电输运性质测量系统TESTIK-9 产品概述： 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ TESTIK-9系列电输运性质测试系统是集霍尔效应、磁阻、变温电阻、I-V特性等测试于一体的全自动化测试系统。系统考虑了集成一体性、屏蔽防干扰能力和操作人性化等用户经常忽略的问题，选取了美国Keithley的电测量仪表，磁场根据用户需要采用电磁铁或无液氦超导磁体，配备灵巧的测量样品杆和快速插拔样品卡，加上全自动化的专用测试软件，能让用户快速方便地进行电输运测试，并获得准确可靠的数据。此外，TESTIK-9系列还有多种高低温温度环境选件。TESTIK-9系列电输运性质测试系统是广大科研工作者对材料进行电输运性质研究的理想选择。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 产品特点： 可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线，以及I-V特性——不同磁场和不同温度下的I-V特性曲线，R-H特性——固定温度，电阻随着磁场变化的特性曲线，R-T特性——固定磁场，电阻随着温度变化的特性曲线。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 产品功能： 1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准 2·电阻测量范围宽：100nΩ（低电阻选件）～ 100GΩ（高阻系统）； 3·使用插入式样品卡，样品安装方便，同时提供四探针卡，免去制作电极的麻烦 4·标准系统一次可以同时测量2个样品，增加选件可同时测量4个样品； 5·测量和计算过程由软件自动执行，3分钟即可得到一个霍尔效应数据； 6·提供长时间高稳定性的磁场，24小时稳定性<±0.5G，并且磁场能够平滑过零 7·电磁铁电源内置高斯计，磁场从0到1kG只需20S即可控制在0.1G以内； 8·选择温度选件，可以进行不同温度下的霍尔效应和电阻的测量。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 产品参数： 型号 TESTIK-9A TESTIK-9B TESTIK-9C 物理学参数 迁移率 1 ~ 1 × 106 cm2/vs 载流子浓度 6 × 1012 ~ 6 × 1023 cm-3 霍尔系数 ±1 × 10-5 ~±1 × 106 cm3/C 电阻率 5 × 10-9 ~ 5 × 102 Ω·cm 电学参数 电阻 0.1mΩ ~ 10MΩ 低电阻选件 100nΩ ~ 10MΩ 电流源 ±50pA~±1A(±1.05A@±21V, ±105mA@±210V) 电压源 ±5μV~±200V(±21V@±1.05A, ±210V@±105mA) 电流测量 ±10pA~±1.05A（10pA为分辨率极小值） 电压测量 ±1nV~±100V（1nV为分辨率极小值） 磁场环境 室温磁场 1T@10mm间距 2.4T@10mm间距 2.6T@10mm间距 变温磁场 0.44T@液氮恒温器 0.26T@闭循环恒温器 1.7T@液氮恒温器 1.1T@闭循环恒温器 2.0T@液氮恒温器 1.5T@闭循环恒温器 温度（选件） 单点液氮盒 77K 液氮恒温器 80K~325K（标准型），80~500K（高温型） 闭循环恒温器 4K~325K（4K型），10K~325K（10K型） 高温炉 325K~1000K 其他 样品尺寸极大值 10mm*10mm*3mm 30mm*30mm*3mm 50mm*50mm*3mm 样品数量 1个 占地面积 2m*1.5m 5m*2m 5m*2m 选项附件： 1·材料在不同温度下的电输运性质正在被广泛研究。锦正茂提供四种温度环境。 2·液氮盒：样品可以直接泡在液氮里（77K）进行电输运测试。 3·液氮恒温器：如果需要详细研究材料的变温性质（80K~500K），可以选择液氮恒温器。液氮恒温器15分钟即可降至80K，结构轻巧，使用方便，同时有高温型可选择。 4·闭循环恒温器：如果需要详细研究材料的变温性质（2.8K~325K），可以选择闭循环恒温器。采用日本住友公司的压缩机和冷头，温度下等低达2.8K，不同的样品台和真空罩适用于不同的测试环境，如电学、光学或两者兼顾。 5·高温炉：锦正茂还自主研发用于电输运系统里的高温炉（325K~1000K），辐射加热受热均匀，内有四根可单独调整的探针，接触牢靠。通常用于高温霍尔效应的研究。 6·在电输运测量中，有些材料在不同波长的光下能得出不同的参数。这就需要在磁场或低温环境下引入光。 7·含光路的极柱和极头：在电磁铁的极头上开一个孔作为光路，使样品垂直于磁场时，光也能垂直照射在样品上。 8·遮光盒：室温下，如果样品对自然光敏感，建议选择遮光盒选件。低温下，恒温器的真空罩本身拥有遮光的作用。 9·旋转：室温下，标配的样品杆可以手动旋转。如果要准确测试磁阻材料的各向异性，可选择电动旋转样品杆。低温下，可以使温度选件固定，旋转电磁铁，实现旋转磁场的环境。 10·真空泵：恒温器一般需要在真空环境下获得高低温，真空泵是必须的。锦正茂提供干泵、机械泵和分子泵组等一系列产品，满足电输运系统里各种低温选件的需求。 11·循环水冷机组：用于磁场平台和低温平台的设备冷却。 电输运性质测量系统是一种用于物理学、化学、材料科学领域的物理性能测试仪器， 可以进行霍尔效应、I-V特性（电阻率）及磁电阻（MR）的测量； 可得出参数：霍尔效应――方块电阻、电阻率、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度；I-V特性的MR的特性曲线包括：不同磁场下的I-V特性曲线；不同温度下的I-V特性曲线；不同磁场下的变温I-V特性曲线；不同温度下的变磁场I-V特性曲线；电阻随温度、磁场变化的特性曲线；P-B曲线。

