品导航页当前产品页面地址：http://www.shfdtw.com/productshow-116-1594-1.htmlTW-XQ23油电混合动力发动机拆装实训台一、功能简介1.采用发动机总成(易于拆装)，组装在专用发动机拆装翻转架上。2.采用减速翻转机构，可使发动机任意角度旋转，并能任意位置锁止，便于学生从不同的角度进行拆卸和装配。3.底部放置大面积接油盘，便于小零件或螺丝的集中存放。4.拆装翻转架采用了高强度的钢结构焊接，表面经喷涂工艺处理，底部带有自锁脚轮装置，可移动式，方便教学。二．技术规格设备外形：1000×600×1100mm (长×宽×高)颜色：7032钢管：40*40*3mm万向脚轮前二只万向带锁止功能脚轮2后二只万向脚轮脚轮与台架用M6*4螺丝固定，方便设备维修与维护。脚轮：60mm×50mm(直径×宽度)脚轮支撑：1.0T减速机：MOPA70；1：70三、基本配置(每台)序号名 称规格型号单位数量1电控汽油发动机总成油电混合动力发动机,丰田普锐斯套12拆装翻转架(带自锁脚轮装置，带立柱钢管200*200*5mm)950×680×850mm(长×宽×高)台13大面积接油盆660×590×35mm(长×宽×深)个14减速机构（带摇手盘等附件） 套1上一个产品：汽车电动动力系统实训平台(带变速器）下一个产品：油电混合动力变速器拆装实训台新能源汽车实训室最新产品油气双燃料汽车动力系统实训台(汽油版）型号：TW-XQ1品名：油气双燃料汽车动...价格：46000.00油气混合汽车动力系统实训台(柴油版)型号：TW-XQ2品名：油气混合汽车动力...价格：40000.00油电混合动力汽车动力系统实训台型号：TW-XQ3品名：油电混合动力汽车...价格：150000.00纯电动汽车永磁电机解剖模型型号：TW-XQ4品名：纯电动汽车永磁电...价格：8000.00
上海天威教学仪器设备有限公司
2021-08-23
油电混合动力变速器拆装实训台
产品详细介绍企业信息您只要致电：021-55884001（袁经理）我们可以解答 油电混合动力变速器拆装实训台 的相关疑问！我们可以帮您推荐符合您要求的 油电混合动力变速器拆装实训台 相关产品！找不到所需产品？请点击 产品导航页当前产品页面地址：http://www.shfdtw.com/productshow-116-1594-1.htmlTW-XQ22油电混合动力变速器拆装实训台一、功能简介1.采用油电混合动力变速器总成(附件齐全，易于拆装)，并装在专用翻转架上。采用减速翻转机构，可使油电混合动力变速器旋转任意角度，并能任意位置锁止，便于学生从不同的角度进行拆卸和装配。2.底部放置接油盘，便于小零件或螺丝的集中存放。3.翻转架采用了高强度的钢结构焊接，表面经喷涂工艺处理。翻转架底部带有自锁脚轮，可移动式，方便教学。二．技术规格设备外形：1000×600×1100mm (长×宽×高)颜色：7032钢管：40*40*3mm万向脚轮前二只万向带锁止功能脚轮2后二只万向脚轮脚轮与台架用M6*4螺丝固定，方便设备维修与维护。脚轮：60mm×50mm(直径×宽度)脚轮支撑：1.0T减速机：MOPA70；1：70三、基本配置(每台)序号名 称规格型号单位数量1油电混合动力变速器总成附件齐全，易于拆装套12拆装翻转架(带自锁脚轮装置)，带立柱钢管200*200*5mm；950×680×850mm(长×宽×高)，带减速机，可做轴向任意角度的翻转和静止。台13大面积接油盆660×590×35mm(长×宽×深)个14减速机构（带摇手盘等附件） 套1上一个产品：油电混合动力发动机拆装实训台下一个产品：太阳能电池管理系统示教板新能源汽车实训室最新产品油气双燃料汽车动力系统实训台(汽油版）型号：TW-XQ1品名：油气双燃料汽车动...价格：46000.00油气混合汽车动力系统实训台(柴油版)型号：TW-XQ2品名：油气混合汽车动力...价格：40000.00油电混合动力汽车动力系统实训台型号：TW-XQ3品名：油电混合动力汽车...价格：150000.00纯电动汽车永磁电机解剖模型型号：TW-XQ4品名：纯电动汽车永磁电...价格：8000.00
上海天威教学仪器设备有限公司
2021-08-23
一种宽光束、可调送粉角的高效半导体装置
本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置，包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9)，光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光；可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光；工件直径大于1000mm，长度不低于10m。
华中科技大学
2021-04-10
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。
上海理工大学
2021-04-10
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法
本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法，包括以下步骤：1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块，将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压；2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升，可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上，以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃；其中，j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压，使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程，能减小过冷温度和增益温度，保证半导体脉冲激光器的温度要求。
华中科技大学
2021-04-13
一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气 体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层；气敏层由半导体纳米晶 复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液，能在室 温下直接成膜，不需要经过高温处理，能耗小，且不会造成纳米颗粒 的团聚，能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势，有利于气 体吸附，提高传感器的灵敏度，使传感器能在较低的工作温度甚至常 温下检测低浓度目标气体。制备方法简单，易于实现大规模批
华中科技大学
2021-04-14
全国半导体行业产教融合共同体在青岛成立
10月12日，全国半导体行业产教融合共同体成立仪式在山东青岛顺利举行。
中国高等教育学会
2023-10-25
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
复旦大学
2021-01-12