产品详细介绍产品介绍: 经口腔进行气管插管 观察对比一侧正常与另一侧散大之瞳孔 指示环甲膜穿刺部位 本模型适合于医护院校的学生、初级临床人员、各类现场急救人员培训，经口腔进行气管插管技术的教学演示和实习操作。 高级硅胶手臂肌肉注射动脉注射穿刺训练模型ZH-S3台 1600 高级手臂血压测量训练模型 ZH-S7 台 2500 高级硅胶电子手臂静脉穿刺训练模型(报警装置) ZH-S5 台 1400 高级硅胶儿童手臂静脉穿刺训练模型 ZH-S6 台 980 高级硅胶婴儿头部双侧静脉注射穿刺训练模型 ZH-T1 台 820 高级硅胶婴儿头部静脉穿刺训练示教模型 ZH-T2 台 930 高级硅胶婴儿头部及手臂静脉注射穿刺训练模型ZH-T3 台 1200 高级硅胶儿童头皮静脉注射穿刺训练模型 ZH-T4 台1050 高级电子臀部注射训练模型（报警装置） ZH-F7/1 台 1700 臀部注射实习模型ZH-F6台 240 高级前臂静脉穿刺外套ZH-S15台 850 高级外科缝合手臂训练模型 ZH-S16 台 1000 高级外科缝合腿肢训练模型 ZH-S17 台 1200 高级牙护理保健模型 ZH-K 台 200 男性上半身洗胃模型 ZH/17台 1000 高级透明男性导尿模型：ZH-F1台3300 高级全功能创伤护理人ZH-110台6800 高级全功能组合式护理训练模型ZH/122A台3800 高级全功能组合式护理训练模型ZH/122B台3800 组合式基础护理人训练模型ZH/100S台2800 高级新型基础护理实习操作模型ZH-27台3200 高级大屏幕液晶彩显自动全电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR500台13000 高级小屏幕液晶自动电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR400台8800 高级中屏幕液晶自动电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR580台8800 高级移动显示自动电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR480台7500 高级大屏幕液晶彩显全自动电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR680台13500 新生儿气管插管模型ZH/2A台750 高级电子人体气管插管训练模型（带报警）ZH/5S台1800 高级气管插管训练模型(带报警)ZH/J50台3980 高级婴儿梗塞模型ZH/140台980 高级婴儿心肺复苏训练模拟人ZH/CPR160台4800 高级儿童复苏训练模拟人ZH/CPR150台5200 高级半身心肺复苏训练模拟人ZH/CPR180台4800 高级语言提示自动电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR280台5500 高级移动显示自动电脑心肺复苏模拟人ZH/CPR300台7500 高级电脑孕妇检查训练模型ZH/W2台4800 高级分娩机转示教训练模型ZH/6台1800 http://www.shzhonghong.com/model/20071217110253.html

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本发明公开了一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻 辑操作方法，非易失性逻辑器件包括磁头以及依次附着于衬底上的底 电极、绝缘层，相变磁性薄膜和顶电极；其中相变磁性材料由一种相 变材料基质中掺杂铁磁性元素构成，材料的磁性能够通过非晶态-晶态 相变来可逆调控。本发明基于材料的相变控磁特性实现“实质蕴涵” 逻辑运算以及“与”、“或”、“与非”和“或非”四种布尔逻辑运 算，其运算结果以材料的剩余磁化存储在器件中，从而实现

