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多模态
皮肤
三维CT 系统
皮肤组织是人体最大的器官。它主要负责人体内部与外部的隔离与沟通,起到保护体内环境、排汗和感受外部刺激的功能。由于直接接触紫外光、化学物质等,皮肤的病变机率非常大。皮肤病能给患者带来瘙痒、疼痛、及各种美容问题,严重影响患者的身心健康,甚至影响患者的生命。因此,皮肤病的早期、准确的诊断和治疗至关重要。
北京大学
2021-02-01
敏感
皮肤
防护露的研制与应用
相关专利应用于敏感皮肤和激素依赖性皮炎的防护应用范围:涉及医疗和化妆品领域,别是对使用去角质化妆品后成敏感皮肤和激素依赖性皮炎的防护。效益分析:技术优势:敏感皮肤的防护露,其特征在于不含任何防腐剂和香料。成分接近于人的天然乳化脂膜。
天津医科大学
2021-04-10
多模态
皮肤
三维CT 系统
皮肤组织是人体最大的器官。它主要负责人体内部与外部的隔离与沟通,起到保护体内环境、排汗和感受外部刺激的功能。由于直接接触紫外光、化学物质等,皮肤的病变机率非常大。皮肤病能给患者带来瘙痒、疼痛、及各种美容问题,严重影响患者的身心健康,甚至影响患者的生命。因此,皮肤病的早期、准确的诊断和治疗至关重要。
北京大学
2021-04-11
柔性储能
器件
及传感
器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
治疗
皮肤
癣病药物―肤瑞肽
癣病是由不同致病真菌感染皮肤引起的一种常见病,全世界约1/4的人口遭受此病侵扰。治疗癣病的药物虽然不少,但多不能根治,常易复发,所谓“大夫不治癣,治癣就丢脸”即此意思;还有一些治癣药剂刺激性太大,或毒副作用大,患者不愿接受。因此,寻找新的治疗方案和药物,仍为重要课题之一。我们在大量临床研究基础上,研制成一种新型皮肤消毒剂---肤康肽喷搽剂。临床上经常发现许
西安交通大学
2021-01-12
利用天然蚕丝研发防火预警功能离子
皮肤
物质学院凌盛杰课题组在国际期刊《ACS Materials Letters》发表了题为“Flame-Retardant and Sustainable Silk Ionotronic Skin for Fire Alarm Systems”的科研成果。该成果由上科大物质学院凌盛杰团队独立完成,2019级硕士研究生刘强为第一作者,2016级本科生杨硕为第二作者。
上海科技大学
2021-01-12
一种适用于成卷柔性
电子
器件
的逐片转移装置
本发明公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置, 包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元、压辊转移单元 和废料剔除单元,其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进 行模切,模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元,模切 后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定,废料剔除 单元则根据工况需要提供多种对废料的实时检测和剔除操作。通过本 发明,各个模块单元之间相互联系,共同协作,实现对成卷柔性电子 器件逐片的高速检测转移过程,同时具备运动稳定性和可靠性好等优 点。
华中科技大学
2021-04-14
一种
皮肤
敷料及其制备方法
本发明公开了一种皮肤敷料及其制备方法,所述皮肤敷料以细 菌纤维素为基底,具有皮肤接触表面与导电表面;所述皮肤接触表面 的导电率小于 10-5S/cm,含有 2μg/cm2~20μg/cm2 的药物,所述导 电表面含有 5mg/cm2~50mg/cm2 的导电材料,所述导电材料为导电高 分子或导电纳米材料中的一种或多种;所述皮肤接触表面用于直接接 触皮肤,以对皮肤的创伤进行修复,所述导电表面用于加载电压,以 控制皮肤接触表面的药物的释放速度,同时用于模拟生物内源电场, 间接促进伤口愈合。本发明的皮肤敷
华中科技大学
2021-04-14
磁流变元
器件
磁流变液是一种机敏材料,在外加磁场的作用下,液体的粘度发生很大的变化,具有很大的抗剪切力,易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件,它们可以用于车辆悬挂系统,土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力,且
西安交通大学
2021-01-12
新型FinFET
器件
工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级,驱动电流增大2 倍,驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术,与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好,有助于降低制造成本,提高良品率,具有很高的技术价值。
中国科学院大学
2021-01-12
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