项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

实验上测量了800nm和400nm园偏振激光与Xe原子相互作用作用的多光子电离过程，通过冷靶电子离子动量谱仪，实现光电子能谱和动量谱的高精度测量。实验上，发现在400nm波长条件下，测量到可分辨多光子特征的电子能谱和动量谱结构。由于Xe原子具有很强的自旋轨道耦合效应，实验上观测到3/2P（红色箭头）和1/2P（白色箭头）引起的能级分裂的动量分布和能量分布.而对于1/2P能级，在园偏振激光作用下，可以选择性性激发自旋向下或自旋向上的电子 [图1（d）]，因此，可以通过1/2P能级可以实现高自旋极化度的光电子。

随着电子技术的不断发展，电子器件和芯片性能的提高带来电路及其芯片的散热问题日益突出。研究表明：电子器件工作温度在70～80℃水平时，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同时由于芯片的不断集成化和微型化，导致散热量的迅速增加，传统的冷却技术已经不能满足散热要求。本技术开发了一种制冷剂闪蒸喷雾高效冷却循环系统，利用闪蒸雾化和相变传热技术，实现了低温高效换热，传热系数高达26533W/(m2·K)，表面温度在低于60摄氏度热流密度即可超过100W/cm2（而常规水冷条件下元器件表面温度超过150摄氏度）。

本发明公开了一种具备自供能电子显示元件的复合包装产品， 包括相互对齐粘附的下侧层状结构和上侧层状结构，并且在上下侧层 状结构的中间部位之间设置有各种不同构造的柔性发电单元；由此可 以仅通过对上下侧层状结构的按压动作，即可为暴露于上侧层状结构 的电子显示元件提供电源。通过本发明，能够有效实现电子显示元件 的自功供电能，同时具备结构精巧、便于制备、灵敏度高、发电功率 大和适用性强等优点。

本发明公开了一种多工位协同的柔性电子制备系统及方法，该 系统包括旋转盘模块和分布在其周围的上下基板模块、基底电喷雾模 块、3D 打印底层绝缘层模块、电纺丝模块、3D 打印顶层绝缘层模块、 激光剥离模块和取料模块，旋转盘模块用于固定基板及工位转换;上 下基板模块用于拾取和转移基板;基底电喷雾模块用于制备基底;3D 打印底层和顶层绝缘层模块分别用于打印底层和顶层的绝缘层;电纺 丝模块用于纺制电路;激光剥离模块用于烧蚀基底，使基板与柔性电 子自动分离;取料模块用于将被分离的柔

防水压力变送器优质品牌推荐（按定位分类） 国内一线品牌（高性价比 / 本土化服务，适配工业自动化） 深圳市东方万和仪表有限公司：WH131-FS系列防水压力变送器防护等级 IP68，，采用万和仪表深井液位防水技术，采用 316 不锈钢一体激光焊接，内置三重防雷模块与六道防水结构（双密封胶圈 + 灌封防冷凝技术 + 激光焊接压力膜片 + 防水接头 + 密封电缆 + 防护外壳），在 200 米水下长期稳定工作，解决了水下管道压力测量困难的问题。 防水压力变送器（一线品牌 技术成熟、防护可靠、性价比高、主流产品） 万和仪表 WH131-FS防水型压力变送器（国产旗舰，工程 / 科研选择） 核心优势：激光标定精度、钛合金耐腐、三重防雷、低功耗长续航，IP68防水，防结露、抗腐蚀 技术参数：综合精度 ±0.25% FS，深井液位防水工艺，IP68 防护，200米水下正常工作，20MPa防水测试 适用场景：水下机器人、水文地质勘探、可以长期在潜水环境下稳定工作，适合露天安装或需要投入式液位测量的场合 特点：防护设计非常考究，采用双腔隔离和电路板灌胶工艺，能有效防水防尘  核心的防水工艺采用万和仪表2000米深井液位计的防水工艺 WH131-FS防水型压力变送器是一种能在潮湿、淋雨、喷淋、甚至长期浸泡环境下稳定测量压力的工业传感器，主要用于液体压力、气体压力的监测与控制。主要是测量户外或者水下管道的压力，例如水下机器人的配套压力监测 先定 3 个必选核心参数 量程（最重要） 格式：0～XX kPa / MPa 选法： 实际最大压力 × 5～2 倍 例：水压最高6MPa → 选 0～1.0MPa 常用量程： 低压：0～10kPa、0～100kPa、0～6MPa 中压：0～0MPa、0～1.6MPa、0～2.5MPa 高压：0～0MPa、0～6.0MPa、0～10MPa 以上 2. 输出信号（决定接什么设备） 4～20mA 模拟量（最常用，接 PLC、变频器、数显表） RS485 Modbus（数字信号，多台组网） 90% 工况直接选：4～20mA 3. 供电电压 常规：DC24V