产品详细介绍 HD-330A型系列摊片烤片机性能特点1. 全中文执行菜单，对话框式操作系统。2..数字温度控制系统，且采用无触点输出加温技术，精度高。3..摊、烘、烤三位一体化设计，流线型外观，人体工学布局，人性化操作。4.摊、烘、烤各自独立加温控制模块设计，安全、节能、有效延长使用寿命。5.百叶式烤片盒，加以黑色特氟龙涂层表面处理，操作方便且防划伤6.微型计算机控制系统，功能齐全，可最大程度地满用户不同的需求7.最大烤片数量：86片/次、最大烘片数量：90片/次技术参数1.摊片箱温度范围为：室温～99℃可调2.烤片箱温度范围为：室温～99℃可调 3.烘片箱温度范围为：室温～99℃可调 4.电源：AC 220V ±5% 50Hz   5.功率：460W 

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主要用于实验用铸片的冷却成型，隔膜通过热值相分离形成微孔。 设备操作： · 靠辊采用液压缸向前后移动，移动距离100mm · 靠辊与定型辊的间隙精度0.005mm，光栅尺显示 · 三辊可整体前后移动500mm，上下移动距离200mm · 换热辊辊面为镀铬镜面抛光，跳动≤0.005mm · 每个换热辊采用独立的伺服电机驱动，速度精确且单独可调 · 每个换热辊上设有硅胶刮油辊 · 出口换热辊上设有硅胶压辊，避免铸片打滑 · 换热辊采用交叉对流流道，保证辊面温度均匀（±0.5℃） · 换热辊通过水冷控温，冷却水由1台模温机提供，可根据工艺要求设定不同的冷却温度 设备特点： · 结构紧凑，清理方便 · 可进行流延成型或堆料成型的研究 规格型号： · 辊面宽度400mm（其它宽度可选） · 冷却辊直径315mm · 结构形式——三冷却辊

传统上多采用Ni/Au金属作为LED的电极，降低出光效率，因此，需要采用 透明电极。针对LED对透明电极的要求，利用磁控溅射法在玻璃衬底上设计不同 气氛、衬底温度、工作气压、溅射功率、靶距、溅射时间等参数下的实验制备 CI0和ZA0薄膜，探寻制备两类薄膜的合适的工艺条件；并研究了退火处理对制 备薄膜的结构和性能的影响。制备出高质量、高性能的CI0和ZA0薄膜，发现薄 膜的透光率均在80%以上，甚至可高达91%,电阻率达到10-3Q. cm数量级或 更低，达到了 LED用透明电极薄膜材料的性能要求。

传统上多采用Ni/Au金属作为LED的电极，降低出光效率，因此，需要采用透明电极。针对LED对透明电极的要求，利用磁控溅射法在玻璃衬底上设计不同气氛、衬底温度、工作气压、溅射功率、靶距、溅射时间等参数下的实验制备CIO和ZAO薄膜，探寻制备两类薄膜的合适的工艺条件；并研究了退火处理对制备薄膜的结构和性能的影响。制备出高质量、高性能的CIO和ZAO薄膜，发现薄膜的透光率均在80%以上，甚至可高达91％，电阻率达到10－3Ω.cm数

产品详细介绍PF-1C型复合氟离子电极，集氟离子选择电极与参比电极为一体，单独1只电极即可进行使用。用于测定水溶液中氟离子活度或间接测定能与氟离子形成稳定络合物的离子活度的电极。复合氟离子电极技术参数：测量范围：10-1~10-5MF（即1-5PF或1900-0.19PPM）溶液温度：15~35℃绝缘电阻：大于等于1乘10（11次方）欧姆电极内阻：小于等于10兆欧零电位：0-1PF液接界：陶瓷芯参比电极：Ag/Agcl电极接口：BNC外形尺寸:￠12×140mm

IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是在晶闸管（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）基础上发展起来的一种大功率半导体开关器件。 IGCT由门极换流晶闸管GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成门极驱动单元共同组成。由于集成门极驱动单元承担了所有驱动、控制和保护的任务，使用者只需要提供电源和光纤控制信号，就可以简单地实现对IGCT器件开通关断的控制。 北京交通大学电气工程学院自2004年开始开展IGCT集成门极驱动技术的研究，成功研制了4000A/4500V不对称型和1100A/4500V逆导型IGCT器件集成门极驱动单元，在国内率先掌握相关核心技术并完成了产品的试验测试，已申请相关专利5项，拥有IGCT集成门极驱动技术的完全自主知识产权。在科技部科技支撑计划项目的支持下，北京交通大学电气工程学院正与国内多家企业合作，积极开展国产IGCT器件应用技术的研究，共同推进自主大功率电力电子器件的产业化进程。 IGCT与IGBT性能对比低压IGBT高压IGBTIGCT器件性能功率等级通过串并联才能满足MW级装置的要求通过串并联才能满足MW级装置的要求无需串并联就可应用于MW级装置导通损耗导通损耗较低导通损耗较大导通损耗最低开关损耗开关损耗较低开关损耗较大开关损耗较低开关频率开关频率最高较高较高吸收电路不需要吸收电路，但器件串联对驱动电路的要求较高不需要吸收电路，但器件串联对驱动电路的要求较高无需吸收电路驱动电路需单独设计、安装驱动电路需单独设计、安装驱动电路集成的门极驱动单元主电路保护及可靠性需要另外设计复杂的保护电路需要另外设计复杂的保护电路安全、无故障器件数目多中等最少结构器件数目较多，系统结构复杂结构比较紧凑结构非常紧凑接线复杂的布线和连接中等复杂的布线和连接非常简洁的布线和连接   在科技支撑计划“分布式功能系统高压变流器与软开关技术”项目支持下，采用国产IGCT器件研制3MW高压风力发电并网变流器。

       DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。       DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。    您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，可以看到我们的淘宝店铺，联系更加方便！ 特点： ※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；  ※ 符合标准曲线，具有良好的互换性； ※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装； ※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度； ※ 遵循DT-640标准温度响应曲线； ※ 多种可选封装方式。 您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，可以看到我们的淘宝店铺，联系更加方便！ 参数： ※ 温度范围：3K~500K； ※ 标准曲线：DT640 ※ 推荐激励电流：10µA±0.1%； ※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向电压高达：75V； ※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A； ※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用； ※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。 ​​​​​​​

【项目来源】江苏省科技厅社会发展项目“复方芪珠片治疗慢性乙型肝炎的临床研究”。 【类    别】中药新药六（2）类。 【剂    型】片剂。 【功能主治】益气扶正，清肝解毒化瘀，调节免疫，消除乙肝病毒，疏通肝脏微循环。主治慢性乙型肝炎。 【处方来源】南京中医药大学资深中医肝病专家经过30多年的中医药防治慢性乙型肝炎的研究和临床实践，根据慢性乙型肝炎湿热瘀蕴结，肝脾两伤的病机和本虚标实的病理特征，确定了清肝化瘀益气法的治疗原则。 【主要技术指标】 1. 药学研究：按中药6类新药要求开展了中药复方芪珠片的制剂研究，制定了稳定的工艺流程，确定了成品的质量标准，并完成初步稳定性试验。 2. 药效学和毒理学研究：为探讨复方芪珠片的作用机理，开展了系统的动物实验，结果显示该药对中毒性肝损伤肝纤维化小鼠、大鼠有明显的保肝降酶、抗肝纤维化等综合作用，毒理学（急性毒性试验）表明复方芪珠片安全，无严重毒副作用。 3. 临床研究：完成复方芪珠片治疗慢性乙型肝炎100例，并以拉米夫定为对照100例，随机分成治疗组和对照组，以中医证候积分、肝功能（主要是ALT）、肝纤维指标和病毒感染学指标为主要疗效考察指标，客观评价该药的临床疗效，并观察治疗期间的不良反应。结果显示复方芪珠片治疗组完全应答18例，部分应答35例，总有效率达53%，随访6个月显示有效病例基本保持稳定，总体疗效与拉米夫定相似，但某些指标如证候积分、肝功能、肝纤维指标等方面及改善肋痛、纳差等临床症状方面，复方芪珠片药优于拉米夫定。综上，复方芪珠片具有一定的保肝降酶、抗组织纤维化、抗病毒的作用，是治疗慢性乙型肝炎行之有效的、安全的中药制剂。 【推广应用前景】 复方芪珠片是纯中药制剂，临床研究严格按照GCP要求规范进行，采用国内外较为先进的检测技术及分析方法，已证实其具有高效抑制乙肝病毒复制作用，且安全性好、成本较低，制剂工艺符合现代化大生产需要，若进一步开发成中药新药，则为具有独立知识产权的应用性成果，具有较强的国内外竞争力。同时，对于规范慢性乙型肝炎的治疗，提高中西医药防治病毒性肝炎的理论和学术水平，亦有重要价值。 【进展情况】2003年已开展复方芪珠片制剂工艺研究，经多次试验，目前制剂工艺基本成熟，已开始研制小量成品供临床试用。同时已制定具体临床研究方案，并和有关协作医院讨论，落实临床观察任务。