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一种智能电子线路软故障检测技术
提出一种基于人工智能技术的电子线路软故障检测方法,采用多个电路进行仿真分析,均能够较好的实现对电路故障特征的提取和分析,实现对电子故障器件的精准定位和故障类型识别。 该技术将人工智能技术与传统的信号处理技术进行结合,运用STFT技术实现电路信号的表征形式变换,再结合人工智能技术中的深度残差网络学习技术分析模拟电路的性能特征,可以实现对元件故障类型的确定,完成电路的软故障分析和诊断。
上海理工大学 2023-05-15
“室温电子还原”技术提取贵金属取得突破性进展
电子、通讯等行业产生大量含有金、银等贵金属的工业废液,但由于其含金、银浓度低、回收困难大等原因,长期以来并没有被有效回收利用。最近,天津大学化工学院、天津化学化工协同创新中心课题组在这一领域取得了突破性进展。他们采用“室温电子还原”技术,成功从含金、银等贵金属的离子溶液中高效、环保、可选择性地制备出“漂浮金膜”、“漂浮银膜”,实现从金属废液中提取贵金属。实验中可8分钟之内从铜、铁、锌、金的混合溶液中回收金离子,回收率高达99.96%。“室温电子还原技术”是在室温条件下电离低压气体,形成大量电子或其
天津大学 2021-04-14
民用车辆液力机械自动变速器(AT)电子控制技术
实现了液力机械变速器(AT)的自动变速电子控制,各项功能满足了车辆的使用要求。 在北京地区专用试车场进行了大量的里程试验,积累了丰富的台架、路面试验的经验及专用设备的开发经验。同时,实验结果表明,其电控硬件、软件具备了实用化水平。
北京理工大学 2021-04-13
北京慧摩森电子系统技术有限公司
北京慧摩森电子系统技术有限公司是以开发生产直线电机驱动高精度运动定位系统为主的高新技术企业。公司依托海外归国资深技术人员和国内知名专家强大的技术实力,跟踪国际先进技术并不断创新,以中关村科技园留学生创业园为基地,为客户提供从运动基础部件到精密多轴运动平台的集成等系列产品和服务。同时代理销售国内外众多品牌的运动控制产品。 公司不仅可以为合作伙伴提供精密运动控制系列产品,还可以提供合作开发、技术咨询和技术转让等服务。我们坚持信誉第一,用户至上的原则,实现和合作伙伴的共赢。 公司产品和服务广泛应用于航空航天、精密机床、数控设备、微电子加工设备、精密测试与测量、医疗机械、纺织与建筑等特殊设备行业。
北京慧摩森电子系统技术有限公司 2021-01-15
常压烟气中二氧化碳大规模吸附捕集成套技术
气候变化问题已成为全世界关注的焦点,造成的各种全球性环境问题已向人类敲响了警 钟。气候变化的主要原因是以二氧化碳 (CO2) 为主的温室气体的排放量迅速增加。由于我国 煤炭能源占总能源70%,随着经济的快速增长,能源消耗需求量越来越大,CO2排放量逐年上 升,受到世界各国的广泛关注。因此我国在参与《联合国气候变化框架公约》活动中遭受的压 力将会越来越大,妥善应对全球气候变化问题,事关我国经济社会可持续发展目标的实现。 在非化石能源体系完整建立前,CO2捕集和封存的技术 (CCS) 具有减少成本及增加实现 温室气体减排灵活性的潜力。针对燃煤电厂、钢铁冶金、水泥建材和石油化工等大型工业常压 烟气的巨大烟气流量和流速,提高了大规模CO2捕集系统运行的费用和技术难度,现有的分离 技术面临着诸多挑战。无论是将CO2进行封存还是资源化利用,高效、低能耗的CO2捕集分离 技术是目前的主要瓶颈。吸附法因其设备简单、能耗低、易于实现自动化操作、低腐蚀性、过 程放大规律简单等因素具有一定的优势,是捕集分离CO2气体最有希望实现大规模应用的重要 备选技术之一。 燃煤电厂、钢铁冶金、水泥建材和石油化工等主要工业烟道气中CO2的大规模、低成本 捕集需要通过多种手段的创新和集成才能完成,涉及新型高效吸附材料开发、循环吸附/脱附 工艺优化、吸附设备设计、捕集过程与烟道气除湿除杂质过程及后续压缩液化利用或者封存过 程的系统集成优化、工厂低品位余热的合理利用。 华东理工大学对吸附法捕集CO2关键技术展开了系统研究,通过国际合作引进欧洲先进的 吸附捕集技术,建立循环吸附/脱吸过程的数学模型,开发两级多塔循环吸附捕集CO2工艺模 拟优化软件包。已设计和建设年处理量20万标米的常压烟道气CO2吸附捕集中试示范装置,捕 集能耗比现有技术能耗下降20%以上,形成成套自主的CO2吸附捕集技术,为国家CO2减排计 划提供先进技术支撑。
华东理工大学 2021-04-11
