设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。

该成果由于采用新型的安全膜结构和绝氧吸弧工艺（减小金属材料在加工过程中的氧化，降低接触电阻、电势垒等），产品具有自愈性，在高压大电流的冲击下不会发生短路击穿现象，无需防爆装置；由于采用端面高密度、低电阻的等离子放电喷射沉积制备技术和大功率电容器电极的电阻焊接技术，寄生电阻和发热量减小，使产品在可靠性、稳定性上具有明显的优势。

本发明公开了一种基于红外成像的薄膜测厚仪，包括光源、准直透镜、分光棱镜、参考路散射玻璃、参考路红外滤光片、参考路反射镜、测量路散射玻璃、测量路红外滤光片、测量路反射镜、半透半反分光镜、成像透镜、CCD；测量时参考物经反射镜、分光镜和成像透镜成像到 CCD 光敏面，被测物经反射镜和成像透镜也成像到 CCD光敏面，CCD 将图像传送至计算机，经图像处理后根据图像的灰度值求得被测物的厚度；如此形成双光路测量系统，避免了光源光强变化的影响；使用散射光透射成像的测量体系，避免了传统红外测厚装置中存在的干涉影响

本项目共包括8项授权专利，另有20余项专利正处于公开阶段。 项目主要创新点为：（1）提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方，实现了在传统GGG衬底上外延出具有大法拉第效应的BiLuIG石榴石单晶薄膜材料。 （2）提出了“缓冲法”技术，克服了无铅液相外延工艺中熔体粘度偏高，薄膜均匀性差的难题，成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料，厚度可达20微米以上，其法拉第效应是含铅工艺制备材料的10倍。项目总体达到国际先进水平，其中在Bi+Lu共掺杂材料设计和无铅液相

本发明公开了一种声学薄膜制备方法及其产品，其制备方法包 括以下步骤：首先将空心不锈钢管插入液态紫外胶并静置，再沿竖直 向上方向取出不锈钢管，在液态紫外胶自身张力的作用下，液态紫外 胶在空心不锈钢管的末端形成一层均匀的紫外胶薄膜；采用紫外光固 化该薄膜，使完全固化；制备得的声学薄膜厚度为 2.1um～8.1um，直 径为 0.11mm～2.61mm，在 0.025Hz～25000Hz 的声波频率响应范围具 有很高的灵敏

公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。 一、项目进展 创意计划阶段 二、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 侯晓清 管理学院/工商管理 2019/2023 师鸣遥 生命学院/化学生物 2019/2023 李想 生命学院/化学生物 2020/2024 徐婧谨 电信学部/储能科学与工程 2019/2023 董梓竣 管理学院/工商管理 2019/2023 杨舒婷 化学学院/材料化学 2019/2023 吴一品 管理学院/大数据管理与应用 2020/2024 赵静怡 人文学院/环境设计 2020/2024 刘彦麟 软件学院/软件工程 2020/2024 袁子翔 管理学院/工商管理 2019/2023 三、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 鲁广昊 前沿科学技术研究院 教授 有机半导体薄膜和器件 卜腊菊 化学学院 教授 薄膜断层分析技术及科研仪器的开发 魏泽龙 管理学院 教授 技术创新与创业管理 四、项目简介 本项目依托于西安交通大学前沿科学与技术学院以及中国西部创新港的科研平台，拥有半导体薄膜断层检测技术顶级研发团队，并已有国内外超过100所高校、科研院所、企业等正在采用本产品检测的数据或正在实际试用本产品，本团队可以更好了解产品需求及效果，能够实现量产、快速研发与后续更新迭代。 公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。作为国内外首家使用软等离子体源刻蚀技术，实现了半导体薄膜断层的精准检测，占据了全球领先地位，将“卡脖子”技术转换成“杀手锏”，为基于光谱分析的半导体薄膜断层精准检测提供了中国方案，提高了我国半导体薄膜检测的科技实力水平。

本发明公开了一种金纳米棒光学薄膜，属于光学薄膜材料技术领域。一种金纳米棒光学薄膜，光化 学薄膜中金纳米棒呈周期排列。其优点是:本发明对不同偏振的入射波具有不同的等效折射率，故可以 制造其它器件如偏振器件、双折射器件等，在光学薄膜领域，其容易实现折射率匹配，从而达到镀膜层 数较少的情况下具有较高透过率。

