本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本

本实用新型公开了一种用于IGBT的驱动信号数字处理电路级联系统。通过将集成驱动电路(1)和数字信号处理及控制电路(2)的单个电路级联构成多路驱动与信号处理系统。本实用新型系统仅需一路输入的PWM调制信号即可完成一对IGBT的控制，同时可以使上层控制器用较少的光纤通道获得级联多个驱动板的相关信息反馈，从而简化了控制系统。该系统仅需调整程序下载至信号数字处理电路即可修改相关参数，方便了应用和系统设计工作。在IGBT过流短路以及电路板过电压或欠电压情况下可以将故障信号反馈至信号数字处理芯片，根据故障情况予以相应处理，同时能将故障情况通过光纤通道输出以便进一步处理。该实用新型结构简单、成本低，具有较好的通用性、灵活性以及可靠性。

本发明公开了一种非易失性布尔逻辑运算电路及其操作方法， 布尔逻辑运算电路具有两个输入端和一个输出端，包括第一阻变元件 M1 和第二阻变元件 M2；第一阻变元件 M1 的负极作为逻辑运算电路 的第一输入端，第二阻变元件 M2 的负极作为逻辑运算电路的第二输 入端，第二阻变元件 M2 的正极与第一阻变元件 M1 的正极连接后作 为逻辑运算电路的输出端。本发明通过对非易失性布尔逻辑运算电路 进行操作可实现至少 16 种基本

本发明公开了一种自适应探测模式的光子计数线阵读出电路及方法，包括同步模块及由若干像素单元组成的像素阵列，所述每个像素单元包括APD探测器、接口电路、计数器、存储器以及死区时间可调电路；所述死区时间可调电路，用于根据接收的标准脉冲电压计数信号状态经延迟时间后产生使得接口电路复位的复位信号，且根据接收的当前曝光时间内像素的计数值即当前帧的计数值，根据判别的当前帧计数值的大小产生控制信号以调节下一帧的延迟时间大小。本发明可以判断光强强弱来自动调节死区时间大小，提高检测效率，通过与传感器的配合，可合理应用于大阵列读出电路系统中，进而实现成像应用。

本发明公开了一种处理完全未知状态的电路系统迭代学习控制方法。该方法构造一种自适应增益状态观测器来估计电路系统的电流。将电路系统的矩阵参数不确定性转换为标量形式进行分析。构造一种基于迭代衰减因子的迭代学习控制器来控制电流完全未知的电路系统。与传统的需要精确数学模型的控制方法相比，本发明所提的控制算法更为新颖且应用条件简单。该方法用于重复任务操作时，有效地提高了控制精度，具有良好的工程应用价值。

实验室电路板制作的全能型选手ProtoMat S64 高速主轴可以完成精细的线路雕刻，最小线宽线距可达100um(4mil)，主轴故障率低。作为设备的有效补充，真空吸附台和焊膏分配器使得S64如虎添翼。 • 全自动操作系统 包含自动换刀 • 低维护成本的高转速主轴加工 • 一体化智能系统软件 • 摄像头靶标识别与铣刻线路宽度控制 • 大理石基台确保高精度 产品信息 主轴转速60 000 RPM 6万转的主轴转速，保证了精确的几何尺寸，也大大缩短了电路板加工时间。主轴的低故障率，究其原因，主要是因为气动自清洁功能和深度限位传感器的应用。花岗岩台面不限于温湿度的变化，形变小，基础精度高，大大保证了系统的高精度和被加工材料的一致性。 自动化功能：自动换刀、铣刻宽度自动调整功能、焊膏分配器 15把刀具随意更换——如有需要，在加工过程中，可以随意换取15个刀位上的任意刀具。刀具是锥型刀具，可以控制不同的切割深度，以获得不同的线路宽度。设备具备自动调整刀具切割深度的功能，一旦确认加工深度，即可得到恒定的线路宽度。这一功能，大大缩短了调刀时间，也使得无人值守得以实现。设备中的传感器，确保了精确的铣刻深度控制，并可以防止换刀撞刀现象。 2.5维加工 2.5维壳体加工 焊锡膏分配器 如需点焊锡膏，设备集成的分配器可以完全自动地将焊膏点到焊盘上，而不需要额外的编程处理。 传感器控制 设备中的传感器确保了精确的铣刻深度控制，并可以有效防止换刀撞刀现象。

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

广州市轨道交通花山车站周边城市设计及车站综合体设计：  广州市轨道交通花山车站周边城市设计及车站综合体设计：   花山站综合体东邻106国道，西邻规划的龙口东路，整个综合体地块约为73850平米，南北走向的景观河从地块东部穿过。地块中部规划一条“L”型机动车道把地块分隔为两块，北部两座均为商业建筑地块，由“L”型车道进入两侧地块，便于外来车辆进入且不阻碍主干道交通。花山站综合体建筑在地块南部，通过空中连廊联系地块北部两座商业建筑。 广州市轨道交通天贵车站周边城市设计及车站综合体设计：   天贵路站综合体东邻凤凰北路，西邻规划次干道，南邻区域快速路平步大道，占地55047平方米。整个综合体整体布置于地块的东侧，西侧开放为城市绿地广场。依托于南侧天贵路城铁站综合开发，形成此区域内的标志性建筑物。综合体裙房共四层，为大型商业，内部设有中庭，一方面便于南方地区通风采光，另一方面为顾客提供宜人的休闲空间。综合体裙房之上为区域标志性高层，共31层，130米高。 郑州市轨道交通经开站车站综合体设计：   经开站综合体东邻经开十四大街，西邻京广高铁，南邻经南十二路，占地27450平方米。整个综合体整体布置于地块的中部，综合体东侧为站前城市绿地广场。依托于经开站城铁站综合开发，形成此区域内的标志性建筑物。综合体裙房之上为区域标志性高层，建筑总高度为99.1米高。 北京市轨道交通园博园车站站前广场设计：   园博园站位于梅市口路与京周公路交叉口的西侧，主体位于梅市口路中绿化带上空，道路以北的地块内设有进出站大厅和设备管理用房，南侧设进出站楼扶梯，南北两部分通过天桥与车站主体连接。 为方便车站与园博园的联系，在车站东侧跨京周公路设天桥，连接北侧站厅二层和园博园。 主体建筑面积为3530m2，北侧站房总面积为5100 m2，，车站主体与北侧站房的联系天桥以及南侧天桥和出入口面积为1280 m2，总建筑面积为9910m2。

1、基础研究人才。2、化工工艺人才。3、高端化工设计人才。4、工艺设计人才。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。