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第四届教创赛专家报告集萃③ | 复旦大学外国语言文学学院院长高永伟:人工智能背景下外语教育与人才培养的创新探索
人工智能背景下外语教育与人才培养的创新探索——在全国高校教师教学创新系列活动-新文科教育创新学术活动的报告
中国高等教育博览会 2024-09-03
超高细胞浓度红酵母菌的培养和产业化生产技术
红酵母是单细胞真核生物,因其含有虾青素等高抗氧化生命活性物质,能够使三文鱼等养殖动物的肉色鲜红而具有非常重要和广泛的应用前景与价值。 应用领域: 直接作为饲料添加剂应用于水产养殖、畜禽养殖。 可以作为提取提纯虾青素等主要生命活性物质的原料,在化妆品、医药和食品添加剂方面具有重要的应用价值。
北京科技大学 2021-04-11
一种原位可移动封闭式室内外小球藻培养装置
一种原位可移动封闭式室内外小球藻培养装置,包括桶体和桶盖,所述桶体由透明的PET材质一次成型,其特征在于:所述桶体包括成长方体形状的桶身,成圆锥台体形状的瓶颈和成圆柱体形状的桶口,所述桶口上安装有封口膜。相比于现有技术,本实用新型的有益效果为:成本低廉,使用方便,效果好。
青岛农业大学 2021-04-11
教育部关于实施国家优秀中小学教师培养计划的意见
从2023年起,国家支持以“双一流”建设高校为代表的高水平高校选拔专业成绩优秀且乐教适教的学生作为“国优计划”研究生,在强化学科专业课程学习的同时,系统学习不少于26学分的教师教育模块课程(含参加教育实践),通过“国优计划”研究生培养吸引优秀人才从教,为中小学输送一批教育情怀深厚、专业素养卓越、教学基本功扎实的优秀教师。
教育部 2023-07-27
一种适用于提高固碳效率的微藻规模培养装置
本发明提供了一种适用于提高固碳效率的微藻规模培养装置,包括具有至少一条跑道的跑道池和安装于所述跑道池中的搅拌桨,所述搅拌桨安装在所述跑道的一端,通过搅拌桨的旋转使跑道中的藻液流动;其特征在于:还包括若干透明盖板,所述透明盖板成间断地分布在所述跑道的上方,所述透明盖板的底部和所述藻液的上表面相接触。实现了气‑液‑盖的接触,延长了气液接触的时间,提高了CO2溶解效率。跑道池内的曝气单元能产生微小气泡,并且产生的气泡不聚并,提高了CO2溶解的效率,与此同时,曝气单元还具有通畅性不易堵、具有抗压性不易破碎的特性,并且,制作成本低廉、易安装易维护,能够在规模化培养的跑道池内实现多点间断放置。
青岛农业大学 2021-04-13
VR人才培养一体化实训环境建设解决方案
该方案基于VR/AR/MR/虚仿/游戏等行业主流的核心技术,集聚行业主流应用的沉浸式、头戴式、桌面一体式、CAVE式等设备,融合基于润尼尔多年虚拟仿真、虚拟现实产品研发技术经验、技术优势的企业级别虚拟现实教学、实训案例,以复现企业真实工作线、对标行业岗位人才需求标准为技术要求,搭建软、硬一体化的综合实训环境。
北京润尼尔网络科技有限公司 2023-04-25
海洋战略与闽台海洋人才培养学术活动在福州举办
4月15日,海洋战略与闽台海洋人才培养学术活动在福州举办。
中国高等教育学会 2024-05-06
无人车线控转向 线控底盘 无人驾驶 P-EPS 阿克曼转向 冗余转向
浙江天尚元科技有限公司 2022-06-20
高容量富锂锰基正极材料的合成与性能研究
本发明公开了一种富锂锰基正极材料及其制备方法。该方法采用共沉淀法制备前驱体[Ni(x-y/2)/x+(2-y)/3CoyMn((2-x)/3-y/2)/(x+(2-x)/3)](OH)2,然后采用高温固相法得到富锂锰基正极材料 Li[Li(1-2x)/3Nix-y/2CoyMn(2-x)/3-y/2]O2(0<x<0.5,0≤y≤0.15)。这些材料在 2.0-4.6V充放电比容量达到 200mAh/g 以上。本发明的制备方法工艺简单,成本低,适用于工业化大生产,所得到的富锂锰基正极材料在-20°C 下的放电容量可达到常温放电容量的 70%以上,可以广泛应用于电动汽车、通讯领域等。目前已经研究的体系有 Li[Li(1-x)/3Ni2x/3Mn ( 2-x ) /3]O2 , Li[Li ( 1-x ) /3NixMn ( 2-2x ) /3]O2 , Li[Li1/3-2x/3NixMn2/3-x/3]O2 ,Li1+x(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O2+x/2 等。 
江西理工大学 2021-05-04
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术,基于国内8英吋工艺技术平台,研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件(图1),能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz,输出功率>500W,功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件;频率1.2GHz,输出功率>600W,功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件;频率3.1GHz,输出功率>80W,功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件(图2)。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件:(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线:(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学 2021-04-10
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