IPT信息管道技术及DMCS智能物联分布式测控系统集成方法
1.痛点问题 物联网技术是工业4.0和数字经济智慧化时代的标准性特征技术,是人工智能、云计算机、大数据等核心技术的底层技术基础。物联网技术的本意是希望实现万物直接互联,并能主动协同工作,但目前尚没有一项技术可以达到上述目的。 目前现有的物联网系统架构种类很多,主要集中在物联网的顶层软件设计方面,软件研究较多也做得很好,但其面临的共同问题是各种底层设备(包括不同厂家生产的各种传感器和执行器等功能部件)如何联接?在目前现有的各种物联网技术方案不仅系统结构复杂,也只能实现万物间接互联和被动协同工作,而无法实现物联网所需的万物直接互联和主动协同工作。 2.解决方案 本成果所涉的核心技术是IPT(InformationPipeTechnology)信息管道技术及基于IPT信息管道技术的DMCS(DistributedMeasurement&ControlSystem)智能物联分布式测控系统集成方法,以下简称DMCS/IPT。 在基于IPT信息管道技术的DMCS智能物联分布式测控系统中,所有节点均具有完全平等的地位(“去中心化”),也无需通过任何指令进行协同工作(“去指令”),所有节点及其联接的底层设备均可直接通过在信息管道中自动交互的测控信息的驱动来实现系统预期的各种测控功能,而若想改变系统功能,也只需改变系统中联接各分布式智能测控节点虚拟的信息管道联接关系即可,多数情况下,无需编程即可实现分布式智能测控系统的快速集成及其功能重构。DMCS/IPT及其所衍生的IPT云/IPT雾智能物联系统架构,能完美实现物联网所需的万物直接互联和主动协同工作。IPT雾是一种可以弥散到工业现场任何一个角落的DMCS/IPT智能测控网络,整个网络只需一条线缆(有线或无线物理链路)即可位于工业现场不同位置的底层设备及其对应的IPT节点彼此联接起来,不仅可通过信息管道实现“去中心化”和“去指令”的智能协同工作,而且可在IPT雾网络中任意位置接入的IPT远程智能联接节点联接至IPT云网络,或者直接联接至任意指定的普通云服务器,并与云端现有的各种物联网专业软件实现对接。IPT云网络则是架构在IPT雾网络之上的DMCS/IPT智能测控网络,可进一步联接不同的IPT雾网络,并通过信息管道解决不同IPT雾网络之间的测控任务协同,以形成更大规模的智能物联网。IPT云网络同样具有“去中心化”和“去指令”等明显技术特征,也能在IPT云网络中任意位置通过接入一个IPT远程智能联接节点,将整个系统联接至任意指定的普通云服务器,并与云端现有的各种物联网专业软件实现对接。 合作需求 1、合作企业现有产品需在某行业或某领域已占有较大的市场份额,且非常熟悉所在行业或领域的业务流程,并深度了解客户的痛点和需求; 2、合作企业需有良好的信誉记录,并需要有足够的资金来支持DMCS/IPT新产品的研发,且需要有一定数量和质量的技术人才来完善相关产品; 3、合作企业需有愿意跟其他非竞争性企业一起联手打造智能物联网生态圈的愿望。 具备以上合作条件的企业可联系清华技术转移院,通过专利普通许可方式开展各自领域的新产品研发及其推广应用,聚集多方力量,以合作共赢的方式共同打造一个可满足数字经济新时代需求的、造福于国家和社会的、国产化的智能物联技术产品生态圈。
清华大学 2022-05-07
郑州同信合电子科技有限公司
郑州同信合电子科技有限公司 2026-01-05
项目名称:烟气冷却冷凝再热除湿脱污消白关键技术及其集成
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学 2021-04-10
鹤壁市天润电子科技有限公司
鹤壁市天润电子科技有限公司是由原煤炭部定点研制分析仪器仪表的鹤壁市分析仪器研究所改制而成,是一家专业研制、生产煤质采制样分析仪器仪表的技术企业,煤质分析产品主要包括:量热仪(热量计)系列,测硫仪(定硫仪)系列,马弗炉系列,水分测定仪系列,粘结指数测定仪系列,胶质层测定仪系列,测氢仪系列,工业分析仪系列,哈氏可磨测定仪系列,灰熔点测定仪系列,转鼓机系列,破碎机系列,制样机系列等。产品广泛用于电力、煤炭、冶金、石化、环保、地质、水泥、大专院校及技术监督等行业及部门实验室、化验室。
鹤壁市天润电子科技有限公司 2025-12-11
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
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