本发明公开了一种井下仪器高电压大电流接口，包括第一外壳， 第二外壳，耐油橡胶密封圈，第一绝缘件，第二绝缘件，上导电杆， 压簧筒，压簧，下导电杆；上导电杆、压簧筒、压簧、下导电杆与所 述第一外壳、第二外壳形成同轴圆柱形电场结构，高压端通过上导电 杆、压簧和压簧筒底部压接，并与下导电杆联接；调整上导电杆的高 度可调整压簧的压紧程度，保证电气的可靠流通；第一外壳和第二外 壳通过螺纹完成机械和电气连接；上导电杆，压簧筒，压簧和下导电 杆处于第一绝缘件和第二绝缘件中心，第一外壳和第二外壳位于上端 绝缘件和第二

JO415型直流安培计适用于中学、中专等学校实验室，可测微弱电势用。 Model JO415 DC microammeter is suitable for students to measure weak current and slimelectric potenial in laboratory of middle school and polytechnic school.

产品详细介绍PCT-SD-DL动态电流倾角传感器主要特性：集成动、静态双模式组合算法。根据工作环境不同，产品自动切换动、静态测量模式。在多种工作环境下保证产品的高精度测量。当工作环境处于静态模式下，倾角传感器内部会采用静态算法，当工作环境处于动态模式，倾角传感器内部则会采用动态算法1)单、双轴倾角量测2)量程±1～±90°可选3)宽电压输入9～36V4)输出方式4～20mA5)高分辩率0.01°6)宽温工作-40～+85℃7)IP67防护等级8)高抗振性能>2000g9) 尺寸：L72.62×W42×H23.1mm产品应用：工程车辆调平               桥梁与大垻监测          高空平台安全保护  医疗设备角度控制           地下钻机姿态导航        盾构顶管应用 基于倾角的方向测量         地质设备倾斜监测        定向卫星通讯天线的俯仰角测量矿业机械、石油钻井设备     设备水平控制            对准控制、弯曲控制

        VSM（也叫做M-H磁滞曲线测量系统）测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，最大磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料，VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数： 测量磁矩范围：10-3emu-300emu（灵敏度：5*10-5emu） 相对精度（30emu）：优于±1% 重复性（30emu）：优于±1% 稳定性（30emu）：预热24小时，24小时连续工作优于±1% 温度范围：从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm，极面直径60mm 磁场：由电磁铁提供，从0-3.5T   主要参数： 抗磁，顺磁，铁磁，亚铁磁，反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR，CMR，交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料，粉末，薄膜，单晶和液体     VSM的组成：   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头，振动架 √ 振动杆，样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备：   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场，磁极间距：35mm（T） 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源，功率为2～30KW 。在稳流状态时，稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能 　　(1)输出功率：额定功率从1-12kw。 　　(2)保护：缺相保护、过流保护、短路自动保护。 　　(二)技术指标 　　(1)电源为稳流输出：电流值可从0-额定值连续可调。 　　(2)显示方式： 电流表4位半LCD数字显示。 　　(3)显示精度：±(1%+2个字) 　　(4)当负载为电磁铁，且输出电流大于最大电流一半时，电源输出的电流稳定度优于5*10-4 　　(5)工作时间：连续8小时工作(环境温度20±5℃) 　　(6)输入电压：单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率：50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程：0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。   联想电脑 打印机：hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率：0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制，分辨率：0.1K  

本发明公开了一种管道固有频率的测量方法，包括以下步骤:1) 将激励传感器和接收传感器分别安装在待测管道上;2)根据所需固有 频率的数值范围确定激励频率，设置激励时长 t1 和测量时长 t2，其中 t2≥2t1;3)激励传感器在管道上进行激励，通过接收传感器获取检测 信号的时域波形图;4)通过时域波形图计算检测信号在时间区间[t1,t2] 或[0,t1]或[0,t2]上的幅值谱，获取检测信号的幅值谱;5)根据幅值谱的 幅值，获取待测管道的固有