一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术，它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快，已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域，是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。在光纤的使用过程中，光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题：1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤；2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件，也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。该实验仪重点介绍了常用的光无源器件的相关参数及测试方法。为此公司研制出本实验系统，让学生了解和认识光纤耦合的相关参数和特性、光无源器件的相关参数及测试方法等，通过实验平台的搭建，可以让学生更深刻的了解，也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力，是学校金工实习（工程实习）与工程检测的不二之选。 二、实验内容 650nm激光器与光纤耦合实验 1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 相同模式光纤之间耦合实验 不同模式光纤之间耦合实验 光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 光纤转换器测试实验 光纤变换器测试实验 光纤耦合器测试实验 光纤隔离器特性测试实验 波分复用器和解复用器测试实验 可调光纤衰减器测试实验 光纤机械光开关特性测试实验 光纤偏振控制器特性测试实验 光纤偏振分束器（PBS）性能能参数测试实验 不同种类光纤、光缆及光器件认知和操作实验 熔接机原理及使用实训操作实验 剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验 手动模式下，光纤熔接实训实验 自定义模式下，光纤熔接实训实验 光纤端面处理基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光功率耗损法对光纤熔接质量测试 三、实验配置参数 1、光源：波长1310±20nm，1550±20nm；输出功率：1-2.5mw，连续可调；输出端口：FC/PC；稳定性＜0.5db（5h）；光源类型：LD光源； 2、光功率计：波长范围800-1700nm；输入接口：FC 校准波长：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入损耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波损耗＞65dB； 4、光纤机械光开关：插入损耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波损耗＞50dB ；开关速度：≦8ms ； 5、高隔离度光纤隔离器：最大插入损耗：0.35dB ；回波损耗：≧50dB ；隔离度：≧30dB ； 6、光纤耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入损耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纤波分复用器：隔离度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入损耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纤可调衰减器：0-30db可调； 9、软件：配套仪器使用，数据采集处理； 10、光纤熔接机：适用光纤：SM (单模), MM (多模), DS (色散位移)光纤, NZDS (非零色散位移，即G.655光纤)，BIF/UBIF（G.657）； 光纤切割长度：8-16mm, 被覆光纤直径250µm，16mm，被覆光纤直径250µm-1000µm；平均接续损耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；显示：高性能5.6英寸彩色LCD显示屏，提供清晰的数字图像显示；电极寿命：2500次；锂电池容量：典型熔接250次，充电时间3小时，可在充电时使用；电源：交流适配器输入电压100-240V  50／60Hz，输出电压：DC13.5V /5A，直流输入电压11.1v ( 内置锂电池8800mAh )； 四、实验目的  1、了解光纤连接器及其原理、种类，实验操作进行连接器参数测量； 2、掌握光纤头平端面的处理技术。 3、掌握光纤之间的耦合、调试技术，了解光纤横向和纵向偏差对光纤耦合损耗的影响。 4、掌握光纤熔接的基本技术。 5、熟悉光纤型号及结构，掌握其装配方法、使用环境及保护措施等；

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本发明公开了一种考虑双馈风电机组励磁调节特性的电力系统 故障电流值计算方法，包括 S1 建立双馈风电机组受励磁调节特性影响 的等效受控电流源模型；S2 建立电力系统的正序阻抗矩阵、负序阻抗 矩阵和零序阻抗矩阵； S3建立不同故障类型下的故障点边界条件方程； S4 进行迭代计算获得双馈风电机组的受控电流源值； S5 根据双馈风电 机组的受控电流源值、以阻抗矩阵表征的电网节点电压方程以及故障 点边界条件方程获得当前迭代计算时各节点的各序电压值，并计算实 际节点的电压值；S6 获得当前迭代计算的节点实际电

本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，

华北电力大学（保定）碳捕集虚拟仿真教学系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在招标通电子招投标交易平台（http://www.hebztb.com/）获取招标文件，并于2022年06月15日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。

成果描述：本实用新型公开了一种电子信息处理器,包括支架、主机和声卡,所述支架的一端设有液晶显示屏,且支架的另一端设有底盘,所述主机的上方设有键盘和鼠标,所述主机的一侧固定安装有散热孔,且主机的另一侧固定安装有开关,所述主机的底部设有主板,所述主板的上方固定安装有CPU处理器,所述声卡的一侧设有硬盘,且声卡的底部固定连接主板,所述硬盘的一侧设有内存条,所述硬盘的一端设有消音板,所述主机的下方固定安装有底座。本实用新型所述的一种电子信息处理器,设有消音板,声卡和硬盘,能够有效减少主机工作时发出的噪音,且能高效的处理和储存各种电子信息,适用不同工作状况,带来更好的使用前景。市场前景分析：本实用新型所述的一种电子信息处理器,设有消音板,声卡和硬盘,能够有效减少主机工作时发出的噪音,且能高效的处理和储存各种电子信息,适用不同工作状况,带来更好的使用前景。与同类成果相比的优势分析：国内领先

简介：本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。