|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种焊割一体电源的焊割模式切换电路及方法
本发明公开了一种焊割一体电源焊割模式切换电路及方法；包 括焊接继电器组，切割继电器组，变压器组，整流二极管，滤波电感 和移相全桥单元；移相全桥单元、变压器组、整流二极管和滤波电感 依次连接，当焊接继电器组闭合且切割继电器组断开时，变压器组输 出为并联状态，此时焊割一体电源为焊接模式，输出焊接电源；当切 割继电器组闭合且焊接继电器组断开时，变压器组输出为先串联后并 联状态，此时焊割一体电源为切割模式，输出切割电源。本发明焊接 和切割模式使用同一组变压器，减少了变压器总数量，减少了机器的 重量、体积，分
华中科技大学
2021-04-14
一种用于无源超高频 RFID 标签芯片的解调电路
本发明公开了一种用于无源超高频 RFID 标签芯片解调电路， 包括整流电路、取包络电路、低通滤波电路、均值产生电路、比较器、 整形电路、使能控制电路、偏置电路。整流电路由主级和辅助级构成， 采用阈值补偿实现，取包络电路在使能控制电路控制下提取包络，低 通滤波电路直接采用 RC 结构，均值产生电路由运算放大器、二极管 和电容构成，利用峰值检测的原理实现，比较器采用开环的运算放大 器实现，整形电路由两个级联的反相器构成，
华中科技大学
2021-04-14
一种低噪声差分前置放大电路及放大器
本发明公开了一种低噪声差分前置放大电路及放大器，低噪声差分前置放大电路采用差分输入输出电路，对整体电路的噪声性能起主导作用。由 Q1、Q2、Q3、Q4 四个并联的 NPN 型晶体管对管和 Q5组成共射—共基放大电路。在 Q1、Q2、Q3、Q4 的基极引入无噪声偏置电路。由电阻 R11、R16 和电容 C5 组成的电路为 Q5 提供基极偏置电压。仪用放大器 U1、U2 对差分信号进行放大。通过电阻 R2L(R2R)和
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学
2021-04-14
一种振荡器及其构成的真随机数发生电路
本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真 随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四 边形、八边形、十二边形等结构，即 4n 边形结构，其中 n 为大于零的 整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、 时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提 供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号 a 和 b 控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端
华中科技大学
2021-04-14
一种振荡器及其构成的真随机数发生电路
本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真 随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四 边形、八边形、十二边形等结构，即 4n 边形结构，其中 n 为大于零的 整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、 时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提 供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号 a 和 b 控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方法
本发明公开了一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方 法，来模拟生物大脑的多状态(认知、熟悉、陌生)认知能力。通过分别 调节第二输入端与第一输入端信号脉冲的匹配数目和第二输入端信号 脉冲幅值来实现多层次脉冲识别。第一输入端输入信号代表已存储在 生物大脑中的样本信号，第二输入端输入信号代表生物大脑接收到外 界环境的刺激信号，这种识别方法的原理是通过控制大脑存储的样本 信号和外界环境的刺激信号相互匹配，来调控大脑对于外
华中科技大学
2021-04-14
基于双反馈法的阻性传感阵列线性读出电路及其读出方法
本发明公开了一种基于双反馈法的阻性传感阵列线性读出电路。所述读出电路包括：行多路选择器、列多路选择器、扫描控制器、负恒流源、电压采样装置以及第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器；所述负恒流源的输出端连接第一运算放大器的反相输入端，第一运算放大器的同相输入端与第二运算放大器的同相输入端连接后接地，第二运算放大器的反相输入端与第二运算放大器的输出端连接，第三运算放大器的反相输入端与第三运算放大器的输出端连接；电压采样装置用于对第三运算放大器的输出端电压、第一运算放大器的输出端电压进行检测。本发
东南大学
2021-04-14
【子民好好说】在第二届科创中国·高等学校技术交易大会-集成电路产业分论坛上的致辞
集成电路产业是信息化时代的基础，是国家战略性新兴产业的重要组成部分。近年来，重庆市高度重视集成电路产业的发展，颁布实施了多项行动方案促进集成电路的发展，并在全国率先建立了以政府为主导、企业为主体、市场为导向、多元化投资参与的集成电路产业发展机制。
云上高博会
2023-04-11
高容量轴对称电池的设计与开发
通过设计动力电池的电芯构造。使电池的正极片、隔膜、负极片，电芯的负极极耳关于正极极耳对称布置，或者正极极耳关于负极极耳对称布置；正极片与负极片交替叠加，且正极片与负极片间垫有隔膜，用铝螺栓将正极片紧固在一起形成正极极耳，用铜螺栓将负极片紧固在一起形成负极极耳。本发明单体电池与常规叠片设计电池相比，温度场分布更加均匀；当放电倍率达到 10C 时，极耳附近电池表面的温度降低了 7～8℃，电池中心温度降低 6～7℃，电池表面整体温度平均降低了 6～8℃。
江西理工大学
2021-05-04