本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310022469.0），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种输出电容低ESR开关变换器双缘PFM调制电压型控制方法及其装置，检测流过输出电容的电流ic以及输出电压Vo，将两者相加得到信号Vos，电压控制信号Vc与Vos经过时间运算器生成可变时间，结合预设的恒定时间，再经过控制时序生成器产生由恒定时间和可变时间组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果具有输出电压低纹波且无低频振荡、稳定范围广、瞬态响应速度快、稳压精度高的优点。

一种背靠背结构电压型变流装置的双脉冲宽度调制控制器,其特点是:它包括由两套结构相同的数字信号处理器电路,现场可编程门阵列电路,同步单元电路,模数A/D转换调理电路,过压,过流调理电路,串口通信电路,故障,状态指示电路和控制电源电路组成.数字信号处理器电路的数字信号处理器DSP用来模数转换,上层控制算法,底层控制中脉冲宽度调制脉冲生成及串口通信控制;数字信号处理器电路与现场可编程门阵列电路两个输入输出I/O口相连接,用来数字信号处理器电路和现场可编程门阵列电路之间工作状态通信;具有通用性强,硬件电路无需更改的前提下,只须通过编程即可适应于不同的应用场合;具有控制精度高,电路结构简单,集成度高等优点.

JO408型直流伏特计供学校学生在实验中测量直流电路中电压。 Model JO408 DC voltmeter is suitable for students to measure the voltage in a DC ciruit in laboratory

产品详细介绍JKZC-G2/3/6系列非接触式静电电压表校准装置关键词：非接触式，静电，静电装置1. 概述    随着工业技术特别是信息产业发展，静电对各部门的影响越来越大，静电电压表和静电场强表使用越来越多，对静电进行定期计量校准、标定检定是确保静电防护的基本条件。   JKZC-G系列静电电压表计量装置能迅速准确计量校准、标定检定目前国内外大部分的静电电压表和静电场强表.。标准型主要适用于电子、航天、兵器、国防等与电子元器件、电子设备相关的行业。高压型非接触式静电电压表主要适用于石油、化工、油库、消防、天燃气、印刷、纺织、印染、橡胶、塑料、生产、储运安全管理部门中有关静电电压表的校准。可以校对正和负极双极性静电电压表校对装置，完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》要求。二、符合：完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》；符合标准：JJF 1517-2015非接触式静电电压测量仪校准JJF 1517-2015三、产品特点：1.既可校准接触式静电电压表，也可校准计量非接触式静电电压表；2.完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》；3.即可校准静电电压，也可校准静电场强；4.数字显示，分辨率高，分辨率和准确度高 ；5.稳定性好，体积小、重量轻；6.从0起连续可调，计量范围宽； 7.多重保护、操作安全放心；8.多功能夹具，可夹圆形或方形及平面的静电电压表、场强表的探头；9.全套包括静电标准源、标准电极、定位支架及直流高压分压器等　3.1正和负极双极性：JKZC-G2主要技术指标测量范围            0～±20kV 分压比精度          0.5级验收              0.3级最大允许误差        ±1%正高压电源输出电压量程        0-20KV  b：负高压电源输出电压量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V稳定性              0.1% 电压调节细度        ≤10V刻度尺范围         （1~300）mm；电压输出误差        优于±1%刻度尺误差优于      ±（0.1~1）mm绝缘支架的绝缘电阻  >1TΩ绝缘支架的耐受电压  >25kV距离调节装置的调节细度≤0.2mmJKZC-G3主要技术指标测量范围            0～±30kV 分压比精度          0.5级验收              0.3级最大允许误差        ±1%正高压电源输出电压量程        0-30KV b：负高压电源输出电压量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V稳定性              0.1% 电压调节细度        ≤10V刻度尺范围         （1~300）mm；电压输出误差        优于±0.001%刻度尺误差优于      ±（0.1~1）mm绝缘支架的绝缘电阻   >100TΩ绝缘支架的耐受电压   >50kV距离调节装置的调节细度≤0.1mm

本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。

        技术成熟度：技术突破         传统CMOS工艺的图形处理器通常是由探测、存储、处理等多个分立系统构成，不可避免的增加了集成电路的复杂性、功耗和成本，忆阻器在新型信息存储器件、存算一体化技术及人工神经网络等领域有着巨大应用潜力。         研发团队发展的感存算一体化新型光电忆阻材料与器件能够解决传统人工视听觉系统在容量、集成度、速度等方面的技术瓶颈问题，是实现高效智能视听觉传感系统的基础。研发团队首次在基于氧化钨材料忆阻突触器件的视听觉系统中模拟了速度检测的多普勒频移信息处理，进而实现高通滤波和处理具有相对时序和频移的尖峰数据。这些结果为视听觉运动感知的模拟提供了新机会，促进了其在未来神经形态传感领域的应用。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

深入了研究低电压芯片电泳的理论原理和控制方法，开展了低电压电泳分离检测相关基础理论与关键加工技术的研究。通过芯片微流道中流体的电场和流场等的模拟分析，对低电压电泳芯片进行了结构设计，提出集成非接触高频电导检测器的硅基低电压电泳芯片和玻璃基低电压电泳芯片的新结构；突破了SOI硅基芯片侧壁微电极阵列及其与高频非接触电导检测器一体化三维集成等关键加工技术，研发出基于SOI的集成低电压电泳芯片和集成光学滤色薄膜的玻璃基低电压电泳芯片的两套加工工艺；成功研制出柱端集成非接触高频电导检测器的两种低电压电泳芯片

本发明公开了一种井下仪器高电压大电流接口，包括第一外壳， 第二外壳，耐油橡胶密封圈，第一绝缘件，第二绝缘件，上导电杆， 压簧筒，压簧，下导电杆；上导电杆、压簧筒、压簧、下导电杆与所 述第一外壳、第二外壳形成同轴圆柱形电场结构，高压端通过上导电 杆、压簧和压簧筒底部压接，并与下导电杆联接；调整上导电杆的高 度可调整压簧的压紧程度，保证电气的可靠流通；第一外壳和第二外 壳通过螺纹完成机械和电气连接；上导电杆，压簧筒，压簧和下导电 杆处于第一绝缘件和第二绝缘件中心，第一外壳和第二外壳位于上端 绝缘件和第二

大型电力变压器是电力系统中电能传输的“核心”枢纽设备，也是双碳背景下大规模新能源电能输送的必经节点，一旦其发生绝缘故障易诱发电网大规模停电事故，造成巨大经济损失，因此亟需准确掌握其绝缘状态。