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54410岩石和矿物图书
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
电能和机械能
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
机械能和电能
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
运动和力实验箱
箱体为手提式一体工程塑料制作完成，外观尺寸（cm）：55*45*15实验项目：
①直线运动与运动的快慢；
目的：观察直线运动形式，测量运动快慢。
描述：小车在桌面上直线运动，不同小车运动快慢不同。
主要仪器与器材：秒表，弹簧动力小车（2个，产生速度不同）
要求：秒表为机械指针式，小车产生速度要慢，可从容观察。
②曲线运动与运动的快慢；
目的：观察曲线运动形式，测量运动快慢。
描述：用尼龙线连接小车侧面并固定在桌面某处，由于尼龙线的侧向拉力使小车在桌面上做曲线运动，不同小车运动快慢不同。
主要仪器与器材：秒表，弹簧动力小车，尼龙线，固定尼龙线的装置。
要求：秒表为机械指针式，小车产生速度要慢，可从容观察。
③振动与振动的快慢；
目的：观察周期性运动形式，测量运动快慢——周期。
描述：将软弹簧一端固定在铁架台支架上，另一端固定一个重物，悬挂好。将重物拉（或托）离平衡位置，则重物上下振动。
主要仪器与器材：秒表，铁架台，固定有重物的软弹簧动力。
要求：秒表为机械指针式，铁架台支架易于悬挂弹簧。
④摆的运动
目的：探究摆的运动特点——周期性与等时性。
描述：将小球用细线连接在铁架台支架上，拉离平衡位置产生摆动。
主要仪器与器材：秒表，铁架台，小球，摆线，量角器。
要求：秒表为机械指针式，铁架台支架易于固定摆线，同时配有量角器。
石家庄市艾迪科教设备有限公司
2021-08-23
一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源
一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源，包括电压预调节电路和带隙基准核电路，电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Ｖｒｅｇ对带隙基准核电路进行供电，带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ＩＣＴＡＴ产生电路、正温度系数电流ＩＰＴＡＴ产生电路和非线性电流ＩＮＬ产生电路，非线性电流ＩＮＬ产生电路用于补偿负温度系数电流ＩＣＴＡＴ产生电路中的高阶温度分量，通过叠加电流ＩＣＴＡＴ、ＩＰＴＡＴ、ＩＮＬ并由电流?电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Ｖｒｅｆ。
东南大学
2021-04-11
一种用于产生多源声发射模拟信号的断铅装置
本实用新型公开一种用于产生多源声发射模拟信号的断铅装置，尤其涉及声发射无损检测实验中，用于产生多个声发射模拟信号的一种铅笔芯折断装置。本实用新型中夹紧装置、推力螺栓安装在基座上，支撑架安装在支撑底板上，推力螺栓头伸入支撑底板的孔中；使用时夹紧装置将铅笔夹紧固定，调整支撑架的位置使其与夹紧装置对正，此时将推力螺栓旋入基座螺纹孔中直至从另一侧露出，将支撑底板安装于推力螺栓上，继续转动推力螺栓使支撑底板上升，铅笔被同时折断，得到多源声发射模拟信号。本实用新型能够模拟声发射无损检测实验中的多源信号，克服了
长沙理工大学
2021-01-12
一种单喷头多料源生物3D打印装置及其方法
本发明公开了一种单喷头多料源生物3D打印装置及其方法，属于组织工程和生物3D打印领域。包括电机固定座，电机，主动齿轮，固定转轴，转盘合件、喷头体、单向连接阀，弹簧片和进料管连接头等结构，固定转轴安装固定，电机通过齿轮传动带动转盘旋转，转盘上单向连接阀通过2个弹簧片夹持压住，且单向连接阀与喷头体有一高度差△h，当单向连接阀转到喷头体处时，喷头体将单向连接阀顶起，并顶起钢球将喷头体与单向连接阀连通，弹簧片弹起将单向连接阀压住，同时生物材料通过进料管连接头进入，实现打印过程。通过转盘旋转可切换打印材料，实现单喷头多种生物材料的打印。其优点是：结构简单巧妙，降低成本，易于实现灵活控制，大大提高打印效率。
浙江大学
2021-04-13
一种自适应增量式的深层网络数据源发现方法
本发明公开了一种自适应增量式的深网数据源发现方法，将深 层网络数据源发现过程分为站点定位和站内搜索两个阶段，在站点定 位阶段引进站点发现机制可以高效扩充站点数据以提高爬行效率；在 站点和站内链接选取采用自适应的排序机制，能够更快的发现深层网 络站点和可查询表单。本方法实现了增量自动高效采集深网数据源， 可用于深层网络数据集成和暗网爬虫，同时也适用于构建在线数据库 目录站点。
华中科技大学
2021-04-14
“思政引领·科技策源·突破圈层” 的创新创业教育改革升级
华东理工大学自上世纪80年代即鼓励研究生、大四学生参与校办企业运行，2006年起开设《创业规划》课程、成立“勤工助学集团”、建设校企联合基地。
华东理工大学
2022-08-10
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14