电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）博士生张净植在2018年国际固态电路会议（ISSCC）上发表研究成果，提出了一种“基于强耦合变压器的电流提升技术”，初步实现了用一款芯片覆盖多个频段，让5G通信“全球通”变成了可能。2015年，张净植的导师康凯正承担国家5G技术方面的一个重大专项，他有机会参与其中，负责频率源方面的部分研究任务。而正是这次研究，让他将目光锁定在了5G芯片上。张净植发现，目前不同国家划分的应用于5G通信的频段各不相同。比如，中国用的是24.75GHz~27.5GHz和37GHz~42.5GHz频段，美国用的是27.5GHz~28.35GHz、37GHz~38.6GHz和38.6GHz~40GHz频段，欧洲用的是24.25GHz~27.5GHz频段，日韩则采用26.5GHz~29.5GHz。也就是说，如果5G手机的芯片不支持这么多不同频段，出国后就无法正常通信了。相对于当前使用的4G技术，5G技术在吞吐率、时延、连接数量、能耗等方面有一个质的飞跃，就像美国运营商Sprint新任总裁和即将上任的CEO迈克尔·康贝斯在今年的摩根大通全球技术、媒体和通信会议上所说的，如今的4G网速平均只有30MB/秒，而5G提供的网速将是它的15倍。因此，学界和业界都对5G给予厚望。张净植的研究成果，就是两方小小的“通用芯片”：大的芯片只有910微米×920微米（1微米=10-6米），小的芯片为700微米×670微米，面积都小于1平方毫米，大小相当于一根绣花针的横截面。但这种小芯片却具有“兼容并蓄”的“宽广胸襟”，极大地提升了注入锁定倍频器的工作带宽，即“基于CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的超宽带注入锁定倍频器”，简而言之，就是为了解决5G芯片在不同电磁频段“水土不服”的难题而专门设计的。在与业界最先进技术的比较中，该技术在仅消耗两倍功耗的情况下，将工作带宽提升了5.2倍，同时还解决了毫米波频段中“低相位噪声信号源的大带宽设计”难题，为毫米波领域超宽带低相位噪声信号源设计提供了一个可行方案，对5G通信的高频段多频带应用有着实际意义。左边是差分输出芯片，是核心电路的验证模块；右边是正交输出芯片，是完整的、可以用于5G系统的芯片。原文：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/5/412885.shtm

"不用互感器，导线直接测量交流的电流表：利用了ø2的导线，加以放大，使其用0.06米的长度，就能获得其量值；从而，找到了导线直测交流电流。 "

超薄铜箱是电子、通信、航天等产业的关键材料，而大电流电解电源是超薄铜箔高效高质生产的关键装备，对电流纹波、稳定性、功耗等技术指标要求极高，实现难度大。罗安院士发明的多高频变压器PWM全控变换电解电源技术，解决了大电流、低纹波、低功耗铜箔电解的难题。他发明的铜箔电解电源结构及控制方法，实现了IGBT的零电压开通与关断， 工作频率达20kHz，电源模块电流突破50kA，研制出了高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备。他发明的多电源模块阻抗匹配自动均流控制方法，突破了多电源模块并联静动态均流的国际难题，均流误差≤0.5%。 高性能大电流(50kA)铜箔电解电源装备与国际知名DYNAPOWER 公司产品相比，电流纹波由2%下降到0.5%，电耗降低12% ，独占了铜箔生产用大电流整流电源市场，广泛应用于电镀、电解、表面处理等领域，市场占有率在50%以上。

本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和 内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴 向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过 对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器， 压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴 喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现 内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层壳结 构厚度的更精确控制，并通过对中支架的设置提高内外喷嘴的同轴对 中精度。

本发明公开了一种用于电流体喷印的同轴喷嘴，包括外喷嘴和内喷嘴，外喷嘴底部设有轴孔，轴孔套接有连接座，连接座上设有轴向台阶孔，台阶孔内套接内喷嘴底座，外喷嘴靠近喷口的一侧的内筒还套接有对中支架，内喷针的一端固定在内喷嘴底座上，另一端穿过对中支架的定位通孔固定，连接座的外壁上还套接有压电陶瓷驱动器，压电陶瓷驱动器与外喷筒固定连接。本发明提供的电流体喷印的同轴喷嘴，内外喷嘴的相对高度可通过压电陶瓷驱动装置精密调节，实现内外层不同溶液的相对流量的精密控制，以及对同轴纺丝的各层“壳”结构厚度的更精确控制，并通