产品详细介绍薄膜拉力机用途：于塑料薄膜、胶粘剂、胶粘带、不干胶、医用贴剂、离型纸、保护膜、组合盖、背板材料、无纺布、橡胶、纸张纤维等产品的拉伸、剥离、变形、撕裂、热封、粘合、穿刺力等性能测试。薄膜拉力机标准：GB 13022、GB 8808、GB 1040、GB 4850、ASTM E4、ASTM D828、ASTM D882、ASTM D1938、ASTM F904、ISO 37薄膜拉力机特征：兰光研究制造的高端产品，采用国际知名品牌零部件，进口高精传感器，仪器稳定性高；微电脑控制，液晶显示，操作简便。薄膜拉力机具备抗拉强度、最大拉断力、断裂伸长率、撕裂强度、热封强度、剥离强度、定伸应力、弹性模量多项独立试验功能；专项试验结果一目了然，无需繁琐设置、计算；最大量程500N，完全满足行业需求同时具备超高0.5级精度；超长行程1000mm满足大变形率材料的测试要求；最大量程500N，完全满足行业需求同时具备超高0.5级精度。薄膜拉力机技术指标：规       格：500N   50N （可选其一）精       度：0.5级 试验速度：50  100  150  200  250  300  500mm/min 试验宽度：30 mm（标配夹具）                   50mm （可选夹具）行       程：1000mm了解详情请致电：济南兰光0531-85068566 Labthink兰光产品： 1. 透氧仪 2. 气体渗透仪 3. 透气性测试仪 4. 透湿仪 5. 透湿性测试仪 6. 密封试验仪 7. 落镖冲击试验仪 8. 密封仪 9. 泄漏与密封强度测试仪 10. 氧气透过率测试仪 11. 热封仪 12. 氧气透过率测定仪 13. 水蒸气透过率测试仪 14. 薄膜拉力机 15. 摩擦系数仪 16. 初粘性测试仪 17. 智能电子拉力试验机 18. 撕裂度仪 19. 热缩试验仪 20. 电子剥离试验机 21. 揉搓试验仪 22. 瓶盖扭矩仪 23. 顶空分析仪 24. 磨擦试验机 25. 热封试验仪 26. 摆锤冲击试验仪 27. 墨层结合牢度试验机 28. 持粘性测试仪 29. 薄膜测厚仪 30. 雾化试验仪 31. 摩擦系数测试仪 32. 纸箱抗压试验机 33. 气相色谱仪 34. 摩擦系数测定仪 35. 测厚仪 36. 胶粘剂拉伸剪切试验机 37. 透气度测试仪

本成果以水溶性丙烯酸酯树脂为基体制备特种胶黏剂，胶黏剂可与水任意比例混合，VOC含量低，无刺激性气味。胶黏剂在基材表面干燥后，室温状态下为无色透明薄膜，在一定温度下软化并具有一定粘结性，继续升温并保持一段时间后可以形成热固性树脂，具有较高的粘结强度。本成果已经通过中试试验，产品质量稳定，具有进行大规模生产的前景和能力。

目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系，这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成，这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移，导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂，且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸，因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶， 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基，由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶，这些正型248-nm光刻胶获得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点，还制备了厚膜248-nm光刻胶，可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5：1的光刻图形：  在此基础上，还制备了负型248-nm光刻胶，这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备，原料易得，反应条件温和可控，去金属杂质的方法也是简便易行，成本相对低廉，在经过多年的深入研究之后，完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中，对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料，日本公司的产品占据全球市场的70%以上，而我国在中高端产品上（248-nm光刻胶、193-nm光刻胶）完全依赖进口，即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此，我们必须尽快扭转这种不利的局面，这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注，已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化，但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多，本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始，至今近二十年来聚焦于光刻胶研究，在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果，也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章： 1.国家重大科技专项（02专项）子课题,课题编号:2010ZX02303（深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究） 2.国家自然科学基金应急管理项目，51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用，中国发明专利，专利号：9。