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人体形态测量尺
人体形态测量尺适用于人体各肢体长度、宽度、围度等形态指标的测量。
包括：长马丁尺、中马丁尺、短马丁尺、直脚规、指间距尺、游标卡尺、围度尺和足长测量仪。
1、长马丁尺
规格：130厘米。精度：±0.1厘米。用于测量下肢长等。
2、中马丁尺
规格：90厘米。精度：±0.1厘米。用于测量上肢长、上臂长、前臂长和手长等
3、短马丁尺
规格：66厘米。精度：±0.1厘米。用于测量大腿长、小腿长和跟腱长等。
4、直脚规
规格：60厘米。精度：±0.1厘米。用于测量肩宽、骨盆宽、胸宽和胸厚等。
5、游标卡尺
规格：25厘米。精度：±0.1豪米。用于测量手宽、足宽、肱骨和股骨的远端宽等。
6、围度尺
规格：150厘米。精度：±0.1厘米。用于测量胸围、腰围、臀围、上下肢体围度等。
7、足长测量仪
规格：36×16×6厘米。精度：±0.1厘米。用于测量足长等。
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本文中所有关于人体形态测量尺http://www.xinman8.com/268.html的文字、参数、图片等如有产品更新换代、参数变动请联系我们的销售、技术工程师。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
人体形态测量尺
产品详细介绍本套测量尺可根据人体不同形态而通用。用于测量人体各肢体的长度、宽度及围度等形态指标。主要项目与技术指标：项目包括：长马丁尺、中马丁尺、短马丁尺、直脚规、游标卡尺、围度尺、足长测量仪、指间距尺。 1.长马丁尺规格：130厘米。精度：±0.1厘米。用于测量下肢长等。 2.中马丁尺规格：90厘米。精度：±0.1厘米。用于测量上肢长、上臂长、前臂长和手长等 3.短马丁尺规格：66厘米。精度：±0.1厘米。用于测量大腿长、小腿长和跟腱长等。 4.直脚规规格：60厘米。精度：±0.1厘米。用于测量肩宽、骨盆宽、胸宽和胸厚等。 5.游标卡尺规格：25厘米。精度：±0.1豪米。用于测量手宽、足宽、肱骨和股骨的远端宽等。 6.围度尺规格：150厘米。精度：±0.1厘米。用于测量胸围、腰围、臀围、上下肢体围度等。 7.足长测量仪规格：36×16×6厘米。精度：±0.1厘米。用于测量足长等 8、指间距尺规格：最大测量长度110厘米，加上加长杆后最大测量长度220厘米。精度：±0.1厘米。测量臂伸，身长、指间距（臂展）等 9、包装箱：137×28×15cm
北京信恒东方科技发展有限公司
2021-08-23
电输运性质测量系统
产品详细介绍ET9000系列电输运性质测试系统（霍尔效应系统）是集霍尔效应、磁阻、I-V特性等测试于一体的全自动化测试系统。系统全面地考虑了仪表配置、电路接线（包括室温和低温的接线）等用户经常忽略的问题，选取了美国Keithley的电测量仪表，磁场根据用户需要采用电磁铁或无液氦超导磁体， 配备灵巧的测量样品杆，加上全自动化的专用测试软件，能让用户快速方便地进行样品测试，并获得准确可靠的数据。 此外、系统还有多种低温选件，并可以根据用户现有的仪表和对软件的特殊要求进行特殊改造， 是广大科研工作者对样品进行电输运性质研究的有力工具。 ET9000电输运系统主要特点: 标准系统使用插入式样品夹具，样品安装方便； 基本配置一次最多可以加装四个样品， 并同时可以对两个样品进行测试； 标准系统随机配送一个探针样品卡； 标准系统可以进行不同磁场下的霍尔效应、I-V特性的测量； 电阻测量范围宽：0.1mΩ—50GΩ（高阻系统），测量的不确定度为2%； 测试过程和计算过程由软件自动执行，节省了大量的时间； 软件可以显示测量结果和测量曲线； 系统磁场采用闭环控制，可以提供高稳定性的磁场， 同时解决了磁铁剩磁问题，实现真正的零磁场； 选择变温选件，可以进行不同温度下的霍尔效应测量和I-V特性测量。ET9000电输运系统可测试材料: 半导体材料： Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等，以及弱磁半导体和稀磁半导体的薄膜及块材； 铁氧体材料； 低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。ET9000电输运系统基本功能: 可以进行霍尔效应、I-V特性（电阻率）及磁电阻（MR）的测量； 可得出参数：霍尔效应——方块电阻、电阻率、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度； I-V特性的MR的特性曲线包括： 不同磁场下的I-V特性曲线 不同温度下的I-V特性曲线 不同磁场下的变温I-V特性曲线 不同温度下的变磁场I-V特性曲线 电阻随温度、磁场变化的特性曲线 P-B曲线
北京东方晨景科技有限公司
2021-08-23
一种管道固有频率的测量方法及测量系统
本发明公开了一种管道固有频率的测量方法，包括以下步骤:1) 将激励传感器和接收传感器分别安装在待测管道上;2)根据所需固有 频率的数值范围确定激励频率，设置激励时长 t1 和测量时长 t2，其中 t2≥2t1;3)激励传感器在管道上进行激励，通过接收传感器获取检测 信号的时域波形图;4)通过时域波形图计算检测信号在时间区间[t1,t2] 或[0,t1]或[0,t2]上的幅值谱，获取检测信号的幅值谱;5)根据幅值谱的 幅值，获取待测管道的固有
华中科技大学
2021-04-14
基于强耦合变压器的电流提升技术
