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微小型器件及微系统高加速度实验与标定技术
Ø 成果简介：利用高速旋转的转子产生的高离心力对在高承载环境下使用的器件进行加载试验，采用成熟试验技术方法和检测手段，实现对微小型机械结构件和电子器件、加速度传感器在高承载环境下的高载荷试验和标定。该设备最高加速度实验值：8万g，最高加速度标定值：1万g，实验对象最大回转半径：50mm，加速度实验精度：3%，标定精度：6%，实验对象尺寸：实验件最大尺寸长度≤18mm，实验件三维尺寸处于直径D=18，高度H=15的圆柱体范围里。适合钢、铝及铜质等各种材质加工的，在高承载环境下工作
北京理工大学
2021-01-12
基于IP库的通用MEMS器件可视化仿真与验证工具
“虚拟工艺”软件可由标准工艺流程文件和掩膜版图文件，模拟出所要加工的MEMS器件的真实三维结构，具有良好的通用性和精度。下图为自主开发的“虚拟工艺”软件生成的微夹钳三维结构。 “虚拟运行”软件对器件的运动情况进行仿真，并与最初设计方案比较来指导和修正实际加工。下图显示了微夹钳的虚拟运行结果，图中的器件颜色表示了器件运动时的剧烈程度，红色表示变形最剧烈的部分，淡蓝色表示变形较小的部分。
南开大学
2021-04-14
基于IP库的通用MEMS器件可视化仿真与验证工具
项目的背景及目的 迄今为止，集成电路的模拟、仿真直至评测已有了非常完善的工具软件；并已成为设计过程的重要组成部分；对设计的成功、可靠、高效都已起到决定性作用。而对MEMS而言，还相差甚远，这和MEMS发展的成熟程度有着直接关系。当然，这并不意味着MEMS不需要这样的工具和系统。相反，由于MEMS的功能多样、加工复杂、分析困难、设计周期长、成本高等。特别需要一个能包括运动仿真、评测在内的设计工具和系统。这是当前推动MEMS发展的当务之急。
南开大学
2021-04-14
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
复旦大学
2021-01-12
金属矿山应力测量与声波探测关键技术及其工程应用
针对金属矿山应力测量和声波探测中存在的关键技术问题开展研发，主要技术内容如下：（1）在工程实际中应用了岩石声发射测量地应力波形识别新技术；（2）研发出光弹性应力监测图像识别技术及数据分析方法及设备；（3）研发出岩体结构稳定性的声波探测技术。为我国金属矿山普遍存在的采矿回收率低、地压控制难度大等相关技术难题的解决，提供了有力的技术手段。该成果获江西省科技进步二等奖 1 项，已在国内 4 家矿山企业应用，实现产值 5.45 亿元。
江西理工大学
2021-05-04
一种低轨卫星星载图谱关联探测方法与载荷
本发明公开了一种低轨卫星星载图谱关联探测方法与载荷。该方法包括：(1)具有基于像素偏移补偿方法的检测并跟踪动目标和动态现象；(2)对动目标和动态现象的红外光谱进行多维度特性分析，以识别动目标和动态现象。该载荷包括二维伺服转台、红外反射镜、多谱段红外光学系统、红外成像单元、宽波段红外测谱单元、数据处理单元和控制单元。本发明实现了红外成像光路和短/中/长波红外测谱光路共光轴，能同时探测动目标和动态现象的红外图像信息及其红
华中科技大学
2021-04-14
教创赛专家报告荟萃⑫ |清华大学基础工业训练中心主任杨建新：清华大学创新创业教育体系及iCenter的探索与实践
三位一体、三创融合、开放共享
高等教育博览会
2025-09-28
探测窗口可调的双模式有机光电探测器
课题组提出一种近红外和可见光的双模式/双波段可调的有机光电探测器，其器件结构主要包括可见光吸收层、光学间隔层、近红外吸收层。研究发现，基于此结构的有机薄膜光电探测器具有近红外和可见光两种不同波段光响应的工作模式。在近红外光照射下，光电流从近红外吸收层产生，其工作原理是在负偏压下，有机薄膜层和阴极电极的界面发生陷阱导致的近红外光响应的载流子注入。而在可见光的照射下，光电流则从可见光吸收层产生，原理是在正偏压下，可见光响应的载流子注入发生在阳极电极和有
南方科技大学
2021-04-14
一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件
本发明公开了一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件。该 器件包括基板和位于基板上的能产生电磁感应透明现象的金属单元阵 列；所述金属单元阵列包括多个阵列分布的金属单元，所述金属单元 包括第一金属微结构和第二金属微结构，所述第一金属微结构包括第 一金属图形，所述第二金属微结构包括第二金属图形，所述第一金属 微结构和/或所述第二金属微结构还包括半导体元件。本发明能有效解 决现有技术中不能简单快速地对电磁感应透明超材料的工作
华中科技大学
2021-04-14
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度，从而促进器件尺寸微缩；该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒，实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性；器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现，且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下，实现亚10nm沟道长度，突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈，为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学
2021-01-12