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一种荧光分子探针及其在硫化氢检测中的应用
本发明公开了一种荧光分子探针及其在硫化氢检测中的应用，该荧光分子探针的结构为R1-N3，其中，R1为具有聚集诱导发光性能的基团。原理为该含叠氮官能团的分子由于叠氮的猝灭作用在溶液中或者聚集态均不发光，而利用硫化氢对叠氮官能团的还原后生成的含氨基的分子则呈现AIE的特性，从而实现聚集态下对硫化氢浓度的检测。原理为由于聚集态下残留的叠氮基团会导致整个聚集体的荧光猝灭，所以探针分子的发光只能在叠氮基团大部分被还原后才能被“打开”，从而实现了通过调控探针分子的浓度得以调控检测限和有效检测范围。
浙江大学
2021-04-11
一种铕掺杂羟基磷灰石荧光纳米粒子的制备方法
研发阶段/n该发明涉及一种铕掺杂羟基磷灰石荧光纳米粒子的制备方法，其对沉淀法进行改进，通过添加生物相容的稳定剂结合超声分散技术得到稳定的铕掺杂HAP荧光纳米粒子悬浮液，并通过水热处理提高其结晶度进而改善其荧光性。包括有以下步骤：1）配置氯化钙和氯化铕的混合水溶液，控制Eu/(Ca+Eu)摩尔比为0.1-4%，配置磷酸氢二钠水溶液，室温下将磷酸氢二钠水溶液迅速倒入氯化钙和氯化铕的混合水溶液中，搅拌混合均匀，反应后，离心得到沉淀物，用去离子水冲洗后重新分散到去离子水中；2）加入稳定剂，高能超声探头超声分
武汉理工大学
2021-01-12
一种席夫碱类多功能荧光探针及其制备方法与应用
一种席夫碱类多功能荧光探针及其制备方法与应用，该荧光探针的结构如式为（ｉｍｇ ｆｉｌｅ＝＇ＤＤＡ０００１２１８９２１９５０００００１１．ＴＩＦ＇ ｗｉ＝＇１１２１＇ ｈｅ＝＇５１９＇ ／）其制法为将对二甲氨基丙烯醛与二氨基马来腈溶于醇溶液中，配制成混合溶液，向该混合液中加入浓盐酸，在７０～８０℃反应５～７ｈ，沉淀过滤、洗涤后，经重结晶得到纯品，即可。优点为该荧光探针为席夫碱类化合物，具有亚胺键和氨基基团，对Ｃｕ２＋和ＰＯ４３?的识别均有优良的选择性，与其它常见金属离子或阴离子作用荧光信号基本没有变化
东南大学
2021-04-14
一种具有Aβ亲和力的荧光化合物及其用途
一种具有Aβ亲和力的荧光化合物及其用途，本发明涉及通式（I）表示的具有Aβ斑块亲和力的荧光化合物（n取1、2或3）以及含有该衍生物的组合物。本发明还涉及其制法和其在显像Aβ斑块的方法中的应用。
四川大学
2016-10-11
改性沥青荧光显微形态结构图像源样本的制备方法
包括以下步骤：（1）加热改性沥青使之软化融熔，加热温度为 100～130℃；（2）将融熔的改性沥青在室温中自然稍冷却 5～10min；（3）将稍冷却后的改性沥青搅拌均匀并倒于圆柱形器皿中，沥青高于器皿口边缘处；（4）将装有沥青试样的圆柱形器皿水平放置于-25--30℃的环境中，放置时间 3-5h；（5）取出试样，观测试样表面是否平整；（6）将表面平整的试样器皿在室温中水平放置 2h，自然脱水后进行图片拍摄；将表面不平整的试样器皿用小刀将表面刮平，使之具有良好的平整度，放回-25--30℃的环境中继续
扬州大学
2021-04-14
一种氰根离子荧光指示材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种氰根离子的荧光指示材料，该氰根离子荧光指示材料为稀土铽离子与2，2’?联吡啶以及配体分子通过分子自组装反应形成的金属有机框架材料，该荧光指示材料利用π共轭介导荧光增强的新原理检测溶液中的氰根离子浓度。本发明还公开了上述氰根离子荧光指示材料的制备方法和应用。本发明氰根离子荧光指示材料能特异性、快速荧光显示溶液中的氰根离子浓度，使用简便，
东南大学
2021-04-14
MKRB-Y9 人工智能3D视觉喷胶柔性生产线
人工智能3D喷胶柔性生产线主要由工业机器人机器人，3D视觉系统，自动喷胶系统、自动清洗系统、产品输送线、安全系统及限属设备组成。系统中机器人无需编程，由3D视觉算法引导机器人执行喷胶作业喷胶轨迹根据产品型号、位置、歪斜角度等自动调整。人工智能3D视觉喷胶系统内置多种先进深度学习算法，可识别包括金属件、盒状物体、袋状物体、瓶状物体等在内的多种物体，物体既可紧密贴合，亦可随意堆叠。支持带有复杂图案，反光胶带，面单的物体，支持表面反光或暗色的物体。流程化的界面，简单易懂;完全开放式的后台，支持用户进行定制化算法开发，帮助实现全自动化标定;可视化、无代码的编程界面，一键仿真;用户无需编写任何代码，即可学会操作机器人;完全图形化交互界面，功能图标直观易懂，拖式操作能快速搭建视觉方案
宁波摩科机器人科技有限公司
2022-11-07
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11