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高纯氧化锆坩埚
产品详细介绍氧化锆坩埚纯度达到99.9,密度为6.00,最高使用温度为2200度,主要运用在熔炼贵金属,抗热稳定性能良好
北京中科奥博科技有限公司 2021-08-23
高纯氧化锆坩埚
产品详细介绍  氧化锆坩埚纯度达到99.9,密度为6.00,最高使用温度为2200度,主要运用在熔炼贵金属,抗热稳定性能良好。 主要用途 熔化贵稀金属。氧化锆坩埚,高温稳定性好, 是理想的实验高温耐火制品。 货期20-30天内发货 ! 二氧化锆的熔点比锆高,达2700℃,是自然界中耐火性能最好的材料之一。它的导热性能差,但导电能力很强,沆蚀能力也很强,即使加热到1900多摄氏度也不会跟熔融的铝、铁、镍、铂等金属、硅酸盐和酸性炉渣发生作用。因而可以用它来制造熔炼贵金属的坩埚、耐火管、耐热玻璃和耐热搪瓷等。在搪瓷和玻璃中加入二氧化锆可以使它们增强抵抗酸、碱腐蚀的能力。用二氧化锆衬砌的高温炉,受热后体积不会增大很多,温度变化对它影响很小,炉体不致因热胀冷缩而产生裂缝,可以大大延长炉子的寿命。用二氧化锆作耐火材料,加进5%的氧化钙作稳定剂,它的耐热温度比氧化铝高500度,绝热能力比添加以前提高三倍。把白色的二氧化锆掺进陶瓷,能使陶瓷更洁白光亮、更耐热,强度也有所增加,用这种陶瓷制造高温绝缘瓷瓶,绝缘能力很强,膨胀系数很小。 备:可根据用户需求定制各种非标异型氧化锆坩埚!
北京中科奥博科技有限公司 2021-08-23
高纯氧化镁坩埚
产品详细介绍高纯氧化镁坩埚
北京中科奥博科技有限公司 2021-08-23
超级电容器用中空球形多孔石墨烯的一步法制备方法
(专利号:ZL 201410081975.1) 简介:本发明公开一种超级电容器用中空球形多孔石墨烯的一步法制备方法,属于炭材料制备技术领域。该方法以可塑性的煤沥青为碳源,纳米氧化镁为导向模板,氢氧化钾为活化剂,三者干法研磨混合后的混合物转移至刚玉舟中,置于管式炉内在常压或负压的条件下进行加热,一步法制得超级电容器用中空球形多孔石墨烯材料。本发明直接以富含芳环、廉价的煤沥青为原料,大大简化了制备工艺,增加了操作安全性。本发明具有工艺简单、成
安徽工业大学 2021-01-12
一种新型的球形多叶的垂直轴水轮发电机
本垂直轴水轮发电机是应用于食水管道的内联闭式的水力发电系统,它通过消耗一定的水头或水动能从管网系统内部获取一定的电能来为检测系统提供安全可靠的电力并满足实际应用的要求。 1. 不改变水管中水流动方向。由于实际安装系统的空间狭小,没有足够的空间来改变水管中水流的方向。2. 安装方便简单并与管网系统有机结合。减少了安装时间和成本。减少了该系统对供水提供的影响。
上海理工大学 2021-04-13
一种碳化硅橡胶耐磨材料及其制备方法
一般橡胶都采用炭黑进行补强 , 所得到的产品耐磨性和拉伸强度有限 , 性能更好的采用碳纤维共混改性 , 但大大增加了橡胶产品的制造成本。寻找一种能够满足性能要求 , 又能够降低成本的新补强材料成为必然。该成果采用具有高强度 , 高硬度 , 高耐氧化性能的碳化硅对天然橡胶共混改性 , 采用天然、合成橡胶作为基体材料,以碳化硅 ( 其它填充料 ) 作为填料进行共混研究,设计并对比不同方案,以期使橡胶基体与碳化硅微粒间能产生一定的力学键合作用,从而使得橡胶耐磨性很大的提高,同时保证橡胶的其他力学和工艺性能。以获得具有良好力学性能和广阔的发展前景的复合材料。
西安科技大学 2021-04-11
碳化硅提纯工艺信息化管理子系统的设计和研制
碳化硅微粉的提纯工艺要求实时在线监测提纯罐中微粉溶液的温度、液位、搅拌机时间等参量;如果分别选购市场上已有的数字化测温仪、液位计和搅拌机运动监测(如转速)仪表分别监测相关参量,还需另外选购工业控制计算机(车间环境温度夏季高达50℃以上,普通PC机无法胜任),以便把测温仪、液位计和(搅拌机)运动监测的信号实时采集和存储。此方案不仅成本高,而且占用车间生产、物流空间较多,将对车间正常生产带来严重影响;为此(受连云港乐园磨料磨具有限公司委托)我们以增强型嵌入式微控制器AT89S52为核心,自行设计研制了集提纯罐溶液温度、液位、搅拌机监测与提纯工艺管理于一体的智能化多参量监测仪。该仪器支持时下流行的在系统编程(In-SystemProgramming)下载技术,便于今后的程序升级;采用液晶显示器和键盘作为人机接口;采用Flash存储器AT29C010A作数据备份之用;采用一主多从的方式通过RS-485总线协议实现分布式结点与上位机的通信,具有良好的抗干扰能力。
东南大学 2021-04-10
大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化
已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下,株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅(SiC)芯片生产线顺利完成技术调试,厂务、动力、工艺、测试条件均已完备,可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比,SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强,以及高热导率等优异物理特点,是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。
中国科学院大学 2021-01-12
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法, 包括以下步骤:以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底,在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区;在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极;采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护,由此完成半导体断路开 关的制备过程;本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学 2021-04-14
一种真核启动子及其制备方法和应用
本发明公开了一种真核启动子及其制备方法和应用,该启动子包括14种具有不同转录活性的突变CMV启动子中的任意一种,由人野生型CMV启动子中的NF?κB结合位点以不同的组合方式替换人工碱基序列获得。本发明制备得到一系列新的哺乳动物启动子,其中三种启动子(T1P2、T1和P2)具有比人野生型CMV更强的转录活性,这三种启动子高转录活性启动子在这些生物医学领域具有潜在的重要应用价值。此外,还产生了一系列具有各种转录活性的工程化哺乳动物启动子,可以用于灵活控制合成生物学中的基因表达输出量。本发明真核启动子的制
东南大学 2021-01-12
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