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河南能创电子科技有限公司
能创科技，专注于电气应用场景的技能快速提升，包括就业、上岗、职位晋升、考核评级等教学实训智能仿真系统的建设服务，并满足技术研究和生产检测等需求。主要用户为：电力和电子应用企业、科研院所、高等院校、职业教育和社会培训机构等。
河南能创电子科技有限公司
2022-05-24
高比能锂离子电池正极材料
自2000年始开展相关研究，具有深厚的技术积累，通过优化合成工艺、体相掺杂、表面包覆等手段有效地提高了材料的比容量和循环稳定性，材料性能达到国际先进水平，已完成高镍三元材料、高电压钴酸锂、富锂锰基等高能量正极材料的公斤级小试和评测。其中，高镍三元氧化物正极材料0.05 C首圈放电比容量可达200 mAh/g以上，100圈循环容量保持率达92%。高比容量高镍三元氧化物正极材料及其制备技术：开发出了具有高比容量和长循环寿命的高镍三元材料，提高材料结构的优化及制备技术的创新，显著降低了材料成本，提高了材料的放电比容量和循环稳定性，0.05 C首圈放电比容量可达200 mAh/g以上，100圈循环容量保持率达92%。
厦门大学
2021-04-11
万勇
教授，博士生导师。主要研究方向为材料表界面结构的调控以实现低摩擦和耐腐蚀性能。在中国科学院兰州化学物理研究所获得博士学位，曾在清华大学、日本和加拿大等高校从事相关研究工作。作为项目负责人承担的科研项目包括国家自然科学基金、山东省自然科学基金、山东省重点研发计划、青岛市应用基础研究和企业委托等10余项。已在国内外学术期刊上发表研究论文80余篇，其中被SCI/EI收录50余篇。授权国家发明专利2项，相关研究成果获山东省高等学校优秀科研成果自然科学类三等奖。2007年以来已指导博士及硕士研究生20余人，其中2人获研究生国家奖学金，2人获山东省优秀硕士学位论文奖。2015年被评为山东省优秀研究生指导教师。
万勇
2021-12-31
原位合成AlN/Al电子封装材料技术
西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究，目前已经开发出AlN/Al、SiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术，目前此项技术已获批国家发明专利1项。
西安科技大学
2021-04-11
钼酸铜纳米棒复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65‑80％、聚丙乙烯5‑7％、聚苯乙烯5‑7％、烷基聚氧乙烯醚0.05‑0.5％、乙酰丙酮钛3‑8％、聚乙烯蜡3‑7％、水3‑6％，钼酸铜纳米棒的直径为25‑100nm、长度为0.5‑3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
铝酸铈纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种铝酸铈纳米棒电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明铝酸铈纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铝酸铈纳米棒65‑80％、聚乙二醇3‑6％、聚丙乙烯3‑6％、木质素磺酸钠0.05‑0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3‑8％、乙烯‑四氟乙烯共聚物10‑15％，铝酸铈纳米棒的直径为30‑100nm、长度为1‑2μm。本发明提供的铝酸铈纳米棒电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
电子封装用铝基复合材料
电子封装用铝基复合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等复合材料。它们采用专利挤压铸造方法制备，该工艺生产成本低、设备投资少、制成的材料致密度高，且对增强体和基体合金几乎没有选择，便于进行材料设计。“金属基复合材料工程技术研究所”在这一工艺上拥有多项发明专利，技术成熟，并具有独立开发新型材料的能力。 本电子封装材料具有低膨胀、高导热、机械强度高等优点，可以与Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持热匹配。与目前常用的W/Cu、Mo/Cu复合材料相比，导热性、热膨胀性能相
哈尔滨工业大学
2021-04-14
新型太阳能电池材料及制备技术
我们开发成功的新型，高效，低成本的可见光响应型太阳能电池，其发电原理完全不同于现在使用的硅太阳电池，以模拟植物的光合作用作为原理，也区别于现在研究的色素增感型太阳能电池，材料费仅为非晶硅太阳能电池的十分之一，因此也叫做“光合成模拟型太阳能电池”。成功合成了在可见光领域动作的氧化物半导体光催化剂，从根本上解决了可见光响应型光电极材料。这一成果发表于《Nature》杂志，并开发出一系列新型光催化剂，在更宽的可见光领域（至600nm）有反应，已申请了多项发明专利。该成果可解决偏远地区人民的照
南京大学
2021-04-14
InN材料及其太阳能电池应用
南京大学通过承担国家“863”计划项目的研究，已经掌握InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术，研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s，达到国际先进水平。并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术。申请了多项国家发明专利。该太阳能电池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料，电极采用MSM结构。从图中可以看出，随着外加偏压的增大，电流响应率也随之逐渐增大。该电池的光电响应率达到2100A/W（450nm，3V）。
南京大学
2021-04-14
教创赛专家报告荟萃⑮ | 东北大学党委常委、副校长王兴伟：教学智思体赋能的“学、教、研”多场景数智教育平台建设与实践
东北大学作为中国高等教育的重要基地，始终致力于面向国家战略与产业发展需求培养高水平创新人才。
高等教育博览会
2025-09-28