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骨盆测量器骨盆测量仪
该骨盆测量器http://www.xinman8.com/274.html是经阴道测量骨盆内径能较准确地测知骨盆大小,本款骨盆测量仪适用于骨盆外测量有狭窄者;规格20cm
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
电网设备无线智能温度监控系统
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学 2021-04-10
光纤光栅高温温度传感器
光纤光栅传感器具有响应快、可分布式测量、并行传输容量大、抗电磁干扰等特点,适用于应变、温度、应力等多种参量的测量,在隧道、桥梁、大坝发电 站、变电站、储油基地、各类仓库、化工厂高层建筑、航天工业等领域都有着重 要的应用。传统的光纤光栅由光敏光纤制备,其折射率调制是由于色心的产生形 成的。在 400°C以上这种光栅结构就被擦除,无法应用在高温环境下。
西安交通大学 2021-04-11
一种无线温度采集系统
本实用新型提供一种无线温度采集系统,包括温度采集模块、第一处理模块、无线发射模块、无线接收模块、第二处理模块以及显示与报警模块;其中,所述温度采集模块,用于采集温度;所述第一处理模块,用于接收采集的所述温度,第一次处理后并将所述温度发送给所述无线发射模块;所述无线发射模块,用于接收所述温度并将所述温度发送给所述无线接收模块;所述无线接收模块,用于将接收到的所述温度发送给所述第二处理模块;所述第二处理模块,用于接收所述温度,第二次处理后并将所述温度发送给所述显示与报警模块;所述显示与报警模块,用于显示
安徽建筑大学 2021-01-12
温度-湿度-振动三综合试验系统
本系统可以制造温度、湿度、振动(含冲击)的综合环境,能模拟产品的起初环境条件。它可以用于各种军品、民品的可靠性鉴定试验、可靠性研制试验、可靠性增长试验、可靠性筛选试验、可靠性验收试验以及其他综合与单应力试验,能满足GJB699MIL-STD-781D,GJB150MIL-STD-810D全部综合环境试验要求。并可作温度、湿度、振动的单应力、双应力试验设备。
北京航空航天大学 2021-04-13
高精度多路温度表(产品)
成果简介:能够同时进行多路高精度温度采集,采集精度达到0.01℃。采集到的数据可以通过MODBUS协议上传至DTU。 项目来源:横向项目 技术领域:信息技术 应用范围:具有温度数据测量、采集、传输需求的工业应用现场 现状特点:一般适用等 技术创新:使用PT100铂电阻作为传感器,利用电桥进行数据采集。内部有基于Cortex-M3内核的ARM处理器,使用片上ADC对电信号进行采集,采集到的电信号能够直接计算得到温度值。能够进行基于
北京理工大学 2021-04-14
一种桥墩温度调节机构
研发阶段/n本技术成果公开一种桥墩温度调节机构,包括安装座、温度检测装置、加热装置,安装座用以沿桥墩的周向布置且固定于桥墩的外侧,温度检测装置被设置为能够检测安装座四周附近的水层温度,加热装置安装于安装座,加热装置被设置为能够选择性地对安装座四周附近某一区域的水层进行加热,控制器电性连接温度检测装置和加热装置,用以控制加热装置对安装座四周附近温度较低的区域的水层进行加热本技术成果提供的技术方案中,通过温度检测装置检测到桥墩附近的水层中温度较低的区域,通过加热装置对该区域进行加热,从而减小桥墩向光面与
武汉轻工大学 2021-01-12
热辐射对比温度计
360mm×230mm×190mm,金属材质,可做对比热辐射效应、太阳高度的测量实验,探究光的热辐射效应。
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
最低温度表
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
BC型裸片硅二极管温度计低温温度传感器
       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 特点: ※ 激励电流小,因而具有很小的自热效应;  ※ 符合标准曲线,具有良好的互换性; ※ 多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装; ※ 在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度; ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线; ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,可以看到我们的淘宝店铺,联系更加方便! 参数: ※ 温度范围:3K~500K; ※ 标准曲线:DT640 ※ 推荐激励电流:10µA±0.1%; ※ 可重复性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。 ※ 反向电压高达:75V; ※ 损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A; ※ 推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K; ※ BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K; ※ 辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用; ※ 磁场影响:不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​
北京锦正茂科技有限公司 2022-02-26
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