产品详细介绍SPC-QL轮流显示抢答器    该系列产品在全国各地电视台、工厂、机关、团体、工会、学校、部队、行政和机关等部门得到广泛使用。产品性能：（单片机控制）1.本仪可允许8组（8队）进行抢答；2.抢答时间和答题时间可调；3.倒计时显示抢答时间和答题时间；4.显示屏上的抢答组用高4英寸数码管显示、时间用4英寸数码管显示；数码管采用长寿命高亮度数码管，白天亦可进行抢答活动；5.“抢答开始”、“有人抢答”、“抢答时间已到”均发出不同声音作提示；6.各组可分别进行加分或减分（加分以10分为单位，减分以10分为单位）；7.自动累计各组得分，按“调显”键轮流显示各组得分；8.以闪烁方式显示出违法抢答(偷跑)小组，并用特殊声音告警；9.不需电池，本抢答器的得分情况，不会因突然停电事故而丢失或错乱。特点：   可悬挂式显示屏，真正LED数码管显示（与银行汇率牌相同，非发光二极管）； 该产品做工精细，操作简便（傻瓜化），安装简单（都是插头连接）    来自国际 ISO 9001 质量体系认证企业。质量好、性能优、价格廉、售后服务及时，让您用的放心，欢迎您的光临。规格：37cm×25cm            厂家直销，欢迎订购，欢迎代理18959026935        0597-2888150

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产品详细介绍独特的应用特点：1.中文操作面板－使操作更加简单便捷2.前置式水平调节泡－方便操作者对天平进行水平调节3.多组合式风罩－5片玻璃无须任何工具就可轻松拆卸，充分满足您不同的称量需求4.优化的微小加样称量－采用最新的数字处理技术，在保持天平读数稳定性的同时，大大提高对微量加量的响应速度5.动态温度补偿功能－时时修正环境温度变化对称量结果的影响独特的应用功能：1.多种称量单位－毫克、克、千克、盎司、磅、克拉等及可自定义单位2.环境滤波优化设置－根据用户工作现场的环境特点，可对天平进行高、中、低滤波优化设置，从而使称量结果更快速、更稳定3.自动清零设置－环境的变化可能引起显示的漂移，自动清零设置可以保证即使环境有微小的变化，天平仍然保持从0克开始称量4.经典应用模式－计件称量和百分比称量5.内置下挂式秤钩－满足用户进行下挂式密度测定和其他特殊称量要求，如大体积样品的称量等6.标配RS232通讯接口－方便连接打印机、电脑和其他外围设备7.选配第二显示器－可同步显示天平上的称量值，方便数据的读取经典应用模式：1.计件称量－此应用模式可计算单一重量物品的数量，天平通过已记录样品的单重值,称量多个样品时,天平会自动显示称量样品的个数，可用于库存控制、零件打包、验收、分配和计票等工作。先行者通用型天平不仅具有标准计数功能还具有平均单件重量最优化功能。2.百分比称量－广泛用于溶剂溶液配比的称量方法。在该模式下，先在秤盘上放上样品作为参考重量，参考重量将显示为100%，而后放上的其他载荷将以与参考重量比较后的百分比方式显示。型号   量程  可读性 CP64C 65g 0.0001g CP124C 120g 0.0001g CP224C 220g 0.0001g CP153C 151g 0.001g CP223C 220g 0.001g CP323C 320g 0.001g CP423C 420g 0.001g CP522C 520g 0.01g CP1502C 1510g 0.01g CP2202C 2200g 0.01g CP3202C 3200g 0.01g CP4202C 4200g 0.01g CP64 65g 0.0001g CP114 110g 0.0001g CP214 210g 0.0001g CP153 151g 0.001g CP213 210g 0.001g CP313 310g 0.001g CP413 410g 0.001g CP512 510g 0.01g CP1502 1510g 0.01g CP2102 2100g 0.01g CP3102 3100g 0.01g CP4102 4100g 0.01g 

产品详细介绍 赛多利斯sartorius   BSA系列电子天平

本发明公开了一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻 辑操作方法，非易失性逻辑器件包括磁头以及依次附着于衬底上的底 电极、绝缘层，相变磁性薄膜和顶电极；其中相变磁性材料由一种相 变材料基质中掺杂铁磁性元素构成，材料的磁性能够通过非晶态-晶态 相变来可逆调控。本发明基于材料的相变控磁特性实现“实质蕴涵” 逻辑运算以及“与”、“或”、“与非”和“或非”四种布尔逻辑运 算，其运算结果以材料的剩余磁化存储在器件中，从而实现