本产品是运用生物材料，高度仿真模拟真实人体解剖结构，支持应用真实前列腺电切手术设备实装实训，操作手感真实，生物材料模块仿真模拟肥大状态的前列腺，适用于科医学生及医学院进行前列腺电切手术的学习和训练。

清华大学深圳国际研究生院李勃研究员团队与清华大学材料学院伍晖副教授团队近年来一直在合作开发纳米纤维类材料，并在研究中发现纳米纤维膜具有良好的过滤性能。在抗击疫情的战斗中，该团队紧急启动了用于口罩中间过滤层材料的纳米纤维膜的二次开发。

该项目为制备碲化铅薄膜与纳米颗粒的新工艺。目前，PbTe薄膜通常采用真空蒸镀、 激光闪蒸、磁控溅射等物理方法制备，这些方法采用昂贵的镀膜设备，成本较高；电化 学方法沉积PbTe薄膜成本相对较低，但缺点在于必须使用导电基片，适用范围较窄。PbTe 纳米颗粒大多采用水热法或溶剂热法、电化学法、乳液法等方法合成，这些方法在合成 过程中或者涉及了高压设备，或者采用了复杂的仪器和涉及冗长的工艺，或者由于引入 大量有机物给后处理及环境保护带来难题。 本项目提出以碱性水溶液作为溶剂，以成本低廉的含铅无机盐和碲化物或亚碲酸盐 作为反应物，在常压、室温至 50o C 同步合成 PbTe 薄膜和纳米颗粒，制备的薄膜平整致 密且对基片无特殊要求，纳米颗粒尺度均一且可随温度调节。与其他现有的 PbTe 薄膜 与纳米粉体制备方法相比，该方法简单易行，性价比高，几乎无能耗，反应介质为容易 净化处理的水溶液，利于环保。 

本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备 方法如下：将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高 温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－3 小时后自然 降到室温。由本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产物均为碳化硅纳米线，长度 比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了 2 个量级，且制备方法简单，原料便宜易得， 设备要求简化，成本低。

本发明涉及一种亲水亲油性碳纳米管及其制备方法。本发明采用物理包覆修饰的思 想，将碳纳米管原料在酸性条件下超声辅助纯化后，在引发剂和适当温度条件下，将聚 乙烯基吡咯烷酮及其嵌段聚合物引入到碳纳米管的表面，从而得到表面具有亲水亲油基 的碳纳米管。含有此结构的碳纳米管在水、有机溶剂和聚合物基体中具有良好的分散性， 从而改善了碳纳米管的分散性。本发明提供的制备方法简单易行，具有可控性和定量化 的特点；所得的表面具有定量亲水亲油性聚合物的碳纳米管，具有良好的可加工性，为 碳纳米管在复合材料、氢气存储、电子器件、传感器、生物材料等领域的应用铺平了道 路。

通常情况下，高分子纳米囊泡的制备需要借助有机溶剂，这既不环保又耗费时间， 也不利于产业化。本项目的技术创新点在于通过在水中直接溶解高分子的方法来制备一 种既生物相容又可生物降解的高分子纳米囊泡，简化囊泡的制备过程，既环保又经济， 便于大规模生产，非常符合低碳经济的要求。 此外，由于直接使用抗癌药譬如阿霉素会对人体产生较强毒副作用，本项目提出将 抗癌药包在高分子囊泡中，以 EPR 效应将药物累积到肿瘤位置进行缓释，减少药物的毒 副作用，提高抗肿瘤的效果。与不可降解的药物载体相比，本项目所研制的既生物相容 又可生物降解的纳米囊泡就有明显的优势，在提高药物的抗肿瘤效果、减少药物的毒副 作用以及纳米粒子本身的安全性等方面具有非常重要的意义。

本发明属于碲化铅（PbTe）薄膜和纳米粉体的制备方法领域。本发明公开了一种 PbTe 薄膜和纳米粉体的低温水溶液同步合成方法，该方法以含铅的无机盐与二氧化碲或亚碲 酸钠为原料，以硼氢化钾或硼氢化钠为还原剂，在室温至 50 o C 碱性水溶液下同时合成 PbTe 薄膜和纳米粉末。本发明首次在低于 100 o C 且常压下合成 PbTe 薄膜与纳米粉体， 制备的薄膜平整、致密、均匀；粉末产物粒径小，粒度分布均匀，并可通过控制反应温 度来控制粒径大小。整个工艺使用的原料便宜易得，工艺简单，容易实现规模化生产， 同时反应过程中避免使用有机溶剂，有利于环保。合成的 PbTe 薄膜和纳米粉体可广泛 应用于热电器件、太阳能电池、荧光器件、红外光学元件、红外薄膜器件和半导体探测 器等，应用前景广阔。