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大功率半导体激光器外延与芯片制备
成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、
北京工业大学
2021-04-14
一种双波长可调谐半导体激光器
本发明公开了一种双波长可调谐半导体激光器，该激光器包括 有源区、相位区和光栅区；从下往上依次附着有第一缓冲层、有源层 和第一覆盖层，第一缓冲层、有源层和第一覆盖层构成了有源区；从 下往上依次附着有第二缓冲层、波导层和第二覆盖层，第二缓冲层、 波导层和第二覆盖层构成了相位区；从下往上依次附着有第三缓冲层、 光栅层和第三覆盖层，第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层构成了相位 区；在第一覆盖层的上表面设有第一电极，在第二覆盖层的
华中科技大学
2021-04-14
一种激光触发真空开关及开关系统
本发明公开了一种激光触发真空开关及其触发系统装置。激光 触发真空开关包括密闭壳体、第一电极主件、第二电极主件。第一电 极主件包括燃弧电极、第一电极法兰、第一电极平台、聚焦镜。第二 电极主件包括燃弧电极、第二电极法兰、第二电极平台、靶电极。触 发系统装置主要包括计算机、转换器、开关电路板、激光器和激光触 发真空开关。激光触发真空开关的工作电压高达 30kV，工作电流高达 500kA，不存在以往电脉冲触发高压隔离困难、触发稳定性差、使用寿 命短等问题，能有效降低激光触发能量，改善开关器件的延时与抖动。触
华中科技大学
2021-04-14
一种激光-电弧-磁场复合焊接的励磁移动平台
本发明属于焊接领域，并公开了一种激光-电弧-磁场复合焊接的 励磁移动平台，包括底座、伺服电机、水平导轨、支撑平台、滚珠丝 杠机构、支架、励磁线圈和夹具，伺服电机和水平导轨均安装在所述 底座上，支撑平台安装在所述水平导轨上，伺服电机通过所述滚珠丝 杠机构驱动所述支撑平台移动;夹具安装在所述支撑平台上;支架安 装在所述底座上，并且支架上安装励磁线圈。本发明的夹具可以实现 工件的准确定位及装夹，通过励磁线圈可以实现焊缝区域的磁场调节; 伺服电机可以保证工件在焊接过程中的匀速移动，保证了焊接时熔池 所处区域
华中科技大学
2021-04-14
一种曲面打印激光实时烧结固化装置和方法
本发明属于柔性电子制造、激光加工领域，具体设计一种曲面 打印激光实时烧结固化装置和方法，该装置包括打印模块，观测模块 和激光输出模块;所述打印模块包括高精度微纳图案打印系统、喷印 头和曲面基板，所述观测模块包括观测相机和相机移动装置，所述激 光输出模块包括一台激光器和激光调节装置。本发明还公开了一种曲 面打印激光实时烧结固化的方法。本发明利用激光实时烧结工艺可以 完成打印结构的瞬间烧结、固化，同时可以通过激光能量密度等工艺 参数调节固化程度，得到可控的截面形状，从而在曲面上得到理想的 微纳结构图案，
华中科技大学
2021-04-14
基于激光诱导的 3D 生物打印系统及方法
本发明公开了一种基于激光诱导的 3D 生物打印系统及方法，包括激光阵列产生系统、固定件、三 维移动平台、实时监控系统和控制中心，其中:激光阵列产生系统，用来产生单束或多束的激光阵列， 且产生的激光阵列照射至透明基板上表面;固定件，用来将透明基
武汉大学
2021-04-14
星载激光测高仪在轨检校方法及系统
本发明提出一种星载激光测高系统在轨检校方法及系统，在现有的在轨检校方法的基础上，根据已 知地表先验模型，建立星载激光测高仪的测距模型；基于测距模型，建立系统误差与测距残差的关系； 利用实测距离值与测距模型计算距离值生成测距残差，利用测距残差实现了对测高系统系统误差中的装 配误差及测距误差的在轨检校。本发明技术方案能够很好地检校系统误差，避免了姿态机动。
武汉大学
2021-04-14
面向5G前传的高速半导体激光器
5G新基建是国家的重要发展战略，宽温高可靠的25Gb/s DFB(分布反馈)激光器芯片是5G光传输核心光芯片，也是当前5G建设的卡脖子问题之一。自主可控的5G光模块DFB激光器芯片对解决光通信“空芯化”问题，推进“中国芯”国家重大战略实施，保障我国通信基础设施安全具有重要的经济和社会效益。因DFB激光器的微分增益随温度上升迅速下降，常规的DFB激光器面临严重的高温高带宽瓶颈。面对5G应用要求的-40~85℃的宽温应用场景，常规DFB激光器芯片往往是超频运行，严重影响可靠性。因此，研制全国产宽温25Gb/s DFB激光器芯片，同时兼顾低成本高可靠需求对推进“中国芯”国家重大战略实施具有重要意义。
本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导DFB激光器结构，相比较常规DFB激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。芯片的高温输出光功率大于10mW，单模抑制比大于40dB，实测宽温25Gb/s眼图及误码率均达到商用需求。同时，相比较常规芯片，其制作过程只需多加一步简单的刻蚀，无需二次外延，成本低，做了2000小时的老化试验，其功率变化小于0.5%，具有高可靠性。
图1（a）常规DFB激光器芯片截面图（b）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片截面图（c）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片概图（d）（e）（f）分别为常规芯片、沟脊距为2μm、沟脊距为6μm SEM图
图2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应曲线对比（d）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应带宽对比，带宽可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼图（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背传输及10km传输误码率曲线
图3（a）（b）25℃和85℃下常规芯片与沟中沟脊芯片2000小时老化实验结果，功率变化小于0.5%
华中科技大学
2022-10-11
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将
华中科技大学
2021-04-14
一种用于可调桨叶片的激光测量装置及系统
本实用新型公开了一种可调桨叶片激光测量装置，包括底座、旋转台、激光位移传感器、横向移动机构和纵向移动机构；底座，用于支撑测量装置其它部件；旋转台，安装于底座上，用于放置和旋转待测可调桨叶片；横向移动机构，用于在水平方向上调节激光位移传感器相对可调桨叶片上测点的位置；纵向移动机构，用于在竖直方向上调节激光位移传感器相对可调桨叶片上测点的位置；激光位移传感器，用于采集可调桨叶片上测点与激光位移传感器之间的距离。本实用新型提供了一种可调桨叶片激光测量系统。本实用新型采用激光三角测量原理获取测点的空间坐标，
华中科技大学
2021-04-14