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一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
复旦大学
2021-01-12
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点，在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器，及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平，成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
电供暖智能控制系统
技术成熟度：技术突破
本成套设备，以电供暖的各个电暖气为控制对象，以建筑内不同房间不同区域的取暖温度为控制参数，自下而上，组成了由单片机现场控制器（控制室单独使用PLC控制器）、PLC中间层算法控制器、工控机为上位机构成监控界面的DCS控制系统，从而实现分散控制集中管理的控制系统。此系统的目的在于替换传统水暖系统，利用合理科学的软件算法，实现节能、环保、减排的效果。设备兼具教学、实验、科研及实用的功能。
成果技术特点：本套装置由四个单片机组成现场控制器，一个PLC组成的控制室控制器，与中间层面的S7-300PLC控制系统，以及顶层监控层的工控机装置，统一安装到了一个整体的平台上。此平台便于实地集中实验、研究，也有利于集中编程与项目演示。
图1 设备实物图
图2 为智能控制系统电脑操作界面
吉林建筑科技学院
2025-05-19
新型磁致伸缩材料与应用
一、 项目简介磁致伸缩材料具有磁致伸缩大、能量密度高、响应速度快等特点，在功率换能器、精密控制系统、传感器等方面得到广泛应用。针对磁致伸缩材料存在的制备工艺复杂、难于制备复杂形状及高频特性差等问题，提出一种方法来制备磁致伸缩材料。应用制备的材料研制了换能器与传感器等，在企业和大专院校得到应用。二、 项目技术成熟程度已完成实验工作，进入中试阶段，部分产品得到应用。三、 技术指标取向Tb-Dy-Fe合金样品在40 kA/m磁场下的磁致伸缩为1000×10-6。粘结Sm-Dy-Fe合金样品在低磁场下具有较高的磁致伸缩数值，当磁场为100 kA/m时,磁致伸缩可达265×10-6。Fe-Ga合金样品在10 kA/m磁场下的磁致伸缩为260×10-6。获得实用新型专利，已申报发明专利。四、 市场前景材料在功率换能器、精密控制系统、有源消振及传感器等方面得到广泛应用，市场前景广阔。五、 规模与投资需求根据生产规模确定。六、 生产设备真空熔炼炉、模具、压机等。七、 效益分析按每年生产4吨计算，可获利约1500-2000万，八、 合作方式面谈。九、 项目具体联系人及联系方式王博文， 翁玲： 电话：022-60204363；E-mail: bwwang@hebut.edu.cn
河北工业大学
2021-04-11
磁致伸缩导波检测仪
本项目综合运用理论分析、数值仿真和实验研究等方法，研制了基于磁致伸缩效应的超声导波检测仪。该仪器集成度高，耗电少，可便携，方便于现场检测；传感器可根据检测结构和检测需求，该超声 导波检测仪可以根据检测需要，更换不同结构的传感器，用于不同结构的超声导波检测。可检结构包括 管道、板和杆等。该仪器检测的先进性包括：检测信号可调；超声导波模态可选；传感器可安装在某点， 对数米或数十米的结构进行检测；检测全面、效率高。该磁致伸缩导波检测仪的软硬件系统完全自主开发， 获批多项国家发明专利、实用新型专利和软件著作权，拥有完全核心知识产权，总体技术达到国际水平， 处于国内领先水平。
北京工业大学
2021-04-13
磁致伸缩导波检测仪
北京工业大学
2021-04-14
磁流变元器件
磁流变液是一种机敏材料，在外加磁场的作用下，液体的粘度发生很大的变化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件，它们可以用于车辆悬挂系统，土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大学
2021-01-12
新型FinFET 器件工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。
中国科学院大学
2021-01-12
光学微腔器件
成果创新点 1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进 而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微 腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108， 从而达到国内领先，国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光 器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激 光技术
中国科学技术大学
2021-04-14
光学微腔器件
1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108，从而达到国内领先，国际先进水平。
2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激光技术）等小型化器件的技术原理和实现方案。与常规产品相比，体积可缩小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2个量级，成本可下降 80%。成果可实现的光学微腔器件主要指标：研制出光学晶体微腔，Q 值优于 108，根据用户要求研制小型化应用模块。
中国科学技术大学
2023-05-17