可以用来设计优化光学谐振腔。不仅可以模拟谐振腔特性，而且软件可以计算热透镜效应、失调、色散、Gouy 相移、简并度等对光束半径和光腔模式的影响。软件同时可以用于设计给定要求的激光腔,比如给定在特定位置的模式大小,最小灵敏度，热透镜效应和失调、最小畸变的光束质量等。 ABCDEF矩阵算法： RP Resonator 的计算是基于一个扩展的 ABCDEF 矩阵算法。与通常使用的 ABCD 矩阵算法相比，它不仅可以进行模式半径的计算，也能计算由于腔镜失调所造成的光束位置改变。 另外，它也可以处理与波长相关的折射，比如在棱镜中的折射，在锁模激光器的谐振腔里，其色散补偿是通过一个棱镜来完成。该软件可以计算不同波长的光程和由此而产生的色散。 直线腔和环形腔也可以和从激光谐振腔里输出的光束一样被当作单程传播来处理。对于环形腔，光束的路径可以自动闭合，也就是说，第一个和最后一个镜子的取向及它们之间的路径长度可以自动计算。由此产生的设置可以图形化地显示，以立即识别可能的错误输入。 具体功能与应用： ——分析已有的谐振腔设计，如检查其稳定区域、准直特性、色散效应等。 ——使复杂的谐振腔设计优化工作变得容易，如优化激光器性能。 精炼研究人员对谐振腔的理解。如通过数值模拟演示各种参数。 ——软件带有非常强大的脚本语言并伴随有脚本向导功能，很容易的通过填表格的形式（简单的输入数字或数学公式）生成大段的脚本代码。 ——脚本语言的强大意味着更丰富的灵活性。例如，用户可以定义含有多个激光晶体的光腔模型等。 ——与其它类似的软件相比，RP Resonator 允许用户将谐振腔特性参数化。这意味着用户可以使用数学表达式定义，而不是仅仅只能定义简单的参数如腔长、反射镜曲率半径等。在生成的图像中，用户也可以观察不同位置的光腔特性。与脚本语言相结合，用户开发过程中会拥有极大的灵活性。而这功能是在其它类似软件中很难找到的。   非常适合以下机构: ——开发激光器、参量振荡器，或包含无源光学谐振腔的器件的工业公司 ——详细具体研究这些设备各个方面功能原理的研究实验室 ——教导人们对此类设备形成牢固技术理解的教育机构     在任何情况下，RP Resonator 都将为您提供实质性的竞争优势，因为您的工作将更加有效和高效：您将能够快速可靠的知道谐振腔的功能特性以及改进它们的方式。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

电镀铜配方

本发明涉及电机节能驱动电路，旨在提供一种基于超级电容的电机节能驱动的电路及控制方法。本发明电路的主电路由超级电容器组、超级电容充放电管理电路、可控整流电路、可控整流控制电路等构成。本发明通过对可控整流及超级电容充放电电路的优化控制，对电梯运行功率尖峰吸收，减小电梯运行时对电网冲击，可控整流负担电机电动与发电功率的平缓部分，并具备电梯断电时后备应急电源功能，常态下超级电容与DC母线之间直通连接而具有高效率。本发明具有线路简洁，整体工作效率高、超级电容寿命延长，能量回馈型电梯整体技术经济性能得以提高。本发明特别适合于能量回馈型节能电梯的驱动，同样也适用于起重机等电机节能驱动场合。

本发明属于 3D 打印技术领域，具体公开了一种埋入式电路板复 合 3D 打印方法，结合选区激光熔化(SLM)和选区激光烧结(SLS)两种 3D 打印方式，利用 SLS/SLM 成形装置，依靠送粉喷头和吸粉喷头实 现各层中绝缘非金属粉末和导电金属粉末在绝缘基板区域和导电线路 区域的选择性分布，经过建模、切片、铺粉、吸粉、送粉、激光扫描 成形等主要成形步骤，制造出免凹槽加工的埋入式电路板。本发明利 用 3D 打印技术可成

本实用新型涉及电子工业技术领域，具体涉及一种基于 VCA810 的宽带直流放大电路系统，包括依 次连接的前置放大电路、程控放大电路、滤波电路和后级功率放大电路，以及与程控放大电路连接的 DAC 转换电路和 FPGA 控制，与 FPGA 控制连接的键盘输入和 LCD 显示。该宽带直流放大电路系统的 电压增益可预置并显示，预置范围为 0~60dB，步距为 5dB，最大增益输出噪声电平小于 0.5V。能够进 行 0~9MHz 频段内的信号的放大，且放

本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电 路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元 件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切 换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输 出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上； 通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲 信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端 读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、 蕴涵、逆蕴涵

本发明公开了一种焊割一体电源焊割模式切换电路及方法；包 括焊接继电器组，切割继电器组，变压器组，整流二极管，滤波电感 和移相全桥单元；移相全桥单元、变压器组、整流二极管和滤波电感 依次连接，当焊接继电器组闭合且切割继电器组断开时，变压器组输 出为并联状态，此时焊割一体电源为焊接模式，输出焊接电源；当切 割继电器组闭合且焊接继电器组断开时，变压器组输出为先串联后并 联状态，此时焊割一体电源为切割模式，输出切割电源。本发明焊接 和切割模式使用同一组变压器，减少了变压器总数量，减少了机器的 重量、体积，分

本发明公开了一种用于无源超高频 RFID 标签芯片解调电路， 包括整流电路、取包络电路、低通滤波电路、均值产生电路、比较器、 整形电路、使能控制电路、偏置电路。整流电路由主级和辅助级构成， 采用阈值补偿实现，取包络电路在使能控制电路控制下提取包络，低 通滤波电路直接采用 RC 结构，均值产生电路由运算放大器、二极管 和电容构成，利用峰值检测的原理实现，比较器采用开环的运算放大 器实现，整形电路由两个级联的反相器构成，

本发明公开了一种低噪声差分前置放大电路及放大器，低噪声差分前置放大电路采用差分输入输出电路，对整体电路的噪声性能起主导作用。由 Q1、Q2、Q3、Q4 四个并联的 NPN 型晶体管对管和 Q5组成共射—共基放大电路。在 Q1、Q2、Q3、Q4 的基极引入无噪声偏置电路。由电阻 R11、R16 和电容 C5 组成的电路为 Q5 提供基极偏置电压。仪用放大器 U1、U2 对差分信号进行放大。通过电阻 R2L(R2R)和