工作的研究对象为无穷大固体表面以及在其上微纳尺度的悬臂。该研究发现，随着固体表面粗糙度增大，界面热阻呈指数化增大，同时测量获得的数据也更加弥散。单层石墨烯加入到固固界面之间能够有效降低界面热阻，同时测量的热阻弥散度也快速减小。结合计算模拟的结果，这里发现的奇特热阻的弥散现象（不确定性）可以解释为当悬臂和界面粗糙度的尺度可以比较时，每次悬臂与无穷大固体表面的接触面积将出现极大的差异。 单

本发明提供一种地理空间数据的用户隐私保护方法及系统，包括对数据空间进行分割，基于均匀性 度量参数将相似单元格合并到同一个划分，向每个划分中分别添加符合拉普拉斯分布的随机噪声得到含 噪数据集，基于含噪数据集对外提供数据查询结果。本发明基于对噪声误差和均匀假设误差的分析，提 出了一种新颖的数据域粒度划分模型来平衡两种误差，使得数据查询总误差最小。此模型建立时考虑了 查询为矩形的情形，更符合数据查询实际情况。进一步，通过对数据空间中相似单元格进行合并

本发明公开了一种粗糙粘结界面粗糙度的临界值计算方法，包含步骤如下：(1)将一种材料的粘结界面处理平整光滑，然后制作两种材料粘结在一起的轴向受拉试件；(2)测定平整光滑界面状态下两种材料粘结界面的轴向抗拉强度σj；(3)测量两种粘结材料的轴向抗拉强度σ1和σ2，选择两种材料中轴向抗拉强度最小者作为临界值σmin；(4)确定粗糙粘结界面局部凸凹部分的平均间距d；(5)建立粗糙界面的粘结强度σj,c与σj、粗糙界面局部凸凹高差平均值h及粗糙界面局部凸凹部分的间距平均值d的关系；(6)令σmin＝σj,c，求得界面局部凸凹部分的高度临界值hmin；(7)如果实测值h大于hmin，则不会发生粗糙粘结界面剥离破坏，如果实测值h小于hmin，则会发生粗糙粘结界面剥离破坏。

本发明公开了一种基于用户的统计信道状态信息的预编码方法 及系统。该方法包括如下步骤：根据用户的信道状态，将用户分为统 计用户和瞬时用户，基站获取所有统计用户的统计 CSI 和所有瞬时用 户的瞬时 CSI；对每个统计用户，计算其正交于其他用户的信道空间 的正交子空间，并利用该正交子空间设计该统计用户的预编码向量； 获取所有瞬时用户正交于所有统计用户的信道空间的正交子空间，并 利用该正交子空间设计所有瞬时用户的预编码矩阵。该方法仅利用用 户的统计 CSI，不限定基站服务的用户数目，能够同时服务于仅有统 计 CSI 的用户和有瞬时 CSI 的用户，并且能够有效避免两类用户之间 的干扰。

本发明公开了一种基于 D2D 和上行 NOMA 的两用户通信方法， 包括：获取当前网络信息和用户信息；两个用户需要在通信时长 T 内 完成各自的数据传输，当距离上满足 di＞dj＞d0 且 dj+d0＞di,i≠j,i,j∈ {1,2}时，用户 i 在通信时长 T 内使用全部频谱资源将数据量 Di 通过 D2D 方式传输给用户 j；用户 j 工作在 FD 模式，在通信时长 T 内使用 全部频谱资源通过 NOMA 方式将数据量 Di 和 Dj 上传给基站，其中用 户 i 的数据作为强用户数据，基站首先对其进行解码，然后再解码用 户 j 的数据；本发明提供的结合 D2D 技术的上行 NOMA 高能效通信 方法，与采用上行 OFDMA 的通信方法相比，在保证系统频谱效率不 变的情况下，较好地提升了系统能效。

本发明公开了一种同质包套热等静压成形方法，该方法采用热 等静压(HIP)/激光选区熔化(SLM)3D 打印复合工艺。本发明提出采用 SLM 成形出同质包套来解决传统方法成形复杂形状异质包套生产周期 长、制造成本高、包套除去过程繁琐、连接界面发生扩散反应污染制 件等问题。同时将同质包套内侧表面(在热等静压中与粉末相接处的面) 设计成梯度多孔渐变结构，使得热等静压后连接界面处组织呈现出梯 度变化结构，从而克服了因 SLM

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本发明公开了一种适用于低用户密度小区上行链路的能效优化 方法，具体为：首先基站初始化计算用户密度临界值λ0(α)，根据用 户发送的导频信号确定当前路径损耗因子α0，然后基站根据已经使用 的信道个数计算当前小区用户密度λ′，最后判断如果当前小区用户 密度λ′小于λ0(α0)时，则调用等功率控制算法，否则调用信道反转 功率控制算法。本发明适用于用户端配备单天线，基站端配备任意天 线的小区场景，能够提高低用户密度小区上行链路的能量效率，从而 提升整个网络上行链路的能效。

本发明涉及一种基于气液交界面耦合的调压室通气洞风速模拟方法，该方法通过建立调压室水位液 面与通气洞气体分界面的气液耦合模型，将通气洞内的气体与引水隧洞内的液体耦合在一起，再通过特 征线解法，实现通气洞内的气体与引水隧洞内的液体在过渡过程中非恒定流动的联合模拟，精确地得到 通气洞内风速的变化过程。本发明方法理论依据充分，实现方式简单：通过气液交界面的耦合，实现引 水隧洞液体与通气洞气体的同时、联合模拟，能够真实反映管道液体及调压室水位波动对通气洞风速的 影响，得到的风速模拟结果可信、精度高，并且计算稳定、速度快，模拟结果可直接用于指导调压室与 通气洞的设计，为通气洞的体型设计与优化提供了可靠保障。 

本发明公开了一种多用户 MIMO 广播信道在混合 CSI 下的自 由度优化方法，包括：(1)根据静态接收器组的信道参数 Hs 设计预编 码矩阵 W，<img file=""DDA0000731125240000011.GIF"" wi=""380"" he=""87""/>(2)通过静态接收器的目标信号 d和预编码矩阵W 获得静态 接收器组的编码信号 Xs，<img file=""DDA0000731125240000013.GIF"" wi=""534"" he=""88""/> 其 中 xi ＝ Wdi ∈ CK × 1 ， <img file=""DDA0000731125240000014.GIF"" wi=""501"" he=""85""/>(3) 对 动态用户的目标信号 Xd 和静态接收器组的编码信号 Xs 进行格拉斯曼 -欧氏叠乘，得到叠乘信号<img file=""DDA0000731125240000012.GIF"" wi=""364"" he=""142""/>基站发送此叠乘信号；(4)各用户对接收信号进 行解码。本发明方法对于动态用户来说，叠乘并不改变它与基站间的通信，就好像没有静态用户存在一样，其自由度是没有变化的；对于 静态用户来说，基站发送叠乘信号时，可以让它获得额外的自由度增 益。