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铅富氧闪速熔炼技术
铅富氧闪速熔炼新技术及装置，攻克了低品位铅矿、铅二次 资源、卡林金矿和复杂含金物料等的经济利用关键技术与装备难题及工程实践 问题，形成了经济、高效、清洁、短流程直接炼铅新工艺，并建成了年产 10 万吨粗铅规模的示范工程。铅总回收率 98.5%、硫利用率大于 98%，伴生金银回收率 99.5%、铜回收率 85%、锌回收率大于 90%。主要创新点为：①发明了铅富氧闪速熔炼新技术，改变了铅的生成途径，增强了工艺对 物料的适应性，入炉料含铅由底吹熔炼的 48%降至 25%甚至更低，实现了低品 位铅矿、铅二次资源的经济利用，解决了铅冶炼过程能耗高、污染重等问题； ②发明研制了铅富氧闪速熔炼成套装备，优化了反应塔的温度场、氧势场、颗 粒场以及熔池的气流场，生产操作更加稳定；③创新了铅富氧闪速熔炼的成套 操作技术，形成了清洁、高效、短流程、伴生金属回收率高的直接炼铅新工艺； ④发明了难处理卡林金矿和硫化金精矿混合熔炼的金高效捕集新技术，实现了 伴生金、银、铅、锌、硫的同步高效回收。相关研究成果以 20 余篇论文形式在 国际会议及学术期刊上宣讲和发表，被收入邱定蕃院士主编的《有色冶金与环 境保护》专著中。
北京科技大学
2021-04-13
无铅高温压电陶瓷制备技术
压电式传感器具有结构简单、信噪比高、灵敏度高等优点，特别适用于动态测量，如加速度、应力和振动测试，重要应用方向包括结构振动监测、损伤监测、声发射信号监测等。在航空航天发动机、核能、高温冶炼、石油勘探等领域中，高温复杂环境对高温压电式传感器提出更高性能要求，目前亟需开发适用500℃及以上温度的高温高性能压电陶瓷材料及其传感技术。
攻克高居里温度高性能无铅压电陶瓷的组分调控与织构化生长关键技术，并实现良好的工艺与性能稳定性，有利于提升高温压电式传感器的可靠性和环境适应性。高温压电陶瓷材料性能优异：居里温度高于900℃，压电系数可达30pC/N，室温介电损耗低于0.02，压电系数可稳定至800℃。在压电陶瓷研制方面，项目团队长期开展组分调控与陶瓷织构化研究，技术成熟可靠，并从应用中不断升级技术，使其能够满足市场需求。
中南大学
2023-05-15
种中温低铯氟铝酸盐钎剂及其制备方法
所属行业领域 铝及铝合金同种金属和铝-铜异种金属间的钎焊材料 成果简介 本发明为“一种中温低铯氟铝酸盐钎剂及其制备方法”（ZL201210176267.7），可用于铝及铝合金同种金属和铝-铜异种金属间的钎焊连接。本发明钎剂主要由氟化铝、氟化钾、氟化铯、氯化钾和溴化钾组成，其中贵金属盐CsF的含量不超过20wt.%，钎剂的成本较低。本发明钎剂的熔点也较低，为490℃-521℃，可配合熔点在4
北京科技大学
2021-04-14
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性：为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件，又可应用于微波器件中，本项目提出了铋镥铁石榴石（BiLuIG）薄膜的设计体系，为了使其同时具有良好的磁光和微波特性，本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方，并选用无铅液相外延技术，大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方设计研究：基于四能级跃迁模型，并结合离子替代规律和多离子掺杂技术，寻找最佳配方；（2）液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究：包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等；（3）材料在器件中的验证研究，设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标：（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义：本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司（中电九所下属）、陕西金山电器有限公司（4390厂）等单位使用，并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品，用于制备磁光和微波器件，受到好评。
电子科技大学
2021-04-10
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。
电子科技大学
2021-04-10
氮掺杂石墨烯大单晶制备的研究
本研究利用氧气对非骨架掺杂选择性刻蚀的效应，首次在Cu衬底上实现了石墨烯的完美骨架掺杂生长，氮掺杂后的石墨烯迁移率高达13000 cm2/Vs，比其他工艺制备的掺杂石墨烯要高出数个量级。同时，石墨烯的面电阻也降低到130 oh/sq，掺杂的稳定性显著提高。
北京大学
2021-04-11
单晶硅切割废砂浆制备白炭黑
在集成电路、太阳能电池等制造产业中，单晶硅在线切割过程中会产生大量的废砂浆。废砂浆经预处理，除去聚乙二醇和大颗粒碳化硅，剩余部分称为环保废砂浆，其主要成分为二氧化硅、硅、小颗粒碳化硅及少量金属杂质。然而，环保废砂浆易自燃，人们对其回收利用研究的很少，一般封存填埋处理，不但造成资源浪费，而且给环境带来巨大的危害。本项目利用环保废砂浆制备附加值高、应用广泛的白炭黑并分离回收碳化硅的资源化工艺，具有较为重要的环境保护和循环经济意义。制得二氧化硅含量可达到98%以上，各项指标达到白炭黑产品的国家标准。
天津大学
2021-04-14
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目共包括8项授权专利，另有20余项专利正处于公开阶段。 项目主要创新点为：（1）提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方，实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。 （2）提出了“缓冲法”技术，克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高，薄膜均匀性差的难题，成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料，厚度可达20微米以上，其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平，其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相
电子科技大学
2021-04-14
二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体
绝缘体-金属相变材料领域。 利用简单易行的方法制备大尺寸高质量二氧化钒单晶体，实现了二氧化钒单晶体电阻的快速温度响应。
中国科学技术大学
2021-04-14
一种铅炭复合材料、其制备方法及在铅炭电池中的应用
本发明公开了一种铅炭复合材料、其制备方法及应用。所述复合材料包括三维多孔结构的炭骨架和附着在炭骨架上的纳米氧化铅-金属铅颗粒，炭骨架和纳米氧化铅-金属铅颗粒的质量比例在1:10<sup>3</sup> 至 1:10 之 间 ； 炭 骨 架 的 比 表 面 积 在20m<sup>2</sup>/g 至 1000m<sup>2</sup>/g 之间；纳米氧化铅-金属铅颗粒中金属铅的摩尔比例小于或等于 50％。其制备方法以铅的有机配合
华中科技大学
2021-04-14