一种加工硅通孔互连结构的工艺方法
本发明公开了一种加工硅通孔互连结构的工艺方法,步骤为:①在基板上刻蚀盲孔;②在基板上沉积一层图案化介电质层;③刻蚀图案化介电质层,刻蚀掉盲孔底部的介电材料,保留盲孔侧壁的介电材料,在基板上形成介电质孔;④在介电质孔上沉积一层导电材料,形成导电孔;⑤在导电层上再沉积一层图案化介电质层,填充导电孔;⑥刻蚀板背面,暴露出导电层,在导电层上形成焊料微凸点。图案化介电质层的材料优选聚对二甲苯。本发明简化了工艺步骤,减少工艺时间并降低了费用;使用二层图案化介电质层,降低了寄生电容,提升了互连电性能,适用于高速和
华中科技大学
2021-04-14