一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术，它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快，已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域，是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。在光纤的使用过程中，光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题：1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤；2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件，也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。该实验仪重点介绍了常用的光无源器件的相关参数及测试方法。为此公司研制出本实验系统，让学生了解和认识光纤耦合的相关参数和特性、光无源器件的相关参数及测试方法等，通过实验平台的搭建，可以让学生更深刻的了解，也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力，是学校金工实习（工程实习）与工程检测的不二之选。 二、实验内容 650nm激光器与光纤耦合实验 1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 相同模式光纤之间耦合实验 不同模式光纤之间耦合实验 光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 光纤转换器测试实验 光纤变换器测试实验 光纤耦合器测试实验 光纤隔离器特性测试实验 波分复用器和解复用器测试实验 可调光纤衰减器测试实验 光纤机械光开关特性测试实验 光纤偏振控制器特性测试实验 光纤偏振分束器（PBS）性能能参数测试实验 不同种类光纤、光缆及光器件认知和操作实验 熔接机原理及使用实训操作实验 剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验 手动模式下，光纤熔接实训实验 自定义模式下，光纤熔接实训实验 光纤端面处理基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光功率耗损法对光纤熔接质量测试 三、实验配置参数 1、光源：波长1310±20nm，1550±20nm；输出功率：1-2.5mw，连续可调；输出端口：FC/PC；稳定性＜0.5db（5h）；光源类型：LD光源； 2、光功率计：波长范围800-1700nm；输入接口：FC 校准波长：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入损耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波损耗＞65dB； 4、光纤机械光开关：插入损耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波损耗＞50dB ；开关速度：≦8ms ； 5、高隔离度光纤隔离器：最大插入损耗：0.35dB ；回波损耗：≧50dB ；隔离度：≧30dB ； 6、光纤耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入损耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纤波分复用器：隔离度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入损耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纤可调衰减器：0-30db可调； 9、软件：配套仪器使用，数据采集处理； 10、光纤熔接机：适用光纤：SM (单模), MM (多模), DS (色散位移)光纤, NZDS (非零色散位移，即G.655光纤)，BIF/UBIF（G.657）； 光纤切割长度：8-16mm, 被覆光纤直径250µm，16mm，被覆光纤直径250µm-1000µm；平均接续损耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；显示：高性能5.6英寸彩色LCD显示屏，提供清晰的数字图像显示；电极寿命：2500次；锂电池容量：典型熔接250次，充电时间3小时，可在充电时使用；电源：交流适配器输入电压100-240V  50／60Hz，输出电压：DC13.5V /5A，直流输入电压11.1v ( 内置锂电池8800mAh )； 四、实验目的  1、了解光纤连接器及其原理、种类，实验操作进行连接器参数测量； 2、掌握光纤头平端面的处理技术。 3、掌握光纤之间的耦合、调试技术，了解光纤横向和纵向偏差对光纤耦合损耗的影响。 4、掌握光纤熔接的基本技术。 5、熟悉光纤型号及结构，掌握其装配方法、使用环境及保护措施等；

华北电力大学（保定）先进环境材料表征测试实验设备采购项目招标项目的潜在投标人应在招标通电子招投标交易平台获取招标文件，并于2022年06月15日10点00分（北京时间）前递交投标文件。

本发明公开了一种考虑双馈风电机组励磁调节特性的电力系统 故障电流值计算方法，包括 S1 建立双馈风电机组受励磁调节特性影响 的等效受控电流源模型；S2 建立电力系统的正序阻抗矩阵、负序阻抗 矩阵和零序阻抗矩阵； S3建立不同故障类型下的故障点边界条件方程； S4 进行迭代计算获得双馈风电机组的受控电流源值； S5 根据双馈风电 机组的受控电流源值、以阻抗矩阵表征的电网节点电压方程以及故障 点边界条件方程获得当前迭代计算时各节点的各序电压值，并计算实 际节点的电压值；S6 获得当前迭代计算的节点实际电

本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，