单层半导体性过渡族金属硫属化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等，在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2 材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战，例如，难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。北京大学张艳锋课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一，在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展：基于范德华外延的机理，他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底，实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备，借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰写综述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他们在大尺寸均匀MoS2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选用廉价易得的普通玻璃作为基底，创新性地采用Mo箔作为金属源(与S粉共同作为前驱体)，采用“face-to-face”的金属前驱体供给方式，实现了前驱体在样品上下游的均匀供应，使得样品尺寸可以得到最大限度的放大(仅受限于炉体尺寸)，获得了对角线长度可达6英寸的均匀单层MoS2; 结合DFT理论计算和系统的实验结果发现，玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的促进作用, Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘，起到显著降低MoS2拼接生长能垒的作用，从而促进其快速生长。 获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8 min，单晶畴区边缘尺寸可达0.5 mm。此外，他们利用玻璃基底的亲水特性，发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快速转移，且具有操作简单，转移样品质量高等明显优势。该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、晶圆尺寸均匀、大畴区单层MoS2的新方法/新途径，并深入分析了其生长机制，为相关二维材料的批量制备和高效转移提供了重要的实验依据，对于推动该类材料的实际应用具有非常重要的意义。

极性材料在固硫方面表现出较好的效果，但是其固硫机理难以确定，他们提出了采用金属有机小分子二茂铁作为固硫材料，实现了锂 / 硫电池长达 550 次的平稳循环，并结合 XPS 分析与 DFT 计算，证明了二茂铁的固硫机理为茂环与锂的作用（ Angew. Chem.,  2016, 128, 15038. 。电池的性能不仅与固硫材料对多硫化物的亲和力有关，固硫材料的本体导电性也非常重要。因此，他们提出采用半金属导体金属磷化物与碳纳米管的复合物作为硫正极中的添加剂，提高硫正极的导电性、缓解多硫化物的穿梭效应并促进多硫化物的氧化还原动力学，实现了锂 / 硫电池长达 1100 次的长循环（ Nano Research,  2017, accepted ）。

可以量产/n内容简介：动态硫化丁腈橡胶/聚氯乙烯热塑性弹性体是以丁腈橡胶（PNBR）和高聚合度聚氯乙烯（HPVC）为主体材料，借助双螺杆挤出机，采用动态硫化和原位反应新技术，制备可热塑性加工的PNBR/HPVC弹性体专用料，它包括挤出、注塑、吹塑和发泡四个品级。该弹性体强度高，弹性好，热塑加工性好，边角余料能反复利用。该工艺生产设备简单，投资省，产量高，产品质量稳定，同橡胶加工工艺相比，节能达40%以上。该弹性体经湖北省产品质量监督检验所检测，其物理机械性能：邵氏A硬度为67度、拉伸强度为13.0M

小试阶段/n超级电容器以其大容量、高功率、长寿命、成本低廉、环境友好等优 越的性能，可以部分或全部替代传统的化学电池，并且具有比传统的化 学电池更加广泛的用途。该项目研制的硫化物超级电容器，其比容量可 达 1200-1400F/g，远高于目前市面上和研究报道的同类材料，同时具备 极好的循环性能、热稳定性和导电性。该技术的先进性主要体现在以下 几个方面：（1）制备出了中空结构的大比表面积硫化物电极材料，具备 较高的比容量。（2）设计和构造了基于过渡金属硫化物中空纳米结构的 复合阵列，显著提高了电容器的

本发明公开了一种微米实心硫化铜球的制备方法，采用如下的步骤：在盛水的容器底部放入导电玻璃片，导电面向上；在容器中配制30ml浓度为1.0~1.3mol/L的硫代硫酸钠溶液；加入10ml浓度为1.0~1.3mol/L的氯化铜溶液；再把氯化铜溶液与相应摩尔浓度硫代硫酸钠溶液按照1:3的比例混合，然后把混合溶液倒入放有导电玻璃片的容器中；再经静止放置、烘干得到干燥的尺寸为0.3~3.0um的实心硫化铜微球目标产物。本发明方法设备简单，能耗低，合成步骤少，操作简单，室温下(25℃左右)即可反应，适合大规模生产，而且制得硫化物的性能优良。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

本发明涉及一种有机功能介孔氧化硅的合成方法。该方法以三乙氧基硅烷与三烷氧基有机硅烷偶联剂作为硅源，以聚环氧乙烷?聚环氧丙烷?聚环氧乙烷三嵌段共聚物（Ｐ１２３）作为表面活性剂，在酸性条件下通过共聚法一步将有机功能基团耦合到有序介孔氧化硅中，得到了功能化程度远远大于传统共聚法接枝率的有机功能化介孔氧化硅。在反应过程中，通过控制有机硅烷偶联剂与三乙氧基硅烷的加入量比例可调控介孔氧化硅的功能化程度及孔道的有序度。

成果创新点 与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同， 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热 系数达到 0.022 W/mK，保温性能优于市场上有机保温材料， 而且燃烧性能达到 A 级不燃，兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大 和制备周期长的缺点，而且使用无机硅源和有机溶剂使用 少，制备成本大大降低。

本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将