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一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺
本发明公开了一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺， 包括以下步骤：在加速器支架上分别安装高压电源和加速器主体，通 过连接钢筒连接高压电源和加速器主体；高压电源的安装工艺依次包 括电源底座的安装、下磁轭的安装、过渡盘与第一层高压底盘的预安 装、六层高压底盘的预安装、第一层高压底盘的安装、余下各层高压 底盘的安装和上磁轭的安装。按照本发明安装工艺安装绝缘芯变压器型电子辐照加速器，其安装精度高，工作效率高，合格率高，保证了 安装质量，节约了人力、物力和财力。
华中科技大学
2021-04-14
JY2004万分之一平衡式电子分析天平
电子天平是采用高稳定性传感器和单片微机组成的智能化电子天平。它解决了目前国内外用电阻应变式传感器带来的蠕变，线性等问题。它具有去皮重、自校、记忆、计数、故障显示等功能。天平称重准确、快速稳定、操作简单、功能齐全、适用于工业、农业、商业学校，科研等单位作快速测定物体的重量和数量。称量范围：0.0001g～200g的质量物体
上海理工大学
2021-04-13
中科院微电子所：科技创新推动集成电路产业做大做强
学科方向和应用方向涵盖微电子学研究各个主要领域，在微电子产业集聚发展区域系统推进产业集群建设，鼓励研究团队积极参与创办各类高科技创业公司，累计申请专利逾6000项、授权专利超过3100项……
北京中科微知识产权服务有限公司
2021-02-23
技术需求、电子、电器线路的图纸设计、操作程序自动化的设计 研究
1.电子、电器线路的图纸设计、技术指导
2.操作程序自动化的设计 研究
山东施卫普环保科技有限公司
2021-06-15
云上高博会寄语—电子科技大学校长曾勇
电子科技大学校长曾勇寄语云上高博会，积极推进中国高等教育博览会“线上+线下”融合发展。
云上高博会
2020-09-22
南京大学场发射扫描电子显微镜系统公开招标公告
南京大学场发射扫描电子显微镜系统 招标项目的潜在投标人应在中招联合招标采购平台网址为：http://www.365trade.com.cn/获取招标文件，并于2022年06月29日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。
南京大学
2022-06-09
一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮
本发明公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（1
华中科技大学
2021-01-12
一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮
本实用新型公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（10），实现
华中科技大学
2021-01-12
全电子式智能型（节能型）电弧焊机防触电保护器
1、使用该装置，则电焊把手处的空载电压不大于3V（峰峰值），该电压既不会直接也不会间接导致电焊工伤亡事故。目前市场上销售量的同类产品的空载电压24V（有效值）； 2、该产品具有非常明显的节能效果，不使用该产品，电弧焊机的空载能耗约为1000W以上，使用该产品，电弧焊机的空载能耗不大于1W； 3、该产品为智能化产品，体积小(是目前市场上销售量最大的产品的1/2以下)，重量轻，便于安装且即接即用无需调试（其它产品大多需现场调试），免维护（其它产品维修率高），对应用环境要求低（能用电焊机的地方都可用），接线简单，相当于串接供电开关，且含漏电保护功能； 4、该产品的加工及调试简单，核心控制系统模块化，不需要高水平的技工； 5、产该产品只需计算机、示波器、万用表、电烙铁等常用设备，及几十平方米的场地。 应用范围： 2005年国家安全生产条列规定，每个电弧焊机必须安装该产品，且5年强制报废。据权威部门统计，目前，我国电弧焊机保有量约500万台。 预期效果： 该产品的材料成本不高于300元，销售额约700元，1个生产人员年产量约12000台，每个生产人员年毛利480万。 生产该产品只需要计算机、示波器、万用表、电烙铁等常用设备，及几十平方米的场地，不需要太多资金；而且该产品的加工及调试简单，核心控制系统已经模块化，生产不需要高水平的技工，且单人可生产。
北京交通大学
2021-04-13
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11