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基于SOC系列的机电控制系统的开发
SOC（System On Chip） 一种整体的设计方法概念，指的是一种芯片设计方法，集成了各种功能模块，每一种功能都是由硬件描述语言设计程序，然后在SOC内由电路实现的；每一个模块不是一个已经设计成熟的ASIC“器件”，只是利用芯片的一部分资源去实现某种传统的功能。C80C51F是Silabs公司最新推出的一款带SOC色彩的独特的8位单片机系列，集成了嵌入式系统的许多先进技术。由最初的MCS-51发展到现在C80C51F，其过程代表了一个方向，提高了系统的运行速度和增加了片内模拟和数字外设，从整体上提高了单片机的性能。C80C51F单片机是完全集成的混合信号系统级芯片（SOC），具有与8051兼容的高速CIP-51内核，与MCS-51指令完全兼容，除了具有标准8051的数字外设不见之外，片内还集成了数据采集和模拟部件和其它数字外设和功能部件，包括模拟多路选择器，可编程增益放大器，ADC,DAC，电压比较器，电压基准，温度传感器，SMBUS,I?C,UART,定时器，可编程计数器，定时器阵列（PCA）,电源监视器和时钟振荡器等。
华东理工大学
2021-04-11
基于强耦合变压器的电流提升技术
电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）博士生张净植在2018年国际固态电路会议（ISSCC）上发表研究成果，提出了一种“基于强耦合变压器的电流提升技术”，初步实现了用一款芯片覆盖多个频段，让5G通信“全球通”变成了可能。2015年，张净植的导师康凯正承担国家5G技术方面的一个重大专项，他有机会参与其中，负责频率源方面的部分研究任务。而正是这次研究，让他将目光锁定在了5G芯片上。张净植发现，目前不同国家划分的应用于5G通信的频段各不相同。比如，中国用的是24.75GHz~27.5GHz和37GHz~42.5GHz频段，美国用的是27.5GHz~28.35GHz、37GHz~38.6GHz和38.6GHz~40GHz频段，欧洲用的是24.25GHz~27.5GHz频段，日韩则采用26.5GHz~29.5GHz。也就是说，如果5G手机的芯片不支持这么多不同频段，出国后就无法正常通信了。相对于当前使用的4G技术，5G技术在吞吐率、时延、连接数量、能耗等方面有一个质的飞跃，就像美国运营商Sprint新任总裁和即将上任的CEO迈克尔·康贝斯在今年的摩根大通全球技术、媒体和通信会议上所说的，如今的4G网速平均只有30MB/秒，而5G提供的网速将是它的15倍。因此，学界和业界都对5G给予厚望。张净植的研究成果，就是两方小小的“通用芯片”：大的芯片只有910微米×920微米（1微米=10-6米），小的芯片为700微米×670微米，面积都小于1平方毫米，大小相当于一根绣花针的横截面。但这种小芯片却具有“兼容并蓄”的“宽广胸襟”，极大地提升了注入锁定倍频器的工作带宽，即“基于CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的超宽带注入锁定倍频器”，简而言之，就是为了解决5G芯片在不同电磁频段“水土不服”的难题而专门设计的。在与业界最先进技术的比较中，该技术在仅消耗两倍功耗的情况下，将工作带宽提升了5.2倍，同时还解决了毫米波频段中“低相位噪声信号源的大带宽设计”难题，为毫米波领域超宽带低相位噪声信号源设计提供了一个可行方案，对5G通信的高频段多频带应用有着实际意义。左边是差分输出芯片，是核心电路的验证模块；右边是正交输出芯片，是完整的、可以用于5G系统的芯片。原文：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/5/412885.shtm
电子科技大学
2021-04-10
不用互感器、导线直测交流电流
"不用互感器，导线直接测量交流的电流表：利用了ø2的导线，加以放大，使其用0.06米的长度，就能获得其量值；从而，找到了导线直测交流电流。 "
厦门大学
2021-04-10
一种机电一体的绕线绞盘装置
本发明公开了一种机电一体化绕线绞盘装置。包括机架、刹车装置、驱动电机、绕线盘、内齿圈、行星齿轮组和中心太阳轮；内齿圈、行星齿轮组和中心太阳轮构成一个2K‐H型周转轮系；刹车装置位于内齿圈外表面，固结在机架上，利用电磁铁驱动用于锁死内齿圈；行星齿轮组中各行星轮中心通过滚动轴承安装一根传动轴，传动轴另一端同样用滚动轴承与绕线盘相连，将行星齿轮的公转运动转化成绕线盘的自转运动；绕线盘的中心通过滚动轴承连接在机架上，且与太阳轮的中心和内齿圈的中心同轴；本发明具有控制简单、节约能耗的优点。
浙江大学
2021-04-11
高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备
超薄铜箱是电子、通信、航天等产业的关键材料，而大电流电解电源是超薄铜箔高效高质生产的关键装备，对电流纹波、稳定性、功耗等技术指标要求极高，实现难度大。罗安院士发明的多高频变压器PWM全控变换电解电源技术，解决了大电流、低纹波、低功耗铜箔电解的难题。他发明的铜箔电解电源结构及控制方法，实现了IGBT的零电压开通与关断， 工作频率达20kHz，电源模块电流突破50kA，研制出了高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备。他发明的多电源模块阻抗匹配自动均流控制方法，突破了多电源模块并联静动态均流的国际难题，均流误差≤0.5%。 高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备与国际知名DYNAPOWER 公司产品相比，电流纹波由2%下降到0.5%，电耗降低12% ，独占了铜箔生产用大电流整流电源市场，广泛应用于电镀、电解、表面处理等领域，市场占有率在50%以上。