电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）博士生张净植在2018年国际固态电路会议（ISSCC）上发表研究成果，提出了一种“基于强耦合变压器的电流提升技术”，初步实现了用一款芯片覆盖多个频段，让5G通信“全球通”变成了可能。2015年，张净植的导师康凯正承担国家5G技术方面的一个重大专项，他有机会参与其中，负责频率源方面的部分研究任务。而正是这次研究，让他将目光锁定在了5G芯片上。张净植发现，目前不同国家划分的应用于5G通信的频段各不相同。比如，中国用的是24.75GHz~27.5GHz和37GHz~42.5GHz频段，美国用的是27.5GHz~28.35GHz、37GHz~38.6GHz和38.6GHz~40GHz频段，欧洲用的是24.25GHz~27.5GHz频段，日韩则采用26.5GHz~29.5GHz。也就是说，如果5G手机的芯片不支持这么多不同频段，出国后就无法正常通信了。相对于当前使用的4G技术，5G技术在吞吐率、时延、连接数量、能耗等方面有一个质的飞跃，就像美国运营商Sprint新任总裁和即将上任的CEO迈克尔·康贝斯在今年的摩根大通全球技术、媒体和通信会议上所说的，如今的4G网速平均只有30MB/秒，而5G提供的网速将是它的15倍。因此，学界和业界都对5G给予厚望。张净植的研究成果，就是两方小小的“通用芯片”：大的芯片只有910微米×920微米（1微米=10-6米），小的芯片为700微米×670微米，面积都小于1平方毫米，大小相当于一根绣花针的横截面。但这种小芯片却具有“兼容并蓄”的“宽广胸襟”，极大地提升了注入锁定倍频器的工作带宽，即“基于CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的超宽带注入锁定倍频器”，简而言之，就是为了解决5G芯片在不同电磁频段“水土不服”的难题而专门设计的。在与业界最先进技术的比较中，该技术在仅消耗两倍功耗的情况下，将工作带宽提升了5.2倍，同时还解决了毫米波频段中“低相位噪声信号源的大带宽设计”难题，为毫米波领域超宽带低相位噪声信号源设计提供了一个可行方案，对5G通信的高频段多频带应用有着实际意义。左边是差分输出芯片，是核心电路的验证模块；右边是正交输出芯片，是完整的、可以用于5G系统的芯片。原文：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/5/412885.shtm
电子科技大学
2021-04-10
不用互感器、导线直测交流电流
"不用互感器，导线直接测量交流的电流表：利用了ø2的导线，加以放大，使其用0.06米的长度，就能获得其量值；从而，找到了导线直测交流电流。 "
厦门大学
2021-04-10
高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备
超薄铜箱是电子、通信、航天等产业的关键材料，而大电流电解电源是超薄铜箔高效高质生产的关键装备，对电流纹波、稳定性、功耗等技术指标要求极高，实现难度大。罗安院士发明的多高频变压器PWM全控变换电解电源技术，解决了大电流、低纹波、低功耗铜箔电解的难题。他发明的铜箔电解电源结构及控制方法，实现了IGBT的零电压开通与关断， 工作频率达20kHz，电源模块电流突破50kA，研制出了高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备。他发明的多电源模块阻抗匹配自动均流控制方法，突破了多电源模块并联静动态均流的国际难题，均流误差≤0.5%。 高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备与国际知名DYNAPOWER 公司产品相比，电流纹波由2%下降到0.5%，电耗降低12% ，独占了铜箔生产用大电流整流电源市场，广泛应用于电镀、电解、表面处理等领域，市场占有率在50%以上。
湖南大学
2021-04-11
一种用于电流体喷印的同轴喷嘴
本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和 内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴 向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过 对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器， 压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴 喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现 内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层壳结 构厚度的更精确控制，并通过对中支架的设置提高内外喷嘴的同轴对 中精度。
华中科技大学
2021-04-11
一种用于电流体喷印的同轴喷嘴
本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器，压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层“壳”结构厚度的更精确控制，并通
华中科技大学
2021-04-14
一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路
本发明公开了一种 CMOS 基准电流和基准电压产生电路。构建 了两个工作于饱和区的 MOS 管，使流过这两个 MOS 管的电流相等且 由其栅源电压的绝对值之差得到，并利用该电流产生基准电流或基准 电压。在这两个 MOS 管的导电类型相同时，通过调整其尺寸，将其栅 源电压的绝对值之差转化为其阈值电压的绝对值之差；在这两个 MOS 管的导电类型相反时，通过调整其尺寸，使输出的基准电压对温度的 导数为 0。本发明能有效消除
华中科技大学
2021-04-14