制备了不同发光波长的半导体量子点材料，设计，优化和制造了应用于航天电子信息显示领域的基于薄膜量子点器件结构的夜视兼容性LED；同时也设计，优化和制造应用于航天电子信息显示领域的基于集成量子点荧光粉-氮化镓单晶蓝光LED器件结构的夜视兼容性LED。通过控制器件的光谱输出，成功地制备出适用于飞机驾驶舱的半导体器件，该器件可直接用于飞机驾驶舱，无需再使用滤光片，并完成了对其性能的评估。同时基于半导体量子点材料制备出了用于NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列。完成对NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列的初步光电测量。此外，分析影响LED发光功率及效率的因素，优化设计的器件结构，探索提高特殊用途效率的方法。优化器件的工艺制作流程，提高器件参数的一致性、均一性。

脑电图仪是将脑自身微弱的生物电信号放大并记录的仪器。目前市面上的脑电图仪产品基本采用电脑+采集板模式，本质上存在抗干扰性若、价格昂贵、体积庞大且便携性较差等不足。本便携式数字脑电图仪产品（专利号： ZL201120579381.5），基本技术指标满足JJG 954—2000《数字脑电图仪及脑电地形图仪检定规程》标准。与同类产品相比，在技术上采用嵌入式系统作为脑电图仪的控制核心，系统中设计有信号处理与采集电路，且配置触摸屏作为人机接口，采集的脑电信号数据不需要传输给电脑，直接在系统实现处理和显示。因此本产品抗干扰能力强、价格便宜、体积小且便携性好；产品还采用网络接口，可以方便地接入网络实现远程会诊；产品还可以方便地安装在病床床头，把患者检查的模式由“患者找设备”变为“设备伴患者”，体现医疗机构以病人为本的宗旨

三维显示技术是信息显示追求的终极目标，本项目实现的三维光场显示技术是下一代显示屏的主流技术，可应用于三维手机屏，三维电视屏，三维广告屏等多个细分市场领域。本项目三维光场显示技术的主要特点是解决了当前三维显示存在的视差串扰问题，在屏幕前方180度范围内，可在任意位置观看到无串扰和无视差跳变的三维图像。本技术同时解决了当前立体显示长期观看存在视觉疲劳的问题。适用于游戏、广告、电影等多种应用。本项目同时开发了实时的三维场景采集和交互技术，可以实现三维场景的实时三维显示，以及手势、体感等人机交互，可以实现虚实融合显示，结合交互可以实现三维增强现实显示。

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

产品介绍DTS CANOpen是瑞惯科技自主研发生产的新一代数字型MEMS动态双轴倾角传感器，专为测量运动载体的姿态而设计，尤其适用于运动或振动环境下的倾角测量。该传感器内置加速度计和陀螺仪，结合卡尔曼滤波算法，能够准确捕捉并输出载体在运动或振动状态下的实时姿态数据。采用CANOPEN通讯协议，DTS CANOpen在工业应用中具有广泛的兼容性和实用性。该产品采用非接触式测量技术，能够实时输出当前姿态倾角，安装简便，无需校准相对变化的两个平面。其内部集成了高精度的AD转换器和陀螺仪单元，能够实时补偿非线性误差、正交耦合、温度漂移以及离心加速度的影响，有效消除运动加速度带来的干扰，显著提升动态测量精度。因此，DTS CANOpen能够在复杂运动场景和恶劣环境中长期稳定工作。作为一款动静双模测量传感器，DTS CANOpen具备强大的抗电磁干扰能力，适用于各类高强度冲击和振动的工业环境。其卓越的性能使其成为工业自动化控制中测量姿态的理想选择。主要特性★ 量程双轴±90° ★ 分辨率0.01°★ 动态精度±0.1° ★ 静态精度±0.05°★ CANOpen协议 ★ 三种防护等级可选主要应用★ 强冲击振动碎石设备 ★ 工程车设备测控★ 施工设备调平 ★ 农用机械测控★ 飞行器姿态控制 ★ 船舶姿态监测 性能参数 DTS CANOpen 单位 参数 测量范围 ° 横滚±180，俯仰±90° 测量轴 轴 X Y 双轴 横滚俯仰分辨率1） ° 0.01 横滚俯仰静态精度@25℃ ° ±0.05 横滚俯仰动态精度(rms)@25℃ ° ±0.1 陀螺仪 陀螺仪量程 °/s ±300 零偏稳定性(10s均值) °/h 8.5 零偏不稳定性(allan) °/h 4.5 角度随机游走系数(allan) °/sqrt(h) 0.25 加速度 加速度量程 g ±4 / ±16（可选） 零偏稳定性(10s均值) mg 0.02 零偏不稳定性(allan) mg 0.005mg 速度随机游走系数(allan) m/s/sqrt(h) 0.005 零点温度系数3）@-40～85℃ °/℃ ±0.01 灵敏度温度系数4）@-40～85℃ ppm/℃ ≤100 上电启动时间 S ≤3.5 响应时间 S 0.01 通讯协议 - CAN Open 电磁兼容性 - 依照EN61000和GBT17626 平均无故障工作时间MTBF 小时/次 ≥98000 绝缘电阻 兆欧 ≥100 抗冲击 - 100g@11ms、三轴向(半正弦波) 抗振动 - 10grms、10～1000Hz 防护等级 - IP67 / IP68（可选） 重量 g 单连接头≤165g(不含电缆线) / 双连接头≤180g(不含电缆线) 1)分辨率：指传感器在测量范围内能够检测和分辨出的被测量的最小变化值。 2)精度：指在常温条件下，对角度多次测量(＞16次)，取测量值与实际角度误差的均方根差。 3)零点温度系数：指传感器零值状态下，在其额定工作温度范围内相对常温的示值变化率。 4)灵敏度温度系数：指传感器在其额定工作温度范围内，满量程示值相对于常温满量程示值的百分比，随温度的变化率。

本实用新型公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管，该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、银量子点层、石墨烯层，在氮化镓层上还设有侧面电极，在石墨烯层上设有正面电极，所述的氮化镓层厚度为2～10μm；本实用新型的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光，同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能，正反偏压下均可发光且波段多样，亮度高，制备工艺简单，成本低。

近日，北京大学化学与分子工程学院的刘志伟研究员和北京农学院的曲江兰教授合作，在Angewandte Chemie International Edition杂志上发表了题为“Delayed doublet emission in a cerium（III）complex”的VIP论文，该工作通过内外层配位空间的设计与调控发现了首例具有延迟二重态发射的稀土铈（III）配合物，这也是首例基于金属中心发光的热激活延迟荧光材料。

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳

通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)