湖南大学
2021-04-11
发动机电控冷却废气再循环系统
一、 项目简介发动机电控冷却废气再循环系统（简称电控冷却EGR系统）可满足发动机在各种运行工况下同时对循环废气量和新鲜空气量的要求，解决了增压柴油机在中速运转，高负荷运行时低压废气无法与高压新鲜空气混合的问题。EGR阀直接控制废气流的流量，反应速度快，覆盖面广，可以适用于不同功率的发动机。废气冷却器结构紧凑，有较高的冷却效率，且稳定性好，耐腐蚀性强。经燃烧优化后的柴油机配置该系统NOx排放可以达到国Ⅳ的排放要求。二、 项目技术成熟程度为多个企业和发动机进行了电控冷却废气再循环系统开发，积累了EGR系统整机匹配和性能优化的经验。三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）所有工况最大EGR率在30%-50%；EGR阀的驱动方式为电机驱动；废气冷却器的冷却效率不低于65%，在柴油机使用寿命期间不发生重大破损；NOx的排放降低幅度不低于35%；成果通过天津市自然基金项目（编号：09JCZDJC25800）的鉴定，获实用新型专利1项。四、 市场前景（应用领域、市场分析等）应用废气再循环技术控制氮氧化物的排放，既可满足发动机日益严格的排放法规要求，又可满足发动机综合性能的要求。目前，国外EGR技术已得到广泛应用，国内为达国Ⅳ和今后更高的排放要求，EGR技术在发动机中的应用需求是无可质疑的。五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）资金需求约为150万人民币；场地规模使用面积（按产能2000个/年计）约200平方米， 需要20名操作工人和技术人员。六、 生产设备EGR主装线和性能检测线七、 效益分析每套EGR成本为3000元左右，年产2000套/年；利润约为150万元/年。八、合作方式校方负责技术开发和工艺过程管理，合作方负责场地建设、EGR系统部件购置、生产和测试、员工福利和产品销售。九、项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱） 黎苏，13520677329，lewis_1001@163.com郑清平，13012243482，qpzh163@163.com十、高清成果图片2-3张 EGR系统ECU和EGR阀
河北工业大学
2021-04-11
一种用于电流体喷印的同轴喷嘴
本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和 内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴 向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过 对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器， 压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴 喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现 内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层壳结 构厚度的更精确控制，并通过对中支架的设置提高内外喷嘴的同轴对 中精度。
华中科技大学
2021-04-11
大型复杂机电系统早期故障智能预示技术与系统
针对国民经济基础产业的大型复杂机电系统及其构件中常见多发故障，深入研究了早期故障智能预示理论体系与技术支持。研究成果归纳为数据获取、模型定义、数据分析、状态评估、混合智能决策等五项主要部分，涉及监测传感器的合理配置、信号采集与处理、数据管理、特征提取、信息融合、模式分类、状态评估、智能判别与决策预示的全过程。重点突破了解决早期微弱潜在故障的诊断和混合智能预示技术等急需解决的瓶颈问题，正确有效地揭示早期、潜在故障的发生、发展和转移，提供具有普遍意义的早期故障智能预示的理论与技术。从而为应急控制和维修管理提供准确、可靠的依据，满足国民经济发展的迫切需要。
西安交通大学
2021-04-11
一种用于电流体喷印的同轴喷嘴
本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器，压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层“壳”结构厚度的更精确控制，并通
华中科技大学
2021-04-14
一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路
本发明公开了一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路。构建 了两个工作于饱和区的 MOS 管，使流过这两个 MOS 管的电流相等且 由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准 电压。在这两个 MOS 管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅 源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个 MOS 管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的 导数为 0。本发明能有效消除
华中科技大学
2021-04-14